黄安平
- 作品数：10 被引量：13H指数：3
- 供职机构：北京工业大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- BN薄膜的高温诱导取向生长
- 本文利用感应耦合式等离子体化学气相沉积(PECVD)在Si(100)衬底上制备BN薄膜.反应气体为硼烷(BH)和氮气(N),控制一定的分压比和工作气压,射频功率为100W,衬底温度在500℃到1000℃之间变化.主要研究...
- 王玫张德学黄安平王如志李健超王波严辉
- 关键词：氮化硼
- 文献传递
- 磁控溅射A1N薄膜的制备及其结构特性研究
- 通过磁控溅射系统,在单晶硅片上制备了六角氮化铝薄膜;改变溅射气压,也得到了垂直基底与平行基底的两种取向;取向生长的原因在于溅射气压将影响溅射粒子的能量,从而导致溅射过程中出现不同的沉积方式.
- 王波王如志黄安平严辉
- 关键词：磁控溅射AFM溅射气压压电材料
- 文献传递
- 高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征被引量：2
- 2005年
- 运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响进行了研究。采用傅立叶红外光谱 (FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱 (XPS)和原子力显微镜 (AFM )对c -BN薄膜进行了表征和分析。结果表明 :30 0W的射频功率是制备c -BN薄膜的最佳条件 ;当气体分压比Ar/N2 =5 1时 ,制备的薄膜中c -BN含量相对最高 ;立方氮化硼的形成存在偏压阈值 (约 80V ) ,低于此偏压c -BN很难形成。拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构。AFM和XPS分析结果表明c -BN薄膜结晶良好 ,晶粒尺寸细小 ,具有很好的化学配比 ,B原子与N原子的含量比为 1l。
- 蔡志海杜玉萍谭俊张平赵军军黄安平许仕龙严辉
- 关键词：立方氮化硼薄膜射频磁控溅射拉曼光谱分析
- 磁控溅射AlN薄膜的制备及其结构特性研究
- 通过磁控溅射系统,在单晶硅片上制备了六角氮化铝薄膜;改变溅射气压,也得到了垂直基底与平行基底的两种取向;取向生长的原因在于溅射气压将影响溅射粒子的能量,从而导致溅射过程中出现不同的沉积方式.
- 王波王如志黄安平严辉
- 关键词：磁控溅射AIN薄膜AFM溅射气压
- 文献传递
- AlN/Si衬底上ZnO薄膜的择优取向生长
- 2004年
- 当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的衬底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积AlN作为ZnO薄膜生长的缓冲层,获得了择优取向的ZnO薄膜.我们还讨论了ZnO薄膜在AlN/Si衬底上的取向生长机理.
- 王磊冷杉王波黄安平李小换朱满康严辉
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射
- AlN/Si衬底上ZnO薄膜的择优取向生长
- 当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的村底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积Al...
- 王磊冷杉王波黄安平李小换朱满康严辉
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射
- 文献传递
- 纳米碳化硅（SiC）薄膜结构与溅射参数的关系
- 本实验采用射频磁控溅射方法,在高阻单晶Si（100）衬底上制备出了纳米SiC薄膜。采用高分辨原子力显微镜（AFM）,观察到在合适条件下沉积的SiC薄膜是由纳米尺寸的SiC晶粒构成,这与红外光谱（FTIR）的结果相吻合。改...
- 王玫黄安平张德学宋雪梅王波严辉廖波
- 关键词：纳米SIC薄膜FTIRAFM
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- 衬底负偏压对溅射Ta_2O_5薄膜晶化温度及介电性能的影响被引量：3
- 2004年
- 采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta_2O_5薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta_2O_5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性。同时,C—V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta_2O_5薄膜的介电性能.
- 许仕龙朱满康黄安平王波严辉
- 关键词：TA2O5晶化温度
- 溅射气压和沉积时间对c-BN薄膜结构的影响被引量：6
- 2002年
- 采用磁控反应溅射方法，在Ｓｉ（１００）衬底上沉积ｃＢＮ薄膜，研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响。结果表明，随溅射气压的升高或沉积时间的增加，都是削弱荷能粒子对衬底表面的轰击效果，并导致薄膜中ｃＢＮ相含量的减小。
- 王波王玫张德学黄安平宋雪梅邹云娟严辉
- 关键词：立方氮化硼红外光谱溅射气压
- 反应溅射沉积高介电Ta/_2O/_5薄膜研究
- 随着超大规模集成电路的快速发展，器件的特征尺寸在不断缩小，特别是
到 0.1μm 尺寸范围时，如仍采用 SiO2//SiONx作为栅介质材料，将会导致栅压对
沟道控制能力的减弱和器件功...
- 黄安平
- 关键词：TA2O5界面层
- 文献传递
