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徐守利

作品数：20 被引量：9H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 6篇电路
  • 5篇内匹配
  • 4篇晶体管
  • 3篇微波模块
  • 3篇微波器件
  • 3篇微带
  • 3篇微带电路
  • 3篇功率晶体管
  • 3篇功率器件
  • 3篇放大器
  • 3篇P波段
  • 2篇电容
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇调试方法
  • 2篇振荡器
  • 2篇铜带
  • 2篇匹配电路
  • 2篇迁移率
  • 2篇热沉
  • 2篇微波脉冲

机构

  • 20篇中国电子科技...
  • 1篇北京邮电大学

作者

  • 20篇徐守利
  • 10篇银军
  • 10篇高永辉
  • 8篇默江辉
  • 7篇倪涛
  • 7篇斛彦生
  • 6篇余若祺
  • 5篇段雪
  • 5篇张晓帆
  • 5篇崔玉兴
  • 4篇张力江
  • 4篇卜爱民
  • 4篇蔡树军
  • 4篇马杰
  • 4篇许春良
  • 4篇王川宝
  • 3篇刘英坤
  • 3篇杨光晖
  • 2篇郎秀兰
  • 2篇张鸿亮

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 1篇中国激光
  • 1篇通讯世界
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 9篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2011
  • 1篇2007
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
P波段1200W脉冲功率LDMOSFET研制被引量：2
2017年
基于自主开发的LDMOS工艺平台,研制了一款P波段大功率LDMOSFET器件,并设计了器件的外匹配电路。该器件工作电压50 V,在工作脉宽1 ms、占空比10%的工作条件下,在380~480 MHz带宽内实现宽带输出功率大于1200 W,功率增益大于18 d B,漏极效率大于50%,抗驻波能力大于5:1,表现出了良好的RF性能,实现了国产P波段LDMOS器件1200 W的突破。
张晓帆徐守利郎秀兰李晓东
关键词：P波段脉冲功率LDMOSFET内匹配
基于非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器被引量：1
2022年
耦合光电振荡器利用有源再生主动锁模技术极大地缩短了光纤环腔长度,有效提升了低相噪光电振荡器的集成度与稳定性。针对传统耦合光电振荡器存在的偏振敏感和超模杂散问题,本团队构建了基于180 m非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器,实现了耦合光电振荡器的开机稳定起振和超模杂散抑制,产生的10 GHz射频信号相位噪声和杂散抑制比分别优于-125 dBc/Hz@10 kHz和76.3 dB。
刘京亮李晓琼戴键银军徐守利余若祺斛彦生许春良倪涛
关键词：光纤光学偏振不敏感
微带电路调试方法及调节模块
本发明提供了一种微带电路调试方法及调节模块，包括：制作调节模块，调节模块为金属块状物，金属块状物的宽度小于等于待测微波器件波长的四分之一，组装微波测试系统，将一个或多个调节模块放置在微带电路上；调试：借助绝缘夹将调节模块...
默江辉王川宝马杰张力江崔玉兴高永辉徐守利蔡树军卜爱民
电源调制管理压块及其制备方法
本申请适用于微波射频功率管及模块组件技术领域，提供了电源调制管理压块及其制备方法，该压块包括：压块盖板、电源管理电路元器件、电源管理电路板、电容、MOS管、电容电路板、MOS管电路板和压块壳体；压块壳体外侧设置有用于固定...
张一尘许春良斛彦生余若祺银军倪涛徐守利刘志军
硅微波脉冲功率晶体管中的可靠性设计技术
本文主要介绍了硅微波脉冲功率晶体管设计中应用的低热阻的均匀热分布技术、防二次击穿设计技术、多层难熔金属及双层金属化结构、钝化技术、内匹配技术等几种可靠性设计技术及原理。
张鸿亮刘英坤徐守利寇彦雨
关键词：低热阻内匹配
文献传递
高可靠GaN内匹配功率器件降额研究被引量：2
2022年
基于功率放大器的动态负载线理论,参照Si和GaAs功率器件的降额准则,总结工程应用经验得到了GaN功率器件不同等级的电压降额系数,即I级、II级、III级降额时击穿电压应分别大于工作电压的3.14倍、2.75倍、2.44倍。通过GaN功率器件可靠性试验数据预估了器件在正常工作条件下的平均失效时间(MTTF),并参考多家半导体厂家关于GaN器件结温与可靠性关系的统计数据,得出了GaN功率器件不同等级的结温降额数值,即I级、II级、III级降额结温分别为135~140、160和180℃,降额系数分别为0.6~0.62、0.71和0.8。选用一款X波段20 W GaN内匹配功率器件进行验证,在提出的I级降额条件下,该器件已安全工作超18000 h。提出的降额条件对GaN功率器件的设计和应用具有一定的指导意义。
吴家锋赵夕彬徐守利陈鹏银军默江辉
关键词：击穿电压结温
P波段3kW GaN功率器件的研制被引量：2
2021年
介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路。基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了器件的总栅宽。根据GaN HEMT芯片阻抗,器件内部进行了LC谐振匹配设计,外部采用双边平衡同轴巴伦进行推挽匹配设计。散热方面通过改善封装管壳热沉材料提高热导率。最终成功研制出高压、3 kW的GaN功率器件,该器件在工作电压为60 V、工作频率为0.35~0.45 GHz、脉宽为300μs、占空比为10%条件下,频带内输出功率大于3 kW、功率增益大于16 dB、功率附加效率大于71%、抗负载失配能力不小于10∶1。
高永辉徐守利银军赵夕彬陈欣华黄雒光崔玉兴
关键词：内匹配高功率P波段
VHF频段小型化千瓦级GaN功率放大器
2024年
为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求,设计并制备了一款基于05μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器。通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的小型化;以高通滤波器作为级间匹配电路,在减小电路尺寸的同时,提高了链路增益;采用混合集成工艺,实现了电源调制器、前级驱动功率放大器和末级功率放大器等各单元的小型化高密度集成。测试结果表明,在024~030 GHz频带内,该功率放大器的工作电压为50 V,工作脉宽为100μs,在占空比10%、输入功率10 dBm的工作条件下,带内输出功率大于1000 W,功率附加效率约为60%~69%,功率增益大于50 dB,功放体积为46 mm×30 mm×6 mm。
张晓帆默江辉高永辉高永辉倪涛余若祺斛彦生
关键词：千瓦级小型化VHF频段
一种微波功率器件及设计方法
本发明提供一种微波功率器件及设计方法。该器件包括：输入匹配电路和功率芯片。输入匹配电路的输出端连接功率芯片的输入端。功率芯片的输出端连接微波功率器件的输出端。输入匹配电路包括依次连接的主匹配电容、匹配电阻和次匹配电容。主...
吴家锋段雪徐森锋赵景波斛彦生徐守利翟岐黄旭顾占彪银军
一种宽带稳频的光电振荡器
本发明提供一种宽带稳频的光电振荡器。该光电振荡器包括：包括激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块、振荡反馈模块、PID反馈模块和射频振荡器；激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块和振荡反馈...
刘京亮戴键许春良倪涛徐守利银军刘志军余若祺段雪斛彦生
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