吴勐
- 作品数：3 被引量：12H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响
- 采用射频磁控溅射制备氧化铟锡[ITO,In2O3∶SnO2=90∶10(质量比)]薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明：随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜XRD谱中的(2...
- 吴勐蒋洪川陈寅之赵文雅蒋书文刘兴钊张万里
- 关键词：射频磁控溅射ITO薄膜电阻率载流子浓度迁移率
- 氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用射频磁控溅射制备氧化铟锡[ITO,In2O3∶SnO2=90∶10(质量比)]薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明:随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜XRD谱中的(222)面峰强由弱到强变化,当氧氩体积百分比达到3%,4%时,ITO薄膜的(400)面峰强超越了(222)面;随着氧氩体积百分比的增大,薄膜的电阻率显著增大,而沉积速率、载流子浓度和迁移率都降低。
- 吴勐蒋洪川陈寅之赵文雅蒋书文刘兴钊张万里
- 关键词：射频磁控溅射ITO薄膜电阻率载流子浓度迁移率
- 陶瓷基Pt/ITO薄膜热电偶的制备与性能研究被引量：9
- 2015年
- 为了准确测量涡轮叶片表面温度,采用掩模图形化和射频磁控溅射的方法,在Al2O3陶瓷基片上沉积Pt/ITO薄膜热电偶,并对其进行了静态标定。结果表明：Pt/ITO薄膜热电偶在1 000℃进行大气气氛退火,随着退火时间的增加,样品热电势输出曲线稳定性逐渐增强,Seebeck系数也较大,标定曲线均具有很好的线性度,退火5h的样品的最大测温误差仅为16.03℃,可在400~1100℃温度范围热循环中稳定工作约20h。ITO薄膜厚度对Pt/ITO薄膜热电偶热电性能几乎没有影响。
- 刘海军蒋洪川吴勐赵晓辉蒋书文张万里
- 关键词：射频磁控溅射SEEBECK系数
