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吴曙翔

作品数：23 被引量：4H指数：2
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广州市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 5篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 9篇分子束
  • 9篇分子束外延
  • 8篇电极
  • 8篇存储器
  • 6篇金属
  • 6篇半导体
  • 5篇金属电极
  • 5篇非挥发性
  • 4篇导体
  • 4篇稀磁半导体
  • 4篇二维电子
  • 4篇二维电子气
  • 4篇分子束外延生...
  • 4篇衬底
  • 3篇电阻
  • 3篇电阻开关
  • 3篇室温铁磁性
  • 3篇铁磁
  • 3篇铁磁性
  • 3篇磁学

机构

  • 23篇中山大学

作者

  • 23篇吴曙翔
  • 21篇李树玮
  • 6篇刘雅晶
  • 3篇李新宇
  • 3篇许灵敏
  • 3篇邢祥军
  • 3篇夏延秋
  • 2篇罗艺青
  • 1篇胡伟
  • 1篇包定华
  • 1篇李伟民
  • 1篇秦霓
  • 1篇阮凯斌
  • 1篇于晓龙
  • 1篇吕启标
  • 1篇周洪
  • 1篇杨国伟
  • 1篇陈心满

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于太赫兹探测的晶圆级狄拉克半金属二碲化铂的生长方法
本发明涉及拓扑半金属材料技术领域，具体涉及一种用于太赫兹探测的晶圆级狄拉克半金属二碲化铂的生长方法。本发明在晶圆级大面积氧化铝衬底上采用分子束外延技术控制Pt原子和Te原子的流速比，控制合适的衬底温度和生长速度，实现了大...
成义俊吴曙翔李树玮
一种二碲化钼外尔半金属室温柔性太赫兹光电探测器及制备方法
本发明公开了一种二碲化钼外尔半金属室温柔性太赫兹光电探测器及制备方法,光电探测器从下至上依次包括衬底、二碲化钼薄膜、氧化铝保护层和金属电极，其中衬底采用柔性云母材料。光电探测器使用了分子束外延技术分别制备Td相的二碲化钼...
阳崎吴曙翔李树玮
一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器
本发明属于存储技术领域，尤其涉及一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器，其包括SrTi<Sub>0.99</Sub>Nb<Sub>0.01</Sub>O<Sub>3</Sub>半导体(1)、设于SrTi<Sub>0.99...
吴曙翔李树玮
文献传递
一种非挥发性阻变存储器有源集成结构
本发明涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO<Sub>3</Sub>衬底、设于SrTiO<Sub>3</Sub>衬底上的LaAlO<Sub>3</Sub>薄膜和设于SrTiO<...
常雨诗吴曙翔李树玮
文献传递
稀磁半导体TiMnO_2分子束外延生长和磁学性质
用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO_2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn~(2+)与缺陷之间存在相互作用。与...
李树玮李新宇吴曙翔许灵敏刘雅晶邢祥军
关键词：分子束外延室温铁磁性
文献传递
应力对Mn3O4外延薄膜结构及性能的影响
任立柱吴曙翔杨眉杨坤淦李树玮
功能薄膜的物性与机理研究
包定华李树玮杨国伟吴曙翔陈心满张洪宾胡伟秦霓周洪阮凯斌
项目属于物理学中的凝聚态物理，研究功能薄膜的物性及机理，是物理学与材料科学交叉的国际科学前沿领域。主要内容及发现点如下：1.通过界面调控、能带工程设计和取向控制，制备出系列高性能的电致阻变薄膜，实现了存储性能的调控，提出...
关键词：
关键词：铁电薄膜物理机制
Electrically induced colossal capacitance enhancement in LaAlO3/SrTiO3heterostructures
The discovery of high-mobility two-dimensional electron gas (2DEG) at the interface of two insulating oxides,L...
吴曙翔
关键词：CAPACITANCEENHANCEMENTCAPACITANCECAPACITANCEVACANCY
一种堆垛交叉阵列的存储结构及其制备方法
本发明公开了一种堆垛交叉阵列的存储结构，包括衬底，该衬底上镀有第一条状电极，在未镀有第一条状电极的衬底及第一条状电极上形成具有电阻开关效应的材料薄膜，该薄膜上设有与第一条状电极相交叉的第二条状电极，该薄膜包括设置在衬底上...
刘雅晶吴曙翔李树玮
文献传递
一种非挥发性无浮栅晶体场效应管存储器
本发明涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性无浮栅晶体场效应管存储器。其包括SrTiO<Sub>3</Sub>衬底、设于SrTiO<Sub>3</Sub>衬底上的LaAlO<Sub>3</Sub>薄膜和分别设于SrT...
罗艺青吴曙翔李树玮
文献传递
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