易万兵
- 作品数：14 被引量：30H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法
- 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个...
- 董业民王曦陈猛陈静王湘张继华易万兵金波
- 文献传递
- 注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响
- 2005年
- 研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I V特性有重要影响.
- 张国强刘忠立李宁范楷郑中山张恩霞易万兵陈猛王曦
- 关键词：SIMOXMOSFET氮
- 复合离子注入形成SOI结构及其结构和性能的研究
- SOI(Silicon On Insulator)技术在军用、航天和商业领域都已取得突破性进展,但仍然存在一些问题.该论文主要研究氢氧共注入降低SIMOX SOI圆片生产成本,和氮氧共注入形成新结构以提高抗总剂量辐照性能...
- 易万兵
- 关键词：退火工艺
- 文献传递
- 氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究
- 2003年
- 实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备SOI(SiliconOnInsulator)材料埋层结构的影响。用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化。研究表明,氢离子的注入有利于注氧隔离制备的SOI材料埋层的增宽。进一步的结果表明,室温氢离子注入导致的增宽效应比高温注入明显。
- 易万兵陈猛陈静王湘刘相华王曦
- 关键词：注氧隔离
- 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法
- 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个...
- 董业民王曦陈猛陈静王湘张继华易万兵金波
- 文献传递
- 铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战被引量：17
- 2006年
- 铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0·18μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向.
- 张文杰易万兵吴瑾
- 关键词：电迁移微结构
- 埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响被引量：6
- 2005年
- 研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响 .实验发现 ,与不注氮的SIMOX基片相比 ,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了 .且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率 .随注入剂量的增加 ,迁移率略有上升 ,并趋于饱和 .分析认为 ,电子迁移率的降低是由于Si SiO2界面的不平整造成的 .实验还发现 ,随氮注入剂量的提高 ,nMOSFET的阈值电压往负向漂移 .但是 ,对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件 .固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素 .另外发现 ,用注氮基片制作出的部分耗尽SOInMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件 .
- 郑中山刘忠立张国强李宁范楷张恩霞易万兵陈猛王曦
- 关键词：SOI埋氧层SIMOX电子迁移率
- 氧氮共注SOI材料结构与注氮剂量研究
- 采用氧氮共注的方法制备了SIMON圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并进行了埋层结构与抗辐射性能的机理分析.结果表明,注氮剂量较低时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质存在很密切的关...
- 张恩霞易万兵陈孟张正选王曦张国强刘忠立范凯李宁
- 关键词：SOI材料
- 文献传递
- MOCVD TiN薄膜在先进集成电路制造中应用的研究
- 在深亚微米(0.15μm及以下)集成电路制造中，后段工艺日趋重要，为降低阻容迟滞(RC Delay)，保证信号传输，减小功耗，有必要对后段工艺进行改进，Via阻挡层MOCVD(Metal-organic Chemical...
- 易万兵
- 关键词：集成电路金属有机物化学气相淀积氮化钛薄膜电阻率
- 文献传递
- 化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用被引量：2
- 2005年
- 介绍了CVD技术的原理和分类。对不同种类的CVD薄膜进行了比较和分析,并主要讨论了 CVD绝缘介质薄膜在后段工艺中的应用。
- 易万兵涂瑞能张炳一吴谨毛杜立邹世昌
- 关键词：化学气相淀积集成电路制造
