您的位置： 专家智库 > >

林猛

作品数：27 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信历史地理金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇历史地理

主题

  • 23篇锗
  • 12篇界面态
  • 12篇衬底
  • 11篇态密度
  • 11篇界面态密度
  • 10篇淀积
  • 5篇化合物
  • 4篇离子
  • 4篇介质
  • 4篇介质界面
  • 4篇MOS器件
  • 3篇钝化
  • 3篇迁移率
  • 3篇界面层
  • 3篇介电
  • 3篇介电常数
  • 3篇化物
  • 3篇沟道
  • 3篇氟离子
  • 2篇电路

机构

  • 27篇北京大学

作者

  • 27篇林猛
  • 25篇黄如
  • 24篇安霞
  • 24篇张兴
  • 18篇黎明
  • 9篇刘朋强
  • 8篇李敏
  • 7篇云全新
  • 6篇李志强
  • 4篇郭岳
  • 3篇赵阳
  • 2篇王佳鑫
  • 1篇陈珙

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2001
共 27 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
锗基衬底表面钝化方法
本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移...
黄如林猛云全新李敏王佳鑫安霞黎明张兴
文献传递
一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法
本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合...
安霞黄如林猛郭岳李志强张兴
文献传递
一种锗基CMOS的制备方法
本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用不同的钝化方法处理CMOS中的NMOSFETs与PMOSFETs，即PMOSFETs中使用有利于空穴迁移率提高的GeOx(其中0<x≤2)钝化层...
黎明林猛黄如安霞张冰馨赵阳郝培霖张兴
文献传递
一种绝缘体上锗衬底的制备方法
本发明提供一种GeOI衬底制备方法，属于新型半导体材料器件领域。该GeOI衬底制备方法在制备GeOI衬底的同时，利用注入氟离子的SiO<Sub>2</Sub>，实现了锗与埋氧层界面的钝化处理，减少界面态密度，有利于提高G...
黄如林猛安霞张兴
文献传递
论古典民主与现代民主-历史视角的民主研究
林猛
关键词：古典民主现代民主社会运动民主
一种适用于锗基阱的制备方法
一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与...
黄如林猛刘朋强张冰馨安霞黎明张兴
文献传递
一种锗基CMOS的制备方法
本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的粗糙度的退化。本发明...
黄如林猛黎明安霞赵阳张冰馨刘朋强夏宇轩张兴
文献传递
一种提高金属锗化物热稳定性的方法
本发明公开了一种提高金属锗化物热稳定性的方法，属于微电子器件领域。该方法通过在锗基衬底上制备金属锗化物薄膜前，采用氮等离子体对表面进行处理，可以提高锗基衬底上金属锗化物薄膜的热稳定性，改善其表面形貌，并且与现有工艺兼容，...
安霞张冰馨黎明刘朋强林猛郝培霖黄如张兴
文献传递
淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法
本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离...
黄如林猛安霞黎明云全新李志强李敏刘朋强张兴
文献传递
一种锗基衬底的表面钝化方法
本发明公开了一种锗基衬底的表面钝化方法，属于半导体器件表面钝化方法。该方法包括：1）对半导体锗衬底表面进行清洗，以去除表面沾污和自然氧化层；2）将锗基片放入等离子体腔内；3）利用多键原子对应的反应气体产生等离子体并对锗片...
黄如云全新林猛李敏安霞黎明张兴
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0