李树玮
- 作品数：48 被引量：37H指数：4
- 供职机构：中山大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种堆垛交叉阵列的存储结构及其制备方法
- 本发明公开了一种堆垛交叉阵列的存储结构，包括衬底，该衬底上镀有第一条状电极，在未镀有第一条状电极的衬底及第一条状电极上形成具有电阻开关效应的材料薄膜，该薄膜上设有与第一条状电极相交叉的第二条状电极，该薄膜包括设置在衬底上...
- 刘雅晶吴曙翔李树玮
- 文献传递
- 稀磁半导体TiMnO_2分子束外延生长和磁学性质
- 2008年
- 用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn2+与缺陷之间存在相互作用。与具有缺陷的Mn∶TiO2薄膜不同的是,具有好的结晶质量的Mn∶TiO2薄膜没有磁性,这说明室温稀磁性质与材料的结构缺陷具有很大的联系。
- 李树玮李新宇吴曙翔许灵敏刘雅晶邢祥军
- 关键词：分子束外延室温铁磁性
- 垂直堆垛InAs量子点材料的分子束外延生长被引量：5
- 2004年
- 用MBE设备以Stranski Krastanov生长方式外延生长了 5个周期垂直堆垛的InAs量子点 ,在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。样品外延的主要结构是 5 0 0nm的GaAs外延层 ,15nm的Al0 .5Ga0 .5As势垒外延层 ,5个周期堆跺的InAs量子点 ,5 0nm的Al0 .5Ga0 .5Asnm势垒外延层等。在生长过程中用反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监控。生长后用原子力显微镜 (AFM)进行表面形貌的表征 ,再利用光制发光 (PL)
- 李树玮小池一步矢野满明
- 关键词：晶体生长光致发光
- 稀磁半导体TiMnO2(Mn:TiO2)分子束外延生长和磁学性质
- 本文用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn2+离了与缺陷之间存在相互作用。与...
- 李树玮李新宇吴曙翔许灵敏刘雅晶邢祥军
- 关键词：稀磁半导体二氧化钛薄膜分子束外延室温铁磁性锰掺杂
- 文献传递
- 等离子辅助后处理对锰掺杂氮化钛薄膜磁特性的影响
- 2017年
- 本文介绍锰掺杂的氮化钛薄膜，该薄膜采用等离子辅助分子柬外延的方法制备在MgO（001）衬底上．经过氮等离子退火处理之后，薄膜晶格位置上的氮元素和锰浓度得以提高．TiN（002）峰位置向低角度方向移动，TiN（111）峰消失．晶格的膨胀和XRD峰位置移动可以归结为薄膜中氮空位浓度减少．未退火样品磁性受到一定的抑制，其原因是在缺陷或者界面位置的氮空位的钉扎效应．经过氮等离子退火后，氮空位浓度降低，薄膜的磁性得到激发氮空位浓度降低有利于Mn掺杂TiN薄膜磁性增强．
- 李丹许灵敏李树玮周勋
- 关键词：磁性材料太阳能电池材料
- 氧化镁单晶的磁性研究
- 杨坤淦吕启标任立柱胡萍杨眉周文齐李树玮
- 关键词：顺磁铁磁磁滞回线
- 在a-平面蓝宝石衬底上分子束外延生长的ZnO和ZnMgO材料结构和光学性质(英文)被引量：4
- 2004年
- 氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料,我们通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),在位地研究了生长时材料薄膜的表面形貌。通过调节ZnMgO材料镁的组份,生长了禁带宽度可调的宽禁带材料。用紫外-可见透射光谱研究了ZnO,Zn0.89Mg0.11O和Zn0.80Mg0.20O薄膜材料的透射和吸收光谱性质,观察到Zn0.89Mg0.11O,Zn0.80Mg0.20O材料的吸收边的蓝移现象等。以上说明了我们用分子束外延生长 收稿日期:2003 07 22·09· 第1期StructuralandOpticalCharacterizationofZnOandZnMgOFilmsona-planesapphiresbyMolecularBeamEpitaxy2004年设备成功的生长了高质量的氧化锌和组份渐变的ZnMgO薄膜材料。
- 李树玮小池一步矢野满明
- 关键词：氧化锌薄膜分子束外延生长透射光谱禁带宽度
- 一种用于太赫兹探测的晶圆级狄拉克半金属二碲化铂的生长方法
- 本发明涉及拓扑半金属材料技术领域，具体涉及一种用于太赫兹探测的晶圆级狄拉克半金属二碲化铂的生长方法。本发明在晶圆级大面积氧化铝衬底上采用分子束外延技术控制Pt原子和Te原子的流速比，控制合适的衬底温度和生长速度，实现了大...
- 成义俊吴曙翔李树玮
- TiO2掺Cu薄膜对LaAlO3衬底拉曼谱增强的影响
- 2013年
- 在LaAlO3(111)衬底上,利用分子束外延(MBE)方法,在生长温度为480℃下,制备了高质量纯TiO2及TiO2掺Cu薄膜,并采用拉曼光谱、光电子能谱(XPS)等手段对样品进行表征。XPS分析结果显示Cu原子为+1价,Ti原子为+4价。拉曼光谱发现,在衬底LaAlO3的122.6cm-1拉曼位移峰位处,TiO2掺Cu薄膜对衬底有拉曼增强效应出现,而在纯TiO2薄膜样品中,却未出现拉曼增强现象。当将TiO2掺Cu的薄膜样品在室温环境下放置一段时间后,原有的拉曼增强现象消失。综合实验结果初步分析,其原因与掺入Cu原子的化合价为+1价以及其在薄膜中的存在形式为团簇或是取代Ti原子有关,具体原因仍需进一步验证。
- 王运佳李树玮
- 关键词：分子束外延生长
- 一种双极阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种双极阻变存储器及其制备方法，存储器包括MgO单晶衬底，所述MgO单晶衬底上生长有一层TiN薄膜，所述TiN薄膜外延生长一层TiO<Sub>2</Sub>薄膜，所述TiO<Sub>2</Sub>薄膜表面镀有...
- 吕启标李树玮
- 文献传递
