李宇杰
- 作品数：17 被引量：16H指数：3
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Hg1-xMnxTe晶体在ACRT-B法生长过程中的溶质再分配
- 2000年
- 基于对溶质传输特性的定量估算,确定了Hg1-xMnxTe晶体在ACRT-B生长过程溶质再分配的简化条件和计算模型,并用于晶体生长过程成分偏析的计算.结果表明,在ACRT-B法生长的Hg1-xMnxTe e晶体中由于分凝Mn含量在初始区远高了平均值,随后逐渐降低.未端溶质含量则远低于平均值.只在晶锭中部很小的范围获得满足成分要求的晶段.而采用偏离理想成分配比的配料也能获得满足成分要求的晶段,并且在一定成分范围内随配料成分的降低,该晶段增大,其位置向结晶质量更高的初始区移动.欲生长x=0.11的Hg1-xMnxTe晶体,推荐采用x0＜0.11的配料成分.在计算的基础上,采用直径Φ5mm的Hg0.89Mn0.11Te晶锭进行了ACRT-B晶体生长实验研究.通过电子探针成分分析获得了沿晶体长度的成分分布.在晶锭的主要区段,实验结果与计算结果一致.仅在初始区实验结果低于实验值,未端区高于实验值.分析认为这是由于计算模型中关于液相中溶质均匀混合的假设在初始区和未端区不满足造成的.
- 介万奇李宇杰刘晓华
- 关键词：晶体生长布里奇曼法偏析
- 脉冲真空弧源合成a-CN薄膜的表面特性和机械性能表征
- 1989年Liu和Cohen在美国科学杂志上发表文章,推断具有β-C3N4结构的碳氮薄膜其硬度可与天然的金刚石相比甚至超过金刚石,引起了众多的研究者们的极大兴趣。此后各种方法用于合成碳氮薄膜并已在计算机和硬盘制造等工业领...
- 文峰黄楠孙鸿王进李宇杰王则温
- 关键词：霍耳效应
- Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te单晶生长及晶体成分偏析被引量：1
- 1998年
- 采用常规Bridgman法和ACRT－B法进行Cd0.96Zn0.04Te晶体生长实验结果表明：ACRT产生的强迫对流在很大程度上消除了倒壁形核，有利于获得大的晶体；ACRT的加入提高了有效分凝系数keff，使其向平衡分凝系数keq趋近，导致轴向的偏折增大。
- 徐嵬李宇杰郭喜平介万奇
- 关键词：CZT单晶生长红外探测器
- Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体在ACRT-B法生长过程中的溶质再分配
- 基于对溶质传输特性的定量估算,确定了Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体在ACRT-B生长过程溶质再分配的简化条件和计算模型,并用于晶体生长过程成分偏析的计算.结果表明,在ACRT-B法生长的Hg<,1-x>Mn<,x>...
- 介万奇李宇杰刘晓华
- 关键词：晶体生长布里奇曼法偏析
- 文献传递
- 高能射线探测器用碲锌镉晶体材料及制备技术
- 介万奇王涛查钢强徐亚东李国强李宇杰
- X射线和伽马射线探器是核科学技术、公共安全监测、核医学成像、工业无损检测、空间天文观测等领域的核心器件。当前基于射线探测器的仪器设备逾百种，每年有数百亿美元的市场。在经历了第一代气体探测器、第二代闪烁体探测器的发展之后，...
- 关键词：
- 红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀被引量：3
- 1999年
- 窄禁带、含Ｈｇ 的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发，研究了ＨｇＭｎＴｅ 的腐蚀工艺，探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ 的腐蚀液．从实验结果来看，该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷，如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等，而且腐蚀质量高．以此为基础，我们还分析了ＡＣＲＴ 和Ｂｒｉｄｇｍ ａｎ 两种方法生长的ＨｇＭｎＴｅ
- 李宇杰刘晓华介万奇
- Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体的ACRT-VBM生长及晶片腐蚀和改性工艺的研究
- 该文将坩埚加速旋转技术(ACRT)应用于HgMnTe晶体的垂直Bridgman生长,研究了ACRT对晶粒选择和成分均匀性的影响,并与传统Bridgman法晶体中所获得的结构相比较.腐蚀工艺是研究晶体微观结构的重要方法,也...
- 李宇杰
- 关键词：位错空位电学性能
- 文献传递
- 结晶过程的分凝行为及其相关凝固理论
- 介万奇周尧和刘晓华李宇杰李国强
- 该项目的研究内容包括：（1）揭示了多组元合金平界面凝固过程的溶质再分配及其与温度场的耦合作用；（2）通过数值计算与实验，揭示了强制对流对化合物半导体晶体生长及凝固过程分凝行为与组织的影响；（3）建立了枝晶凝固（铸造及焊接...
- 关键词：
- 关键词：晶体生长
- Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的晶体缺陷及其控制
- 围绕作者所在课题组近年来的研究工作,综述了Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体晶体生长过程中的各种结构缺陷及其形成机理。从晶体生长过程和后续的热处理过程两个方面指出了晶体缺陷的控制原理和方法。
- 介万奇李宇杰
- 关键词：碲锌镉晶体生长晶体缺陷
- 文献传递
- Cd_(1-x)Zn_xTe晶体退火条件的选择及Zn压对退火晶体质量的影响被引量：5
- 2001年
- 采用传统Bridgman方法和加入acceleratedcruciblerotationtechnique的Bridgman(缩写为ACRT B)方法生长的Cd1 -xZnxTe(x=0 .0 4)晶体中存在有点缺陷、位错、杂质和Te沉淀等缺陷 .为了减少甚至消除这些缺陷 ,必须将生长后的CdZnTe晶片在Cd气氛下退火 .从Cd -Te和Cd0 .96 Zn0 .0 4Te的P T相图出发 ,详细讨论了CdZnTe晶体的气 固平衡条件 ,并以此为依据选择退火条件 ,对ACRT -B法生长的Cd0 .96 Zn0 .0 4Te晶体进行了退火实验研究 .实验结果表明 ,气氛中的Zn压在一定程度内高于平衡压力有利于晶体中多余Te向晶体表面扩散 ,即有利于消除Te沉淀 .但过高的Zn压会使晶体表面成分偏离原始的化学配比 .此时 ,晶体表面与气氛强烈的原子交换 ,将造成严重的表面损伤 ,形成一层结晶质量很差的表面层 .同时 ,Zn原子向晶内的扩散 ,抑制了退火过程中晶内杂质向晶体表面的扩散 .因此 ,在较低的Zn压下退火 (但仍处于气 固平衡范围内 ) ,能排除晶内杂质 .通过仔细研究不同条件下退火后晶片的结晶质量和断面成分分布 ,可以认为CdZnTe晶体的退火可分为去沉淀相退火、去杂质退火和均匀化退火几种 ,最佳的退火工艺应是多步骤。
- 李宇杰张晓娜介万奇
- 关键词：退火晶体
