吴华
- 作品数：9 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术社会学更多>>
- 石墨烯的SiC外延生长及应用(续)被引量：2
- 2012年
- 3.3 X射线光电子能谱XPS能谱分析的基本原理：一定能量的X光照射到样品表面和待测物质发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。通过接收并测量这些光电子的能量,得到原子或分子内部各轨道的结合能,从而就可以了解样品中元素的组成。图8所示为样品的XPS能谱图。
- 陆东梅杨瑞霞孙信华吴华郝建民
- 关键词：X射线光电子能谱SIC石墨能谱分析自由电子
- SiC表面高温改性法生成石墨烯研究被引量：3
- 2012年
- 石墨烯是具有优异电学性能的碳质新材料。本文采用氩气气氛下的SiC表面高温改性法制备石墨烯。通过AFM发现表面形貌较真空法有了较大提高,同时还观察到样品表面分布着大量的网状凸起。通过拉曼检测发现得到了3层的少层石墨烯,且I(D)/I(G)≈0.04。最后总结出该工艺生长石墨烯的一些规律。
- 吴华王利杰孙希鹏黄森鹏孙信华陆东梅
- 关键词：SIC石墨烯拉曼光谱AFM
- PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率变化规律研究
- 2012年
- 在采用COREMA方法测试SiC晶片电阻率时发现同一晶片电阻率相差较大,主要体现在高阻(>105Ω.cm量级)和低阻(<105量级)并存,有的甚至超高阻(>1012量级)和低阻并存,针对这一测试结果,开展了相关的实验研究,SiC单晶半绝缘性能的实现是通过在单晶生长过程中掺入深能级杂质V来补偿浅施主N和浅受主B,利用二次质谱(SIMS)对同一晶片不同区域的杂质元素V、N和B含量进行测试,结果发现晶片中V和N的含量都在1×1017量级时会出现同一晶片不同区域电阻率相差较大的情况,而当V含量在1×1017量级,N含量在5×1016量级以下时,可制备电阻率均匀性好的半绝缘SiC单晶。
- 洪颖冯玢王磊吴华郭俊敏杜萍
- 关键词：SIC电阻率均匀性SIMS
- 电子功能材料智能制造关键技术及标准体系研究进展被引量：1
- 2019年
- 电子功能材料在现代军事武器装备领域中扮演着重要角色,发展电子功能材料智能制造技术、满足电子功能材料制造业多品种、小批量、高质量且高效率的生产要求,对于推动电子功能材料产业供给侧结构性改革、提升我国武器装备的竞争优势具有重要作用。本文梳理了电子功能材料智能制造关键技术理论研究和实践发展现状,以及电子功能材料智能制造标准体系理论研究和实践发展现状,指出了国内在关键技术及标准体系方面取得的成就以及欠缺,对今后电子功能材料智能制造产业健康发展起到了引导作用。
- 陈晨吴华
- 关键词：电子功能材料
- 半绝缘SiC单晶电阻率均匀性研究被引量：2
- 2010年
- 采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法对本实验室生长得到的2英寸（50mm）4H和6H晶型半绝缘SiC单晶片进行电阻率测试，结果发现数据的离散性大，低者低于测试系统下限10^5Ω·cm高者高于其上限10^12Ω·cm，甚至在同一晶片内会出现小于10^5Ω·cm，10^5～10^12Ω·cm和大于10^12^12Ω·cm的不同区域，而有的晶片则电阻率的均匀性较好。将SiC电阻率测试结果与二次离子质谱（SIMS）对晶体内主要杂质V，B和N含量测试结果相结合，初步探讨得到引起掺钒SiC单晶电阻率的高低及均匀性的变化由补偿方式决定，在深受主补偿浅施主模式下，V的浓度控制在2×10^16-3×10^17cm-3，N的浓度控制在1×10^16cm-3左右，深受主钒充分补偿浅施主氮，制备得到的SiC单晶具有半绝缘性，且电阻率均匀性好。
- 王香泉洪颖吴华冯玢郝建民严如岳
- 关键词：碳化硅电阻率均匀性二次离子质谱
- 碳化硅表面高温改性法热场模拟研究
- 2012年
- SiC表面高温改性法制备出的石墨烯的质量较高且可以直接通过光刻在SiC衬底上制作器件,是目前最有希望大规模制备石墨烯的方法之一。但是其产热和导热过程比较复杂,给热场设计带来了较大的难度。本文借助计算机热场模拟技术解决了这个难题,模拟出了与事实相符的结果,并在此基础上优化了坩埚设计,最终指导工艺实验生长出了层数分布均匀的石墨烯。
- 吴华王利杰孙希鹏黄森鹏孙信华于茫陆东梅
- 关键词：石墨烯石墨坩埚
- 石墨烯的SiC外延生长及应用被引量：6
- 2012年
- 碳化硅外延生长法是近几年重新发展起来的一种制备石墨烯的方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为了制备高质量石墨烯的主要方法之一。另外,从石墨烯在集成电路方面的应用前景来看,该方法最富发展潜力。从SiC不同极性面石墨烯的生长过程、缓冲层的影响及消除方法等方面评述了碳化硅外延法制备的特点并对其研究进展进行了介绍。最后简要概述了国内外关于SiC外延石墨烯在场效应晶体管方面的应用情况,指出了目前需要解决的主要技术问题,并对其发展前景进行了展望。
- 陆东梅杨瑞霞孙信华吴华郝建民
- 关键词：石墨烯SIC缓冲层场效应晶体管
- 非接触半绝缘SiC电阻率测试被引量：3
- 2010年
- 半绝缘碳化硅单晶(SI-SiC)是非常具有吸引力的大功率电子器件衬底材料,目前已越来越多地引起了人们的重视。其晶片电阻率的测试一直是一个难题。介绍了一种非接触电阻率测试方法,可以有效地解决这一难题。该方法利用电容充放电原理。首先对样品进行瞬时充电,再利用仪器实时检测放电过程中的总电量,从而得到其变化的弛豫曲线,之后对该曲线进行数学分析得到弛豫时间τ,最后利用弛豫时间τ计算出半绝缘碳化硅单晶的电阻率。实际测试时,先将晶片表面划分为若干等面积的小区域,再利用仪器逐个测试这些区域的电阻率,最后将所有电阻率的数据处理成一张电阻率分布图。该方法对半绝缘材料的研究工作具有积极的指导作用。
- 吴华郝建民冯玢洪颖
- 关键词：电阻率图像化
- 后摩尔时代半导体材料发展态势
- 2018年
- 所谓一代材料,一代器件,一代系统。半导体材料行业是支撑集成电路产业、电子信息产业、光电信息产业的重要支柱与基础。在 集成电路与分立器件产业的发展历程中,普遍将以硅为首的元素半导体材料称为第一代半导体材料;将以砷化镓为首的高电子迁移率半导体材 料,称为第二代半导体材料;将碳化硅、氮化镓等宽紧带半导体称为第三代半导体材料。然而随着后摩尔时代的到来,这种半导体材料的体系 梳理方式越来越难以适用。本文按照后摩尔时代的发展体系,重构半导体材料的体系,并简述各个方向的现状与未来发展前景[1]。
- 吴华
- 关键词：半导体材料石墨烯碳化硅
