徐静平
- 作品数：127 被引量：190H指数：6
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟被引量：2
- 2002年
- 文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管 ( FEMFET)的 I- V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念己不再适用 ,由于铁电层反偏偶极子的开关作用 ,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化 。
- 周志刚王耘波于军谢基凡徐静平刘刚王华朱丽丽
- 关键词：场效应晶体管I-V特性极化
- GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响
- 2013年
- 采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd-Si键,导致界面态密度增加,因而存储特性欠佳;引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱,并能提高介电常数、减少界面缺陷,因此GdON样品表现出好的存储特性:较大的存储窗口(±13V/1s的编程/擦除电压下,存储窗口4.1V)、高的工作速度、好的保持特性以及优良的疲劳特性(105循环编程/擦除后,存储窗口几乎不变)。
- 李育强刘璐朱剑云徐静平
- 关键词：氧化钆
- 表面预处理对Ge MOS电容特性的影响被引量：2
- 2009年
- 通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质GeMOS电容,研究表面预处理对界面层以及界面层对器件性能的影响。隧穿电子扫描电镜(TEM)、栅电容-电压(C-V)栅极漏电流-电压(J-V)的测量结果表明,湿NO表面预处理能生长高质量的界面层,降低界面态密度,抑制MOS电容的栅极漏电流密度。施加高场应力后,湿NO表面预处理样品的平带漂移及漏电流增加最小,表示器件的可靠性得到有效增强。
- 邹晓蒋万翔徐静平
- 关键词：界面层磁控溅射法
- LED晶体质量与结构设计对发光性能的影响被引量：2
- 2009年
- 以金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备生长的4片蓝宝石衬底氮化镓基发光二极管(LED)外延片为样品,对氮化镓基LED的发光性能的影响因素进行了对比分析.采用场发射扫描电子显微镜(FSEM)观测湿法腐蚀前后的样品表面缺陷形貌,用X射线衍射(XRD)检测样品的晶体质量,通过室温光致荧光光谱(RT-PL)及光学积分球对样品的发光特性进行了测量和分析.结果表明:结构设计对提高LED发光性能的影响大于晶体质量的影响,优化LED光学、电学结构是提高氮化镓基LED发光性能的关键手段.
- 严晗刘胜徐静平甘志银
- 关键词：氮化镓发光二极管X射线衍射
- 高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
- 2014年
- 利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,侧墙结构的MOSFET次之。进一步分析发现,当缓冲层结构InGaAs MOSFET的沟道厚度大于80nm时,可获得稳定的电性能。
- 朱述炎叶青汪礼胜徐静平
- 关键词：MOSFETINGAAS高K栅介质
- 薄发射区晶闸管结构及特性的研究被引量：2
- 1993年
- 在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_T的关系式.分析计算表明,对一确定的宽度W_B和厚度W_P,在某一Q_E下有V_T极小值点存在;当W_P小于等于0.1μm时,随着Q_E的减小,V_T单调下降并趋于一几乎不变的值;当Q_E大于某一值时,V_T与W_P无关,而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加.实验结果还表明,用LPCVD原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品,与普通晶闸管相比,有较好的速度特性.
- 余岳辉徐静平陈涛彭昭廉
- 关键词：晶闸管通态特性
- SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型被引量：2
- 2006年
- 通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽层厚度、栅氧化层厚度的影响较大。而对于500 nm以上的沟道长度,可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。
- 邹晓徐静平李艳萍陈卫兵苏绍斌
- 关键词：阈值电压短沟道效应
- 氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO_2界面应力的研究被引量：1
- 2000年
- 本文借助氩离子 (Ar+)背表面轰击技术研究不同氮化处理所导致的n MOSFETsSi/SiO2 界面附近剩余机械应力 .结果表明 :NH3氮化及N2 O生长的氧化物 硅界面附近均存在较大的剩余应力 ,前者来自过多的界面氮结合 ,后者来自因为初始加速生长阶段 .N2 O氮化的氧化物表现出小得多的剩余应力 。
- 徐静平黎沛涛李斌
- 关键词：MOSFET氮化应力
- 先进的小尺寸MOS器件高k栅介质及界面特性研究
- 徐静平刘璐邹晓季峰汪礼
- MOS器件尺寸的不断等比缩小一直是CMOS集成电路领域的国际前沿，是提高工作速度、降低功耗，提高集成密度的关键所在。器件尺寸的缩小面临着栅极漏电增加，短沟效应增强，界面特性恶化，器件可靠性降低等诸多问题，其中核心问题是栅...
- 关键词：
- 关键词：集成电路存储器
- 深亚微米MOSFET阈值电压模型被引量：3
- 2005年
- 文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上,通过引入耦合两效应的 相关因子,建立了高k栅介质MOSFET阈值电压的器件物理模型。模拟分析了各种因素对阈值电 压漂移的影响,获得了最佳的k值范围。
- 李艳萍徐静平陈卫兵邹晓
- 关键词：MOSFET短沟道效应高K栅介质
