许仕龙
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金科技部基础研究重大项目前期研究专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信更多>>
- Si衬底上La0.8Sr0.2MnO3/SrMnO3双层结构研究
- 2004年
- 利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散射(RBS)分析了LSMO/SMO间的界面情况.结果表明:以SMO作为单一缓冲层时,不仅可以实现LSMO薄膜在Si(100)衬底上的(110)面的择优生长,而且LSMO/SMO的界面扩散现象也不明显.
- 杜永胜王波许仕龙于敦波李彤严辉张深根
- 高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征被引量：1
- 2005年
- 运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响进行了研究。采用傅立叶红外光谱 (FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱 (XPS)和原子力显微镜 (AFM )对c -BN薄膜进行了表征和分析。结果表明 :30 0W的射频功率是制备c -BN薄膜的最佳条件 ;当气体分压比Ar/N2 =5 1时 ,制备的薄膜中c -BN含量相对最高 ;立方氮化硼的形成存在偏压阈值 (约 80V ) ,低于此偏压c -BN很难形成。拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构。AFM和XPS分析结果表明c -BN薄膜结晶良好 ,晶粒尺寸细小 ,具有很好的化学配比 ,B原子与N原子的含量比为 1l。
- 蔡志海杜玉萍谭俊张平赵军军黄安平许仕龙严辉
- 关键词：立方氮化硼薄膜射频磁控溅射拉曼光谱分析
- LSMO薄膜磁控溅射制备及磁学性能研究
- 镧系稀土锰氧化物La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>(LSMO)具有天然钙钛矿晶体结构,理想LSMO是立方结构,但通常都畸变成正交结构或菱形结构.由于其具有庞磁电阻(CMR)效应,使得其在信息技术领域有着广阔的应用...
- 许仕龙
- 关键词：射频溅射自旋玻璃态
- 文献传递
- Si衬底上SrMnO_3缓冲层对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜择优取向生长的影响被引量：1
- 2004年
- 利用磁控溅射方法在 (1 0 0 )Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层 ,再沉积得到了 (1 1 0 )择优取向生长的La0 .8Sr0 .2 MnO3(LSMO)薄膜。利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响。结果表明 :当沉积温度为 60 0℃时 ,增加缓冲层SMO的厚度 ,LSMO薄膜的取向性变好 ;当缓冲层SMO厚度为 45nm时 ,LSMO薄膜基本具有 (1 1 0 )取向生长的特征。进一步的工作证实 :提高沉积温度 ,能够显著增加SMO缓冲层的晶粒大小 ,并减少LSMO薄膜择优取向生长所需的缓冲层厚度 ;当沉积温度为 80 0℃时 ,由于类退火作用的存在 ,厚度为 1 0nm的SMO缓冲层就可以实现LSMO薄膜择优取向的生长。
- 杜永胜王波许仕龙于敦波李彤严辉张深根
- 衬底负偏压对溅射Ta_2O_5薄膜晶化温度及介电性能的影响被引量：3
- 2004年
- 采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta_2O_5薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta_2O_5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性。同时,C—V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta_2O_5薄膜的介电性能.
- 许仕龙朱满康黄安平王波严辉
- 关键词：TA2O5晶化温度
