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吴福伟
作品数:
36
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供职机构:
南京大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
闫锋
南京大学
夏好广
南京大学
马浩文
南京大学
卜晓峰
南京大学
胡悦
南京大学
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中文专利
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电子电信
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36篇
南京大学
作者
36篇
吴福伟
34篇
闫锋
20篇
卜晓峰
20篇
马浩文
20篇
夏好广
7篇
纪小丽
7篇
胡悦
6篇
张佳辰
6篇
司向东
3篇
徐跃
3篇
廖轶明
2篇
沈忱
2篇
张铁
1篇
周颖
1篇
吴春波
年份
2篇
2018
1篇
2017
3篇
2016
10篇
2015
4篇
2014
10篇
2013
5篇
2012
1篇
2011
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一种基于闪存工艺的三维图像传感器及其操作方法
本发明提供一种基于标准闪存工艺的三维图像传感器,所述三维传感器结构左右轴对称;包括中间衬底、分别位于中间衬底左侧的左衬底和右侧的右衬底;包括设置于左衬底上方、横跨至中间衬底左存储区上方的左浮栅层,所述左浮栅层上方设置有左...
闫锋
吴福伟
纪小丽
文献传递
复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法
本发明公开了一种复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法,具体过程如下:通过FN隧穿的方法将阵列中所有像元的阈值电压先注入提高到3V左右,再用FN方式使电压降低到0.5V左右,最后再通过FN隧穿注入的方式把成像阵列中所...
司向东
闫锋
吴福伟
夏好广
马浩文
卜晓峰
刘佰清
一种基于光学天线的太赫兹探测器
一种基于光学天线的太赫兹探测器,包括多晶硅材料层制成的光学天线、晶体管或场效应管;光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端,天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100~500nm,光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准工艺中...
闫锋
吴福伟
纪小丽
文献传递
基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法
基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法,在栅极上加不同的电压脉冲,使MOSFET工作在深耗尽状态,根据所加栅极电压不同使耗尽区的深度不同,以此结合不同波长的光在硅中的穿透深度不同的原理,将入射光中的红、绿、蓝...
闫锋
卜晓峰
胡悦
吴福伟
夏好广
马浩文
文献传递
PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器
PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器,探测器结构包括硅(Si)衬底(1),衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2),体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4),在源极漏极分界处源极一侧正上方从...
闫锋
夏好广
卜晓峰
徐跃
吴福伟
马浩文
文献传递
基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法
基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法,复合介质栅MOSFET光敏探测器单元结构包括:P型半导体衬底(<B>1</B><B>),</B>半导体衬底正上方依次设有底层绝缘介质(<B>5</B><B>)</B>...
闫锋
马浩文
吴福伟
夏好广
卜晓峰
文献传递
内置负反馈金属-半导体-金属结构紫外光单光子探测器
一种内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器,每个探测器从下至上包括衬底,衬底上可以生长缓冲层,衬底或缓冲层上是n型半导体,n型半导体上面是叉指状薄膜电阻,阳极电极淀积在薄膜电阻上形成阳极电极,最上层是叉指状电极,...
闫锋
吴福伟
文献传递
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器,每个单元探测器都是由两个晶体管构成,利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管:两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料(1)上方,两...
闫锋
马浩文
沈忱
卜晓峰
吴福伟
夏好广
张佳辰
文献传递
一种基于闪存工艺的三维图像传感器及其操作方法
本发明提供一种基于标准闪存工艺的三维图像传感器,所述三维传感器结构左右轴对称;包括中间衬底、分别位于中间衬底左侧的左衬底和右侧的右衬底;包括设置于左衬底上方、横跨至中间衬底左存储区上方的左浮栅层,所述左浮栅层上方设置有左...
闫锋
吴福伟
纪小丽
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紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及雪崩管成像阵列
本发明涉及紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及由其组成的雪崩管成像阵列。所述紫外光雪崩管成像阵列像元由多个雪崩管探测器并联而成,所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序连接而成,每个雪崩管探测器中,光电二极管...
吴福伟
闫锋
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