艾立鹍
- 作品数：31 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究
- 稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小...
- 周书星艾立鹍徐安怀王庶民齐鸣
- 不同能量和注量电子辐照对InP HEMT材料电学特性影响被引量：1
- 2021年
- 本文采用气态源分子束外延法(GSMBE)制备了匹配型InGaAs/InAlAs磷化铟基高电子迁移率器件(InP HEMT)外延结构材料。针对该外延结构材料开展了不同能量和注量电子束辐照试验,测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气(2DEG)辐照前后的电学特性,获得了辐照前后InP HEMT外延材料二维电子气浓度和迁移率归一化退化规律,分析了不同能量和注量电子束辐照对外延材料电学特性的影响。结果发现:在相同辐照注量2×10^(15) cm^(-2)条件下,电子束辐照能量越高,InP HEMT外延材料电学特性退化越严重;1.5 MeV电子束辐照时,当辐照注量超过4×10^(14) cm^(-2)后,外延材料电学特性开始明显退化,当电子辐照注量达到3×10^(15) cm^(-2)后,外延材料电学特性退化趋势减弱趋于饱和。产生上述现象原因如下:电子束与材料晶格发生能量传递,产生非电离能损(NIEL),破坏晶格完整性,高能量电子束具有较高的非电离能损,会产生更多的位移损伤缺陷,导致InP HEMT外延材料电学特性更严重退化;InP HEMT外延材料电学特性主要受沟道InGaAs/InAlAs异质界面能带结构和各种散射过程影响,随着电子辐照注量的增加,位移损伤剂量增大,辐射损伤诱导缺陷会在沟道异质界面处集聚直至饱和。
- 周书星方仁凤陈传亮张欣魏彦锋曹文彧类淑来艾立鹍
- 关键词：二维电子气电子辐照
- fmax=521GHz的InP基In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMT器件
- InP基HEMT器件因其高载流子浓度和高电子迁移率,是目前截止频率最高的固态三端电子器件[1],加之其良好的低噪声特性,是目前发展固态太赫兹电路的主流方向[2].本文中,栅宽为50 μm×2的InP基HEMT器件的外延结...
- 丁芃汪丽丹陈欣璐张毕禅苏永波艾立鹍徐安怀金智
- 重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性被引量：1
- 2007年
- 以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V.s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.
- 孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍朱福英
- 关键词：异质结双极晶体管INPGAASSB碳掺杂气态源分子束外延
- 采用步进式光刻技术研制的fmax>600GHz InP DHBT共基极多指器件
- InP HBT器件以其自身材料特性,如能带结构丰富、电子迁移率高、饱和漂移速度大等特点,非常适合于超高频器件和电路的应用.国外多家研究机构在外延层生长工艺、器件工艺以及电路设计研制等方面展开了深入的研究[1],国际上In...
- 苏永波张毕禅丁芃艾立鹍徐安怀金智
- InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究
- 通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ2'InP基HBT和φ4'InGaP/GaAs HBT外...
- 齐鸣徐安怀艾立鹍孙浩朱福英
- 关键词：INP基INGAPGAASHBT材料
- 文献传递
- 50μm InP背孔技术的DHBT器件
- InP背孔技术是实现高性能W波段InP MMIC的核心技术,电路的内匹配、散热等问题可以由背孔技术获得完美的解决方案[1].背孔作为芯片顶层器件和金属地的连接部分,主要起电连接作用,同时背孔接地,并起到良好的热传导作用,...
- 张毕禅苏永波艾立鹍徐安怀金智
- 带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究被引量：1
- 2008年
- 设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。
- 艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣
- 关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延磷化铟
- InGaAsBi的分子束外延生长与碳掺杂研究
- InGaAsBi是一种新型的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料,它的一些特殊性质可用于HEMT等电子和光电子器件.重点研究了InGaAsBi材料的GSMBE生长及其特性,特别是衬底生长温度、CBr4压力和Bi炉温度对InGaAsBi...
- 李家恺艾立鹍徐安怀王庶民齐鸣
- 关键词：分子束外延生长碳掺杂表面形貌化学特性电学特性
- 气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料
- 齐鸣徐安怀陈晓杰朱福英艾立鹍李爱珍李存才胡建
- 解决了GSMBE生长InGaP/GaAs HBT外延材料的关键科学和技术问题，建立了稳定优化的GSMBE生长工艺，研制出性能优良的4英寸InGaP/GaAs HBT材料。所发展的超薄层异质外延材料技术，在InGaP/Ga...
- 关键词：
- 关键词：GSMBE
