您的位置: 专家智库 > >

董红星

作品数:18 被引量:23H指数:4
供职机构:陕西师范大学化学化工学院陕西省大分子科学重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇会议论文
  • 8篇期刊文章

领域

  • 11篇一般工业技术
  • 10篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 12篇氧化铟
  • 8篇自组装
  • 6篇纳米
  • 6篇发光
  • 5篇光致
  • 5篇光致发光
  • 5篇发光性
  • 4篇光性质
  • 4篇IN2O3
  • 3篇发光性质
  • 2篇形貌
  • 2篇纳米线
  • 2篇八面体
  • 2篇不同形貌
  • 2篇Z
  • 1篇单质
  • 1篇氧化镓
  • 1篇原位合成
  • 1篇原位生长
  • 1篇气相沉积

机构

  • 18篇陕西师范大学
  • 4篇咸阳师范学院
  • 2篇西安理工大学

作者

  • 18篇杨合情
  • 18篇董红星
  • 14篇尹文艳
  • 4篇陈晓波
  • 4篇杨文玉
  • 4篇张瑞刚
  • 3篇宋玉哲
  • 3篇杨瑞丽
  • 2篇李丽
  • 2篇陈迪春
  • 2篇王明珍
  • 1篇杨振
  • 1篇余杰
  • 1篇张建英
  • 1篇王林芳
  • 1篇刘瑞妮
  • 1篇王勇
  • 1篇郑海荣
  • 1篇焦华

