张德恒
- 作品数：36 被引量：452H指数：15
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的绿光发射被引量：23
- 2004年
- 用射频磁控溅射法 ,在硅衬底上制备出具有良好的 (0 0 2 )择优取向的多晶ZnO薄膜。研究了室温下薄膜的光致发光特性 ,观察到显著的单绿光发射 (波长为 5 1 4nm)峰。在氧气中 830℃高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,绿光发射峰强度变弱 ;在真空中 830℃高温退火后 ,绿光发射峰强度增加。
- 王卿璞张德恒马洪磊张兴华张锡健
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射
- 新型半导体激光器——ZnO紫外激光器被引量：22
- 2001年
- 最近人们发现在室温下ZnO薄膜能产生强烈的光受激辐射 ,这表明此种材料可用于制造紫外光半导体激光器 ,此种激光器在光信息存贮上有广泛应用 .
- 张德恒王卿璞
- 关键词：ZNO薄膜紫外激光器半导体激光器氧化锌薄膜
- 射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性被引量：39
- 2003年
- 利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有 (0 0 2 )择优取向的氧化锌薄膜 ,用波长为 30 0nm的光激发 ,观察到在 44 6nm处有一强的光致发光峰 ,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁。并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响 ,且给出了解释。
- 王卿璞张德恒薛忠营陈寿花马洪磊
- 关键词：射频磁控溅射法发光特性ZNO薄膜氧化锌薄膜
- 用MOCVD方法制备的单晶GaN薄膜紫外光电导
- 本文报道了用MOCVD 方法制备单晶GaN薄膜的紫外光电导特性。结果表明,没有进行Mg掺杂和弱掺杂的样品具有显著的光响应,而且光响应弛豫时间也较短,随着Mg掺杂浓度的增加,光响应变小,且弛豫时间变长。
- 张德恒刘云燕张德骏张兴华
- 关键词：GAN光响应
- 文献传递
- ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质被引量：18
- 2004年
- 在室温下 ,采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上制备出 Zn O- Sn O2 透明导电薄膜 .制备的薄膜为非晶结构 ,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压 .薄膜的最小电阻率为 7.2 7× 10 - 3Ω· cm,载流子浓度为4 .3× 10 1 9cm- 3、霍尔迁移率为 2 0 .5 cm2 / (V· s) ,在可见光范围内的平均透过率达到了 90 % .
- 黄树来马瑾刘晓梅马洪磊孙征张德恒
- 关键词：透明导电膜射频磁控溅射
- 磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO∶Al透明导电薄膜被引量：8
- 1998年
- 用射频磁控溅射方法在有机柔性衬底上制备出好的附着性、低电阻率、高透射率ＺｎＯ∶Ａｌ的透明导电膜，研究了薄膜的结构、电学和光学特性．
- 杨田林许心光张德恒马瑾马洪磊
- 关键词：磁控溅射衬底柔性衬底氧化锌
- 退火对射频溅射法制备a-Si∶H∶Y合金薄膜结构和性质的影响被引量：1
- 1998年
- 对射频溅射法制备的ａＳｉ∶Ｈ∶Ｙ薄膜进行电子衍射、红外吸收和卢瑟福背散射测试，结果表明，退火可从以下几方面改变膜的结构和性质：使合金膜晶化，从非晶态向多晶或单晶态转化；改变原子间的键合状态，使某些ＳｉＨ键断裂，形成更多的ＳｉＹ键；Ｙ原子向Ｓｉ衬底方向扩散，使膜表面Ｙ的浓度降低，Ｓｉ∶Ｙ合金层厚度增大。
- 张德恒王家俭高汝伟刘汝军
- 关键词：稀土退火
- SiC和GaN系列蓝色发光二极管的研制被引量：2
- 1997年
- 本文简述了Sic和GaN材料的制备过程及以该材料为基础所制造的蓝色发光二极管的制作方法和发光特性。
- 杨田林张德恒
- 关键词：液相外延蓝色LED发光二极管
- 费米面在布里渊区边界上必定与界面垂直截交的证明被引量：1
- 1992年
- 本文利用晶体中电子能带的周期性和反演对称性，证明了在布里渊区边界上，电子的等能面必定与界面正交．同时还推论出：处在布里渊区边界上的电子，其速度与界面平行．
- 王矜奉张德恒
- 关键词：正交
- N型氮化镓的结构和光电导特性
- 2001年
- 采用透射电镜高分辨反射电子衍射、扫描电镜形貌观察、X射线衍射等不同方法测试了不同Mg含量的N型氮化镓薄膜的结构。几种测试方法的比较表明 ,高分辨反射电子衍射是确定厚衬底的薄膜结构的快速而简便的方法 。
- 艾子萍刘云燕张德恒
- 关键词：透射电镜扫描电镜X射线衍射半导体材料
