陈娟娟
- 作品数：8 被引量：8H指数：2
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- 一种用于TCXO的三次函数电路设计被引量：4
- 2009年
- 基于标准CMOS工艺设计了一个三次函数发生电路,该电路能产生一个与温度呈三次函数关系的电压来对晶体振荡器进行温度补偿.通过调整电路的参数,可以对不同型号的晶体振荡器进行精确的温度补偿.电路采用CSMC0.5μm CMOS工艺实现,电路结构简单,版图面积小,且功耗较低.补偿结果显示,在-35℃到85℃范围内,补偿后的晶体频率精度可以达到±1.5ppm.
- 肖鹏徐静平陈亮亮杨枫陈娟娟
- 关键词：三次函数温度补偿CMOS工艺
- 超薄高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性研究
- 2009年
- 采用MEDICI模拟器,对高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性进行了研究。通过考虑短沟道效应和边缘场效应,着重分析了栅介质介电常数、氧化物固定电荷密度以及沟道长度等对器件阈值电压和亚阈斜率的影响,研究认为:为获得优良的电性能,栅介质的k值需小于50,固定电荷面密度至少应在1.0×1012cm-2以下。
- 陈娟娟徐静平陈卫兵
- 关键词：高K栅介质超薄栅介质
- 低功耗14/8bit逐次逼近式A/D转换器的设计被引量：1
- 2009年
- 设计了基于逐次逼近式架构的低功耗A/D转换器,该转换器有14/8 bit转换精度2种工作模式,其采样率分别为0～1×10^5/s和0～2×10^5/s.低功耗转换器基于0.18μm的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺完成版图设计,版图面积仅为0.64 mm×0.31 mm.转换器在最高性能下的积分非线性（INL）和微分非线性（DNL）最低有效位分别为0.38 LSB和0.33 LSB,电流消耗仅为2 mA.
- 徐静平陈娟娟邓满珍钟德刚
- 关键词：A/D转换器D/A转换器低功耗互补金属氧化物半导体
- 小鼠巨细胞病毒感染对乳鼠海马突触数目及突触相关蛋白的影响研究
- 第一部分 MCMV 感染对乳鼠海马突触数目及突触相关蛋白的影响
目的：研究MCMV 感染对乳鼠海马神经元突触数目及突触相关蛋白表达的影响。
方法：①体外细胞培养法传毒增殖MCMV Smith 毒株，Reed-...
- 陈娟娟
- 关键词：巨细胞病毒星形胶质细胞蛋白质表达动物模型
- 高k栅介质Ge-MOS器件电特性模拟及制备工艺研究
- 随着集成电路技术的发展,晶体管的特征尺寸已经减小到45nm以下,栅氧化层的物理厚度小于2nm,导致栅极漏电流增大,采用高k材料取代二氧化硅是一种抑制栅极漏电流增大的有效手段。但是,高k材料作为栅介质时,会导致器件沟道迁移...
- 陈娟娟
- 关键词：高K栅介质氧化镧淀积
- 文献传递
- 不同界面层对HfTaON栅介质MOS特性的影响
- 2009年
- 采用磁控溅射方法,在Si衬底上制备HfTaON高k栅介质,研究了AlON、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明,HfTaON/AlON叠层栅介质结构由于在AlON界面层附近形成一种Hf-Al-O"熵稳定"的亚稳态结构,且AlON具有较高的结晶温度、与Si接触有好的界面特性等,使制备的MOS器件表现出优良的电性能:低的界面态密度、低的栅极漏电、高的可靠性以及高的等效k值(21.2)。此外,N元素的加入可以抑制Hf和Ta的扩散,有效抑制界面态的产生,并使器件具有优良的抵抗高场应力的能力。
- 徐静平张洪强陈娟娟张雪锋
- 关键词：金属-氧化物-半导体高K栅介质氮氧化铝
- 小鼠巨细胞病毒宫内感染对仔鼠学习记忆能力的影响及其机制研究
- 陈娟娟
- 关键词：巨细胞病毒小鼠宫内感染学习记忆能力
- 用于便携式设备的12位低功耗SAR A/D转换器被引量：2
- 2008年
- 设计了一种适于便携式应用的低功耗12位精度逐次逼近(SAR)式A/D转换器,最高采样频率达到140KSPS,在1.8V工作电压下的功耗仅为1mW;基于0.18μm 2P4M的CMOS工艺完成版图设计,版图面积仅为0.3mm×0.35mm。在转换精度为12位、采样速率为140KSPS时,A/D转换器的INL和DNL分别为0.7LSB和0.66LSB。
- 陈娟娟钟德刚徐静平
- 关键词：A/D转换器D/A转换器CMOS
