皮孝东
- 作品数：104 被引量：50H指数：4
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金创新研究群体项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 利用等离子体制备硅纳米颗粒的方法及装置
- 本发明公开了一种利用等离子体制备硅纳米颗粒的方法及装置，包括将含有含硅气源和惰性气体的混合气体输入到等离子体腔中，在真空条件下，激发等离子体腔中的气体，使含硅气源转化形成硅纳米颗粒，硅纳米颗粒被气流携带出等离子体腔后通过...
- 皮孝东杨德仁韩庆荣
- 文献传递
- 一种掺铒硅量子点晶体材料、其制备方法及应用
- 本发明公开了一种掺铒硅量子点晶体材料、其制备方法及应用。本发明的掺铒硅量子点晶体材料的尺寸为3～5nm，其表面包含烷烃配体，所述掺铒硅量子点晶体材料为金刚石结构的晶体，所述掺铒硅量子点晶体材料晶格内的Er<Sup>3+<...
- 皮孝东王坤何强杨德仁
- 一种提高太阳电池效率的方法
- 本发明公开了一种提高太阳电池效率的方法，本方法是通过在太阳电池工作区表面附着表面经过修饰的硅量子点来实现的，其步骤为：首先对硅量子点的表面进行修饰，接着把它们分散在溶剂中制得硅墨水，在太阳电池工作区表面印刷硅墨水，从而实...
- 皮孝东李庆杨德仁
- 文献传递
- 4H碳化硅单晶中的位错被引量：1
- 2022年
- 4H碳化硅(4H-SiC)单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性,在高功率电力电子、射频/微波电子和量子信息等领域具有广阔的应用前景。经过多年的发展,6英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC单晶衬底和同质外延薄膜已得到了产业化应用。然而,4H-SiC单晶中的总位错密度仍高达10^(3)~10^(4) cm^(-2),阻碍了4H-SiC单晶潜力的充分发挥。本文介绍了4H-SiC单晶中位错的主要类型,重点讲述4H-SiC单晶生长、衬底晶圆加工以及同质外延过程中位错的产生、转变和湮灭机理,并概述4H-SiC单晶中位错的表征方法,最后讲述了位错对4H-SiC单晶衬底和外延薄膜的性质,以及4H-SiC基功率器件性质的影响。
- 杨光刘晓双李佳君徐凌波崔灿崔灿杨德仁皮孝东
- 关键词：位错单晶电学性质光学性质
- 硅量子点的太阳电池应用研究
- 致谢赵双易杨德仁教授孙宝全 教授(苏州大学 纳米与软物质学院) 陈红征 教授(浙江大学 高分子系)目录硅量子点及其太阳电池三元体异质结杂化太阳电池制备结果与讨论结论硅量子点硅量子点(Si QD):尺寸小于硅的2倍波尔半径...
- 皮孝东
- 硅纳米晶体在太阳电池中的应用被引量：1
- 2012年
- 硅纳米晶体的电子和光学特性使其在改善太阳电池的性能方面扮演着重要角色。目前,硅纳米晶体在太阳电池中应用的主要方式有利用纯硅纳米晶体薄膜制作太阳电池、硅纳米晶体与无机(氧化硅、氮化硅或碳化硅等)或有机(P3HT)薄膜基质结合构成复合结构太阳电池、硅纳米晶体与碳纳米结构(富勒烯或单壁碳纳米管)结合形成复合结构、硅纳米晶体与传统的染料敏化太阳电池结合、利用硅纳米晶体的减反射或下转换作用将硅纳米晶体与体硅太阳电池结合。硅纳米晶体也有可能在新概念太阳电池如多激子太阳电池、中间带太阳电池和热载流子太阳电池中得到应用。
- 张莉皮孝东杨德仁
- 关键词：硅纳米晶体太阳电池复合结构
- 碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展
- 2023年
- 表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料,在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛光和清洗,在4H-SiC衬底加工过程中引入的表面/亚表面损伤均严重影响材料性能、同质外延薄膜性质,以及器件性能和可靠性。本文将重点介绍4H-SiC晶片在切片、减薄、研磨、抛光等各个加工环节中表面/亚表面损伤的形成和去除机制,基于4H-SiC晶圆表面/亚表面损伤的检测方法,综述亚表面损伤的形貌和表征参量,并简单介绍三种常见的亚表面损伤的消除方法,分析其技术优势和发展瓶颈,对去除亚表面损伤工艺的发展趋势进行了展望。
- 李国峰陈泓谕杭伟韩学峰袁巨龙皮孝东皮孝东王蓉
- 关键词：半导体4H-SIC
- 基于硅量子点/有机半导体的体异质结太阳电池
- 液相法所制备的基于硅量子点和有机半导体的体异质结太阳电池,能够使硅量子点和有机半导体二者之间进行优势互补,在发挥有机物的良好成膜性能的同时,有针对性地通过硅量子点提高杂化电池在短波段的吸收,并且减少激子在分离过程中的能量...
- 赵双易皮孝东杨德仁
- 关键词：硅量子点有机半导体
- 基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法
- 本发明公开了一种基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法，该光电导探测器包括p型硅衬底、二氧化硅隔离层、顶电极、石墨烯薄膜、掺硼硅量子点薄膜和底电极；本发明光电导探测器可以进行宽光谱探测，解决了传统硅基...
- 徐杨马玲玲刘雪梅倪朕伊杜思超皮孝东
- 文献传递
- 一种抛光垫的制备方法及化学机械抛光方法
- 本申请公开了一种抛光垫的制备方法及化学机械抛光方法，将制备的含有均匀分布的磨粒的胶体倒在抛光垫本体的表面，将含有抛光垫本体和胶体一起加热，并对涂覆有胶体的抛光垫本体进行干燥，最终在抛光垫本体的表面形成胶状磨粒。在干燥过程...
- 高月皮孝东杨德仁
