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黎明

作品数：179 被引量：50H指数：4
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 168篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 63篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 67篇晶体管
  • 48篇半导体
  • 32篇电路
  • 31篇集成电路
  • 30篇导体
  • 30篇半导体结构
  • 28篇沟道
  • 27篇倒片
  • 23篇大规模集成电...
  • 21篇场效应
  • 21篇场效应晶体管
  • 19篇淀积
  • 19篇刻蚀
  • 19篇超大规模集成
  • 19篇超大规模集成...
  • 18篇堆叠
  • 18篇栅极
  • 18篇锗
  • 17篇纳米
  • 15篇纳米线

机构

  • 178篇北京大学
  • 2篇复旦大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇国家自然科学...
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 178篇黎明
  • 165篇黄如
  • 52篇王润声
  • 34篇张兴
  • 34篇杨远程
  • 34篇陈珙
  • 29篇安霞
  • 24篇樊捷闻
  • 18篇林猛
  • 13篇张昊
  • 13篇蔡一茂
  • 11篇刘煜
  • 10篇李敏
  • 9篇刘朋强
  • 8篇许晓燕
  • 7篇云全新
  • 7篇李佳
  • 6篇王阳元
  • 6篇李海霞
  • 5篇潘越

传媒

  • 4篇中国科学：信...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学基金
  • 1篇微纳电子与智...
  • 1篇第七届中国语...

年份

  • 50篇2024
  • 13篇2023
  • 6篇2022
  • 8篇2021
  • 7篇2020
  • 8篇2019
  • 6篇2018
  • 14篇2017
  • 21篇2016
  • 12篇2015
  • 10篇2014
  • 9篇2013
  • 6篇2012
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 3篇2003
共 179 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
自对准晶体管的制备方法、自对准晶体管、器件及设备
本申请提供一种自对准晶体管的制备方法、自对准晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底的沟道区上形成硬掩模和侧墙结构；基于硬掩模和侧墙结构，刻蚀衬底，以形成第一半导体结构；去除硬掩模，并刻蚀第一半导体结构以及衬底，以形成第一...
吴恒葛延栋卢浩然王润声黎明黄如
一种适于锗基器件的界面处理方法
本发明提供了一种适于锗基器件的界面处理方法，属于超大规模集成电路（ULSI）工艺制造技术领域。该方法采用15%～36%浓盐酸溶液去除锗基衬底表面的自然氧化层，然后用5%～10%稀盐酸溶液对表面悬挂键进行钝化，在表面形成一...
黄如李敏安霞黎明林猛张兴
文献传递
一种半导体结构及其形成方法
一种半导体结构，包括：一半导体衬底，多层超细硅线条，所述的多层超细硅线条的界面形状受衬底晶向和线条轴向晶向双重控制。形成方法包括：通过刻蚀工艺形成鱼鳍状硅岛Fin及其两端的源漏区；制备硅的腐蚀掩蔽层；形成多层超细硅线条。...
黎明杨远程樊捷闻宣浩然张昊黄如
文献传递
一种垂直纳米线晶体管的集成方法
本发明公开了一种垂直纳米线晶体管的集成方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该方法结合图形化外延和侧壁替代栅以实现垂直纳米线晶体管集成，与现有的通过刻蚀形成垂直纳米线沟道的方法相比，能...
黎明杨远程陈珙樊捷闻张昊黄如
文献传递
实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法
本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺...
黎明李敏黄如安霞张兴
一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法
本发明公布了一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法。首先在Fin条底部、顶部和侧壁形成锗扩散阻挡层，对锗硅Fin条进行氧化，利用锗硅在氧化硅上氧化时趋于形成纳米线结构的特点，在Fin条顶部和底部分别形成纳米线结...
安霞张冰馨胡向阳黎明黄如张兴
文献传递
半导体结构的制备方法及半导体结构
本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法包括：形成隔离结构，隔离结构包括第一隔离层；在隔离结构的第一侧形成逻辑电路，逻辑电路包括具有第一有源区的第一晶体管；在隔离结构的第二侧形成存储单元，存...
吴恒葛延栋卢浩然王润声黎明黄如
半导体结构及其制备方法
本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上依次形成由不同晶格常数的材料制成的第一材料层和第二材料层；刻蚀第一材料层和第二材料层，形成的鳍结构包括由刻蚀后的第一材料层形成的第一部分和由刻...
吴恒王润声黎明卢浩然黄如
堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件
本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：形成沿第一方向堆叠的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；第一晶体管中的第一栅极结构在第二方向上的长度值为第一值；基于第二有源...
吴恒刘煜卢浩然葛延栋王润声黎明黄如
半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备
本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；在有源结构上沉积绝缘材料，形成浅槽隔离结构；在浅槽隔离结构上形成硬掩模层，并以硬掩模层为掩模刻蚀浅槽隔离结构，以形成栅极凹槽；...
吴恒彭莞越葛延栋卢浩然王润声黎明黄如
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