传媒

  • 2篇化学学报
  • 2篇陕西师范大学...
  • 2篇第11届全国...
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学(B...
  • 1篇化学进展
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇2006第五...
  • 1篇第六届中国纳...
  • 1篇中国化学会第...
  • 1篇中国化学会第...
  • 1篇第14届全国...
  • 1篇中国化学会第...
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 5篇2008
  • 9篇2007
  • 4篇2006
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氧化铟金属铟纳米结构单元的制备与自组装
本文提出了一种新的氧化铟纳米结构单元的制备方法,即通过金属的热氧化反应在金属铟的表面生长氧化铟纳米结构的方法,如果不用催化剂在金属铟上可制备出氧化铟纳米片和八面体结构,若以金作催化剂可得到氧化铟纳米线、纳米锥和直立纳米针...
杨合情董红星尹文艳
关键词:氧化铟自组装
文献传递
单质铟在空气中原位热氧化合成氧化铟纳米锥
2007年
以Au作催化剂,将金属铟在空气中加热到900-1000℃,在单质铟表面制备出In2103纳米锥.纳米锥的直径随着加热时间的延长和反应温度的升高而增加.采用拉曼光谱、扫描电镜和透射电子显微镜对产物进行了表征分析.结果表明,产物为立方相单晶结构的In2O3纳米锥,其直径和高度分别在0.08~0.7μm和0、5~3.1μm范围可调,且金作为催化剂在纳米锥的生长过程中起了非常重要的作用.基于此研究结果。
王勇尹文艳董红星杨文玉王明珍杨合情
关键词:IN2O3
氧化铟纳米结构的制备与控制
氧化铟是非常重要的宽带透明半导体,由于其独特的光学、化学和电子学性质,在化学传感、太阳能电池、执行器、光电子和平板显示等领域具有广泛的应用。自从王中林教授等 [1]首次发现 In_2O_3、ZnO 等氧化物纳米带以来,氧...
杨合情董红星尹文艳
关键词:氧化铟自组装
CdSe纳米结构单元的制备与自组装被引量:3
2006年
纳米CdSe作为一种重要的半导体纳米材料,在发光二极管、生物标记、太阳能电池等领域有着广泛的应用。本文综述了CdSe纳米结构单元制备与自组装的最新研究进展。归纳出了6种有代表性的制备与组装方法,详细介绍了这些方法的原理以及采用这些方法制备的CdSe纳米结构。最后,对这一领域的发展方向作了展望。
董红星杨振杨文玉尹文艳宋玉哲杨合情
关键词:CDSE自组装
铟颗粒上具有不同直径氧化铟纳米锥的原位合成与光致发光特性被引量:4
2008年
以Au作催化剂,通过金属铟与氧气在850~1000℃的氧化反应,在单质铟表面原位大面积生长出了In2O3纳米锥.通过反应温度的改变实现了纳米锥的可控合成.采用激光拉曼光谱、X射线衍射、扫描电镜和透射电镜对产物进行了表征分析.结果表明,纳米锥为立方相单晶结构的In2O3,其直径和高度分别在0.1~0.6μm和0.2~2.9μm范围内可调控.提出了In2O3纳米锥可能的生长机理.在室温下研究了它们的发光性质,发现了发光峰位于416和439nm强的蓝光发光,这一蓝光发光起源于氧化铟纳米锥中氧空位中的电子与铟-氧空位中心中的空穴之间的复合.
董红星杨合情余杰张瑞刚尹文艳杨文玉王明珍
关键词:IN2O3光致发光
氧化铟纳米结构的制备与控制
氧化铟是非常重要的宽带透明半导体,由于其独特的光学、化学和电子学性质,在化学传感、太阳能电池、执行器、光电子和平板显示等领域具有广泛的应用。自从王中林教授等[1]首次发现 InO、ZnO 等氧化物纳米带以来,氧化铟纳米结...
杨合情董红星尹文艳
文献传递
氧化铟纳米结构的制备与控制
氧化铟是非常重要的宽带透明半导体,由于其独特的光学、化学和电子学性质,在化学传感、太阳能电池、执行器、光电子和平板显示等领域具有广泛的应用。本文提出了一种新的制备方法,即通过金属铟的原位热氧化反应在金属铟的表而生长出氧化...
杨合情董红星尹文艳
关键词:氧化铟自组装
文献传递
氧化铟八面体、纳米带、锯齿状纳米线和纳米链的可控合成被引量:10
2007年
在N2/H2O混合气流中将硅片上金覆盖的金属铟颗粒加热到800℃制备出了不同形貌的In2O3纳米结构,在距铟源不同距离处依次得到In2O3的八面体、纳米带、锯齿状纳米线和纳米链.采用拉曼光谱、扫描电镜、X射线衍射和透射电镜对产物进行了表征分析.结果表明,八面体、纳米带、锯齿状纳米线和纳米链均为立方相单晶结构的In2O3.基于气-固和气-液-固生长机理详细分析了八面体、纳米带、锯齿状纳米线和纳米链的生长过程,提出了不同形貌In2O3纳米结构的生长模式.
董红星杨合情尹文艳杨文玉王林芳
关键词:IN2O3八面体
氧化铟纳米结构的制备与控制
氧化铟是非常重要的宽带透明半导体,由于其独特的光学、化学和电子学性质,在化学传感、太阳能电池、执行器、光电子和平板显示等领域具有广泛的应用。本文提出了一种新的制备方法,即通过金属铟的原位热氧化反应在金属铟的表面生长出氧化...
杨合情董红星尹文艳
关键词:氧化铟自组装化学气相沉积
文献传递
GeO2纳米线的原位热氧化法制备与发光性质被引量:4
2008年
以Au作催化剂通过金属锗与纯氧在600~800℃的氧化反应,在单质锗表面原位大面积生长出了GeO2纳米线.采用X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜对产物进行了表征分析.结果表明,GeO2纳米线为六方相单晶结构,其直径在65~600nm范围内,长度达50gm.研究了反应温度和喷金时间对纳米线直径的影响,提出了可能的生长机理.实现了不同直径GeO2纳米线的可控合成.发现发光峰位于355nm强的紫外光发光和发光峰位于400nm和485nm弱的蓝光发光,这两种发光可能分别起源于GeO2纳米线中氧空位与间隙氧之间的跃迁和氧空位中的电子与锗.氧空穴中心的空穴复合.
陈晓波杨合情张瑞刚杨瑞丽董红星尹文艳宋玉哲陈迪春
关键词:光致发光
共2页<12>
聚类工具0