杨国锋
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信轻工技术与工程电气工程更多>>
- 利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱被引量：1
- 2011年
- 报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。
- 杨国锋陈鹏于治国刘斌谢自力修向前韩平赵红华雪梅张荣郑有炓
- 关键词：氮化镓
- InGaN/GaN低维量子阱结构的制备及其发光性质研究
- GaN基半导体器件的商业化使得当前对Ⅲ族氮化物的研究发展迅猛。由于Ⅲ族氮化物带隙可以从0.7eV到6.2eV连续变化，所对应的波长覆盖了从近红外到紫外极为宽广的光谱范围，并且拥有优良的物理、化学性质，GaN基半导体材料已...
- 杨国锋
- 关键词：发光性能
- 深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响被引量：1
- 2011年
- 为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的长波长发光峰,根据这个发光峰的强度与温度之间的依赖关系,通过数据拟合,得到了深能级的平均激活能,约为199 meV。由于有源区中存在大量深能级,也对白光LED的I-V特性产生一定影响,有源区中的深能级成为额外的载流子源,使白光LED的I-V特性表现出独特的性质。
- 孟庆芳陈鹏郭媛于治国杨国锋张荣郑有炓
- 关键词：氮化镓深能级发光二极管(LED)电致发光电流-电压特性
- 交流发光二极管的发展与挑战(摘要)
- 能源危机，温室效应以及生态环境的日益恶化时刻提醒人们，改变人们的能源获取方式以及提高能源利用率，保护环境和可持续发展已成为当前世人的共识。目前，在世界电力的使用结构中，大约21％的电力用于照明，其中最主要的部分用于人...
- 王文杰张荣郑有炓陈鹏于治国杨国锋谢自力陈敦军刘斌修向前韩平
- 文献传递网络资源链接
- GaN纳米柱的量子效率研究
- 2014年
- 主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率.另外,依据高低温积分PL强度比的方法计算得到激发光功率0.5mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜.
- 李扬扬陈鹏蒋府龙杨国锋刘斌谢自立修向前韩平赵红华雪梅施毅张荣郑有炓
- 关键词：量子效率
- 宽带隙半导体材料光电性能的测试
- 2011年
- 主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。
- 郭媛陈鹏孟庆芳于治国杨国锋张荣郑有炓
- 关键词：深能级束缚激子多量子阱蓝移
