杨俊
- 作品数：40 被引量：30H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生文化科学更多>>
- 一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法
- 本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法，包括：S1，将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离，得到砷化铟单晶片；S2，对砷化铟单晶片进行研磨；S3，采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理；S...
- 刘丽杰赵有文王俊王应利杨俊卢伟卢超
- 磷扩散氧化锌单晶的性质(英文)
- 2008年
- 分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单晶进行闭管磷扩散.通过Hall测试、X射线光电子谱（XPS）、光致发光（PL）以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析.发现扩散掺杂后的ZnO单晶仍显示n型导电性,自由电子浓度比非掺样品增高,在800℃扩散后尤为明显.PL测试结果表明,掺杂样品在420-550nm范围的可见光发射与缺陷有关.XPS测试表明：在550℃掺杂,P原子更易代替Zn位;在800℃扩散时,P未占据Zn位,而似乎占据了O位.最终在磷扩散后的ZnO单晶中形成了高浓度的浅施主缺陷,造成了自由电子的显著增加.
- 张瑞张璠赵有文董志远杨俊
- 关键词：扩散ZNO红磷
- 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法
- 本发明涉及新材料技术领域，特别是利用闭管式化学气相传输法生长氧化锌(ZnO)体单晶的过程中，生长出可控掺杂的氧化锌体单晶的方法。闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法是在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源及少量的高...
- 董志远赵有文杨俊段满龙
- 文献传递
- 掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究被引量：2
- 2008年
- 采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃.与非掺ZnO单晶相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高.X射线光电子能谱(XPS)测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙位置,形成了施主.利用光致发光谱(PL)测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光,该蓝色荧光与浅施主有关.这些结果表明在高温生长条件下,掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷,因而难以获得p型材料.
- 张瑞张璠赵有文董志远杨俊
- 关键词：ZNO单晶掺杂
- 一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法
- 本发明提供一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法，包括：将抛光后砷化铟晶片进行预处理，得到预处理后的抛光后砷化铟晶片；将预处理后的抛光后砷化铟晶片置于第一腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟...
- 冯银红沈桂英赵有文杨俊谢辉刘京明
- 对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法
- 本公开提供一种对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法，该检验方法包括：S1，将砷化铟衬底置于柠檬酸溶液中进行第一次腐蚀，再用去离子水冲洗；其中，砷化铟衬底表面形成有自然氧化层；S2，将S1所得的砷化铟衬底...
- 刘丽杰赵有文王俊王应利杨俊卢伟刘京明卢超谢辉
- 含氨基羧酸酰胺结构的丙泊酚酯类衍生物、制备方法及其用途
- 含氨基羧酸酰胺结构的丙泊酚酯类衍生物、制备方法及其用途。所说衍生物的结构如式（Ⅰ），式中的M为H、NH<Sub>4</Sub>或药学中可以接受的碱金属元素或碱土金属元素，n=1~3，m=1~7，x=1/2~1。以2,6-...
- 郑虎翁玲玲刘进张文胜杨俊
- 文献传递
- PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析
- 我们用钨丝网加热物理气相传输法(PVT)制备了直径45-50毫米的氮化铝(AlN)晶体。通过湿法腐蚀,X-射线双晶衍射(XRD),电子能量色散X-射线荧光光谱(EDX)和红外吸收谱对大尺寸AlN单晶晶粒的完整性、杂质及缺...
- 董志远赵有文杨俊胡炜杰
- 关键词：湿法腐蚀单晶生长
- 文献传递
- 砷化铟晶体合成生长装置及方法
- 本发明提供一种砷化铟晶体合成生长装置及方法，装置包括：旋转升级系统；石英合成生长管，设置于旋转升级系统上，用于提供真空环境，旋转升级系统用于控制石英合成生长管的旋转及升降；第一坩埚，设于石英合成生长管内部靠近旋转升级系统...
- 刘京明杨俊卢伟王凤华谢辉沈桂英赵有文
- 我国高校人力资源开发与管理问题研究
- 高校作为汇集人才的高地和人才培养的重要基地，承担着人才培养、知识创新和社会服务的重要任务，其自身的人才资源决定着人才培养的质量，而高校人力资源整体素质的提高很大程度上取决于人力资源开发和管理水平。虽然，20世纪90年代后...
- 杨俊
- 关键词：高校人力资源人力资源开发与管理
- 文献传递
