您的位置： 专家智库 > >

葛微微

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇氧化层
  • 1篇致密
  • 1篇致密性
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇钛酸锶钡
  • 1篇耐压
  • 1篇结终端
  • 1篇击穿电压
  • 1篇功率器件
  • 1篇高耐压
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体功率器...
  • 1篇SIO2
  • 1篇4H-SIC

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇葛微微
  • 2篇张国俊
  • 2篇王姝娅
  • 2篇钟志亲
  • 2篇戴丽萍
  • 1篇孙子茭

传媒

  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
高耐压LDMOS器件结构的设计研究
LDMOS器件是高压集成电路中广泛应用的高压器件，其主要的性能指标是击穿电压和导通电阻，如何从新材料、新结构、新工艺的方向来实现两者的优化折中是现今研究设计的热点。本文从新结构的角度出发，研究分析了三种高压LDMOS器件...
葛微微
关键词：LDMOS器件击穿电压导通电阻
Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究
2014年
在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO2薄膜进行了1 100℃以下不同温度的退火,采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明,600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示,600℃退火后LO峰强度最强,认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO2/SiC MOS结构SiO2的漏电特性研究表明,600℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。在外加反向偏压5 V时,漏电流密度仅仅只有5×10?8 A/cm2。600℃退火能显著地改善热氧化层SiO2的致密性。
钟志亲孙子茭葛微微郑禄达王姝娅戴丽萍张国俊
关键词：4H-SIC退火温度致密性SIO2
覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究被引量：4
2012年
通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50%。这证明BST膜能够提高器件的击穿电压。
葛微微张国俊钟志亲王姝娅戴丽萍
关键词：半导体功率器件结终端场限环
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0