银军
- 作品数：55 被引量：41H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术建筑科学更多>>
- 1 GHz~4 GHz 200 W超宽带GaN内匹配功率放大器的研究
- 2024年
- 采用砷化镓无源集成电路(GaAs IPD)和陶瓷薄膜无源电路相结合的匹配技术,实现覆盖L波段、S波段的超宽带功率放大器的内匹配设计。功率放大器集成封装于内腔尺寸为30.6 mm×27.3 mm×5.0 mm的金属陶瓷气密管壳内,实现在1 GHz~4 GHz频段内、工作电压为48 V、占空比为10%、脉宽为100μs的条件下,带内输出功率大于220 W、功率增益达9.5~10.8 dB、附加效率达43%~55%的性能指标。
- 吴志国银军余若褀闫国庆王毅倪涛斛彦生
- 关键词：内匹配超宽带
- 一种快前沿大电流脉冲调制器电路及脉冲调制器
- 本发明公开了一种快前沿大电流脉冲调制器电路及脉冲调制器，该大电流脉冲调制器电路包括电流源单元、开关单元、储能单元和负载单元，所述的开关单元由一组或者多组半导体开关组成，所述得电流源可以为恒流源或者脉冲电流源，所述的电流源...
- 刘震银军张小宁余若祺李剑锋倪涛黄旭徐森锋盛百城张军
- L波段GaN HEMT器件的研制被引量：3
- 2014年
- 基于标准工艺自主研制了L波段0．5μm栅长的GaNHEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸（1英寸=2．54cm）SiC衬底上生长的A1GaN／GaN异质结外延材料，通过欧姆接触工艺的改进将欧姆接触电阻值控制在了0．4Ω·mm以内，采用场板技术提高了器件击穿电压，采用高选择比的刻蚀工艺得到了一定倾角的通孔，提高了器件的散热能力及增益。结果表明，采用该技术研制的两胞内匹配GaNHEMT器件在工作频率1．5～1．6GHz下，实现了输出功率大于66W、功率增益大于15．2dB、功率附加效率大于62．2％。
- 闫锐银军崔玉兴张力江付兴昌高学邦吴洪江蔡树军杨克武
- 关键词：GAN内匹配L波段功率
- 功率半导体器件制作方法及功率半导体器件
- 本发明适用于半导体及微电子技术领域，提供了一种功率半导体器件制作方法及功率半导体器件，包括：对基板双面金属化，其中基板正面形成三个金属化区域，并在所述基板的正面三个金属化区域表面分别粘接热沉片；将所述基板的背面粘接在金属...
- 段雪洪求龙银军李明磊黄雒光张志国高永辉徐会博
- 文献传递
- C波段固态功率放大器的研制及其可靠性验证
- 2022年
- 为了满足卫星通信大功率、高线性的特殊需求,研制了一款C波段70 W高线性大功率固态功率放大器(SSPA)。通过改进芯片材料结构、器件的匹配状态及工作状态,建立了器件的非线性模型,在满足功率和效率的基础上,实现了功率器件线性指标的提高。在SSPA中设计了场效应晶体管(FET)预失真电路,改善了SSPA的线性化指标,在输入功率回退2~10 dB区间实现了5~7 dB的三阶互调改善,满足了系统的使用要求。预失真电路在长寿命航天器中应用较少,同时C波段70 W SSPA输出功率较大,存在输出功率降低的风险,为此进行了等效在轨工作15年加速寿命试验验证。在整个寿命试验周期内,输出功率大于70 W,三阶互调优于-20 dBc,验证了SSPA长期工作的可靠性。
- 王忠牛赫一银军刘辰熙李用兵
- 关键词：三阶互调
- 功率器件制备方法
- 本发明适用于功率器件技术领域，提供了一种功率器件制备方法，本方法将所述预失真电路和所述阻抗变换器集成形成单片微波集成电路，并结合功率芯片内匹配设计实现高线性度功率器件，有效解决了采用常规方法设计的功率器件存在大功率、高效...
- 吴家锋赵夕彬段雪银军黄雒光
- 文献传递
- UHF频段350 W超宽带小型化GaN功率放大器设计
- 2023年
- 采用50 V氮化镓(GaN)芯片,设计一款超高频(UHF)频段350 W超宽带小型化GaN功率放大器。基于砷化镓(GaAs)无源工艺,设计芯片化的输入集成无源器件(IPD)匹配电路;基于高热率的瓷片,设计集成的“L”型瓷片预输出匹配,以及基于高介电常数的印刷电路板(PCB)板材,设计外输出匹配电路,从而实现输出匹配电路的宽带小型化。采用混合集成工艺实现小型化高密度集成,功率放大器体积为25 mm×25 mm×7 mm。经测试,功率放大器在频带为0.3 GHz~0.7 GHz、电压为50 V、脉宽为100μs、占空比为10%、输入功率为15 W的工作条件下,实现了带内输出功率大于350 W、功率增益大于13.5 dB、功率附加效率大于50%的性能指标。
- 张晓帆银军倪涛余若祺高永辉林正兆
- 关键词：超宽带GAN小型化功率放大器UHF
- 基于非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器被引量：1
- 2022年
- 耦合光电振荡器利用有源再生主动锁模技术极大地缩短了光纤环腔长度,有效提升了低相噪光电振荡器的集成度与稳定性。针对传统耦合光电振荡器存在的偏振敏感和超模杂散问题,本团队构建了基于180 m非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器,实现了耦合光电振荡器的开机稳定起振和超模杂散抑制,产生的10 GHz射频信号相位噪声和杂散抑制比分别优于-125 dBc/Hz@10 kHz和76.3 dB。
- 刘京亮李晓琼戴键银军徐守利余若祺斛彦生许春良倪涛
- 关键词：光纤光学偏振不敏感
- L波段小型化150W GaN功率载片的研制
- 2024年
- 介绍了一种采用氮化镓(GaN)材料的L波段高增益小型化功率载片设计方法。该GaN功率载片基于高电子迁移率晶体管芯片,采用负载牵引测试技术提取大信号阻抗参数,并依据该大信号阻抗参数设计阻抗匹配电路网络。在L波段990 MHz~1130 MHz频段内,36 V直流工作电压、150μs脉冲宽度、15%占空比工作条件下,实现输出功率大于150 W、功率增益优于35 dB、功率附加效率大于52.5%的性能指标,并在20 mm×14 mm×2.8 mm的尺寸内,实现高增益、高效率的百瓦量级小型化功率载片研制目标。
- 董四华银军赵景波高永辉寇彦雨郝海飞
- 关键词：氮化镓小型化L波段
- 一种X波段大功率固态功率放大器的设计与实现
- 2024年
- 目前,固态功率放大器广泛应用于电子通信领域,并朝着大功率、小体积的方向发展。为满足人们对大功率固态功率放大器的需求,介绍了一种X波段大功率固态功率放大器的设计思路,提出大功率固态功率放大器的设计方案,并依据设计方案,对其进行了分单元研制与性能测试。由测试结果可知,大功率固态功率放大器的设计符合设计要求,可为研制大功率产品提供参考。
- 牛海君银军李剑锋
- 关键词：GAN波导大功率功率合成
