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胡悦
作品数:
10
被引量:1
H指数:1
供职机构:
南京大学
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相关领域:
政治法律
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合作作者
闫锋
南京大学
夏好广
南京大学
吴福伟
南京大学
马浩文
南京大学
卜晓峰
南京大学
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南京大学
作者
9篇
胡悦
7篇
卜晓峰
7篇
马浩文
7篇
吴福伟
7篇
夏好广
7篇
闫锋
年份
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2015
1篇
2014
3篇
2013
1篇
2012
1篇
2009
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基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法
基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法,在栅极上加不同的电压脉冲,使MOSFET工作在深耗尽状态,根据所加栅极电压不同使耗尽区的深度不同,以此结合不同波长的光在硅中的穿透深度不同的原理,将入射光中的红、绿、蓝...
闫锋
卜晓峰
胡悦
吴福伟
夏好广
马浩文
文献传递
基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法
基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法,曝光成像的步骤是:在衬底加一负偏压脉冲Vb,源极或漏极的一端加一正向电压脉冲Vp且另一端浮空、或源极漏极同时加一电压压脉冲Vp,源极和漏极加上了一个大于衬底偏压的...
闫锋
马浩文
胡悦
吴福伟
夏好广
卜晓峰
文献传递
我国驰名商标保护理论在混淆与淡化之间的取舍——以264份判决书为基础
随着功能的不断发展、演变,商标已经成为人们生活中不可或缺的重要标志。驰名商标的出现与发展,也步步深入地影响着人们的生活。在法学界,驰名商标的保护理论也在不断的发展。过去,各国以混淆理论为核心,但是,随着一些新问题的出现,...
胡悦
关键词:
驰名商标
《商标法》
法律保护
基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法
基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法,曝光成像的步骤是:在衬底加一负偏压脉冲Vb,源极或漏极的一端加一正向电压脉冲Vp且另一端浮空、或源极漏极同时加一电压压脉冲Vp,源极和漏极加上了一个大于衬底偏压的...
闫锋
马浩文
胡悦
吴福伟
夏好广
卜晓峰
文献传递
通信自由、通信秘密权对应的国家义务研究
通信自由是指公民具有自由选择通信方式、通信对象、通信内容的权利;通信秘密是指公民与他人的信件、电报、电话以及电子邮件等通信载体中的一切内容,任何个人或者组织不得偷看、窃听或者未经允许采取其他方式获取。通信自由与通信秘密是...
胡悦
关键词:
国家义务
文献传递
三端复合介质栅光敏探测器及其探测方法
三端复合介质栅光敏探测器,包括P型半导体衬底(1)、在所述衬底正上方依次设有底层绝缘介质(6),光电子存储层(5),顶层绝缘介质(4),控制栅(3);P型半导体衬底中靠近叠层介质的任一侧通过离子注入掺杂形成高浓度N<Su...
闫锋
夏好广
胡悦
卜晓峰
吴福伟
马浩文
文献传递
基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法
基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法,在栅极上加不同的电压脉冲,使MOSFET工作在深耗尽状态,根据所加栅极电压不同使耗尽区的深度不同,以此结合不同波长的光在硅中的穿透深度不同的原理,将入射光中的红、绿、蓝...
闫锋
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基于超高分辨率成像芯片便携式数码显微镜
基于超高分辨率成像芯片便携式数码显微镜,包括光源、样品架和超高分辨率成像芯片及成像电路,光源、样品架和超高分辨率成像芯片及成像电路按序在一条直线上,或样品架位于光源和超高分辨率成像芯片及成像电路的下方。本实用新型用超高分...
闫锋
吴福伟
胡悦
夏好广
卜晓峰
马浩文
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三端复合介质栅光敏探测器及其探测方法
三端复合介质栅光敏探测器,包括P型半导体衬底(1)、在所述衬底正上方依次设有底层绝缘介质(6),光电子存储层(5),顶层绝缘介质(4),控制栅(3);P型半导体衬底中靠近叠层介质的任一侧通过离子注入掺杂形成高浓度N<Su...
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