刘兴钊
- 作品数：168 被引量：212H指数：7
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 表面等离子体在氧化镓基紫外探测器中的应用被引量：2
- 2018年
- 局域表面等离子体共振是一种改善光电探测器性能的有效方法。本文为了提高beta-氧化镓(b-Ga_2O_3)薄膜金属-半导体-金属(MSM)日盲紫外探测器的性能,提出了在beta-氧化镓薄膜表面利用快速热退火的方法形成分散的铝纳米粒子(Al-NPs),增强薄膜对光的吸收。运用此方法制备的Al-NPs/b-Ga_2O_3探测器不仅降低了暗电流,同时也提升了光响应度和探测率。在波长254 nm紫外光照、10 V偏压下,该器件的光响应度达到了2.7 A/W,探测率达到了1.35′1014cm×Hz1/2×W-1,与b-Ga_2O_3探测器相比,分别提升了1.5倍和2倍。
- 石雄林刘宏宇候爽钱凌轩刘兴钊
- 非制冷红外探测器用BST薄膜的制备与性能研究
- 利用传统陶瓷工艺制备出BST(65/35)倒筒靶,采用射频溅射法沉积薄膜。开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究,总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法。介电性能测...
- 吴传贵刘兴钊张万里李言荣
- 关键词：BST薄膜射频溅射红外探测器
- 文献传递
- 热释电薄膜在红外探测器中的应用与研究进展被引量：3
- 2005年
- 探讨了热释电效应及热释电薄膜红外探测器的工作模式,特别是探测器单元对热释电薄膜的材料与低温生长要求。为了克服薄膜生长过程中较高的基片温度对RO IC的破坏性影响,一方面发展了离子束辅助沉积、外延缓冲层等多种低温生长技术;另一方面发展了复合探测器结构设计,已研制出了性能良好的铁电薄膜非制冷红外焦平面阵列,其NEDT可达20 mK。
- 吴传贵刘兴钊张万里李言荣
- 关键词：铁电薄膜热释电非制冷红外焦平面阵列
- Ba0.65Ru0.35TiO3缓冲层对Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜性能的影响
- 采用射频溅射(RF)溅射,在Ba0.65Sr0.35TiO3(BST)薄膜和Pt/Ti/SiO2/Si衬底之间,制备10nm厚的Ba0.65Ru0.35RuO3(BSR)缓冲层,研究了BSR缓冲层对BST薄膜结构和性能的...
- 吴传贵张万里刘兴钊李言荣
- 关键词：钛酸锶钡薄膜缓冲层射频溅射
- 文献传递
- 集成电子薄膜材料研究进展
- 2013年
- 首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件。
- 李言荣张万里刘兴钊朱俊闫裔超
- 关键词：电子材料电子器件
- 高温超导在电子学领域的应用研究现状被引量：5
- 1996年
- 本文从材料和器件两个方面讨论了高温超导在电子学领域的应用研究进展
- 刘兴钊杨邦朝
- 关键词：高温超导JOSEPHSON结电子学超导物理
- 真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响被引量：5
- 2011年
- 采用直流磁控溅射法在镍基高温合金DZ4上制备了NiCrAlY薄膜,并对NiCrAlY薄膜进行真空热处理后再进行高温氧化,以生成一层致密的Al2O3膜,研究了真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响。结果表明:经过真空热处理的NiCrAlY薄膜,高温氧化后表面生成了单一、稳定的α-Al2O3相,Al和O的粒子数分数分别约为32%和50%;而未经过真空热处理直接氧化的NiCrAlY薄膜表面含有θ-Al2O3和α-Al2O3两种物相,且分布不均匀。
- 李瑶陈寅之唐永旭蒋洪川刘兴钊
- 关键词：真空热处理高温氧化
- MgO和STO基片上制备YBCO高温超导薄膜生长研究
- 2005年
- 用AFM和XRD研究在MgO和STO基片上外延生长2-200nm的YBCO高温超导薄膜的生长机制。采用倒筒式直流溅射装置,首次实现单轴驱动双轴旋转技术,本质上实现同时在MaO基片和STO基片上沉积同一均匀厚度的YBCO薄膜。
- 谢廷明陶伯万熊杰陈家俊刘兴钊李言荣
- 关键词：高温超导钛酸锶氧化镁
- 集成电子材料研究进展
- 本报告首先分析了当前我国电子信息产业的现状，特别是电子材料与元器件行业的状况，结合国际电子信息技术的发展趋势，阐述了研究集成电子材料的重要意义，主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况。如采用TiO2(诱...
- 李言荣张万里刘兴钊朱俊
- 关键词：电子材料电子器件
- 氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响
- 采用射频磁控溅射制备氧化铟锡[ITO,In2O3∶SnO2=90∶10(质量比)]薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明：随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜XRD谱中的(2...
- 吴勐蒋洪川陈寅之赵文雅蒋书文刘兴钊张万里
- 关键词：射频磁控溅射ITO薄膜电阻率载流子浓度迁移率
