孙信华
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- SiC表面高温改性法生成石墨烯研究被引量：3
- 2012年
- 石墨烯是具有优异电学性能的碳质新材料。本文采用氩气气氛下的SiC表面高温改性法制备石墨烯。通过AFM发现表面形貌较真空法有了较大提高,同时还观察到样品表面分布着大量的网状凸起。通过拉曼检测发现得到了3层的少层石墨烯,且I(D)/I(G)≈0.04。最后总结出该工艺生长石墨烯的一些规律。
- 吴华王利杰孙希鹏黄森鹏孙信华陆东梅
- 关键词：SIC石墨烯拉曼光谱AFM
- 碳化硅表面高温改性法热场模拟研究
- 2012年
- SiC表面高温改性法制备出的石墨烯的质量较高且可以直接通过光刻在SiC衬底上制作器件,是目前最有希望大规模制备石墨烯的方法之一。但是其产热和导热过程比较复杂,给热场设计带来了较大的难度。本文借助计算机热场模拟技术解决了这个难题,模拟出了与事实相符的结果,并在此基础上优化了坩埚设计,最终指导工艺实验生长出了层数分布均匀的石墨烯。
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- 关键词：石墨烯石墨坩埚
- 高温外延SiC法制备石墨烯的研究
- 石墨烯基器件因其超高的电子迁移率和热导率等诸多优异性质,逐渐成为当今微电子 领域的一颗新星,在电子、信息、能源、材料等领域有着广泛的应用前景。而石墨烯材料 是制作石墨烯基器件的基础。高温外延SiC法制备石墨烯,以其生长的...
- 孙信华
- 关键词：石墨烯SIC层数褶皱
- 文献传递
- 石墨烯的SiC外延生长及应用(续)被引量：2
- 2012年
- 3.3 X射线光电子能谱XPS能谱分析的基本原理：一定能量的X光照射到样品表面和待测物质发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。通过接收并测量这些光电子的能量,得到原子或分子内部各轨道的结合能,从而就可以了解样品中元素的组成。图8所示为样品的XPS能谱图。
- 陆东梅杨瑞霞孙信华吴华郝建民
- 关键词：X射线光电子能谱SIC石墨能谱分析自由电子
- 石墨烯的SiC外延生长及应用被引量：6
- 2012年
- 碳化硅外延生长法是近几年重新发展起来的一种制备石墨烯的方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为了制备高质量石墨烯的主要方法之一。另外,从石墨烯在集成电路方面的应用前景来看,该方法最富发展潜力。从SiC不同极性面石墨烯的生长过程、缓冲层的影响及消除方法等方面评述了碳化硅外延法制备的特点并对其研究进展进行了介绍。最后简要概述了国内外关于SiC外延石墨烯在场效应晶体管方面的应用情况,指出了目前需要解决的主要技术问题,并对其发展前景进行了展望。
- 陆东梅杨瑞霞孙信华吴华郝建民
- 关键词：石墨烯SIC缓冲层场效应晶体管
