董志远
- 作品数：56 被引量：79H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程金属学及工艺更多>>
- 升华法生长大尺寸AlN体单晶材料
- 赵有文董志远魏学成李晋闽
- 文献传递
- 气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制
- 本文对化学气相传输法(CVT)生长ZnO单晶的传输过程、动力学和生长机理进行了研究.分析了CVT法的传输机理、效率以及温场对传输速率和晶体生长的影响.利用气相-固相单晶成核和生长动力学理论研究了制约单晶生长速度和晶体质量...
- 魏学成赵有文董志远李晋闽
- 关键词：ZNO单晶动力学
- 文献传递
- 化合物InP、GaSb和InAs单晶材料的缺陷控制及高质量衬底制备
- 赵有文孙文荣段满龙董志远杨子祥王应利
- 文献传递
- 物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征被引量：4
- 2007年
- 利用物理气相传输法生长了直径40～50mm、厚约8～10mm的AlN多晶锭，最大晶粒尺寸为5mm,用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性．分析了不同温度下AlN晶体的导电特性，并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0．98eV的深能级缺陷．结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响．
- 董志远赵有文魏学成李晋闽
- 关键词：ALN
- 磷化铟中与非化学配比有关的缺陷的研究
- 该论文的主要工作是研究磷化铟材料中与化学配比有关的缺陷的产生和抑制现象,在此基础上揭示了磷化铟材料中一些缺陷的结构属性和形成机理.通过研究纯磷气氛和磷化铁气氛下退火处理后的磷化铟材料中深能级缺陷,首次明确地证明了在符合化...
- 董志远
- 关键词：INP退火
- 动态控制高温炉内压力的方法
- 本发明涉及新材料技术领域，特别是一种在高温升华法生长AlN体单晶的过程中，精确动态地控制高温炉内压力的方法。本方法的具体步骤为：在升温过程中，使压力电子控制器和微压压力变送器处于关闭状态，打开质量流量计并设定一定的流量。...
- 董志远赵有文杨俊段满龙
- 文献传递
- InP中深能级缺陷的产生与抑制现象被引量：7
- 2007年
- 研究了原生和高温退火处理后非掺n型和半绝缘InP单晶材料中产生的缺陷.在磷气氛下退火后,n型和半绝缘InP单晶中均明显产生相当数量的深能级缺陷,而在磷化铁气氛下退火后,InP的缺陷数量明显减少.在退火过程中缺陷的产生与磷和铁的内扩散有直接关系.向内扩散的磷原子和铁原子占据晶格中铟位后,分别产生反位缺陷和铁深受主.实验结果表明,铁通过扩散充分占据了铟位,抑制了铟空位、磷反位等缺陷的形成,而磷气氛下退火后产生的缺陷有铟空位、磷反位等.对InP中的缺陷属性进行了分析.
- 赵有文董志远
- 关键词：磷化铟退火
- 半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿被引量：3
- 2006年
- 比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的“踢出-替位”机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好.
- 苗杉杉赵有文董志远邓爱红杨俊王博
- 关键词：INP退火半绝缘
- 磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响被引量：3
- 2007年
- 高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后InP材料的性质和缺陷.结果表明受高温热激发作用部分铁原子由替位转变为填隙,导致InP材料缺少深能级补偿中心而发生导电类型转变.通过比较掺杂、扩散和离子注入过程Fe原子的占位和激活情况分析了这一现象的机理和产生原因.
- 赵有文苗杉杉董志远吕小红邓爱红杨俊王博
- 关键词：磷化铟退火半绝缘
- 高质量InAs单晶材料的制备及其性质被引量：4
- 2006年
- 利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).
- 赵有文孙文荣段满龙董志远杨子祥吕旭如王应利
- 关键词：砷化铟掺杂抛光
