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饶伟

作品数：1 被引量：7H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇噪声
  • 1篇增益
  • 1篇放大器

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇冷鹏
  • 1篇杨银堂
  • 1篇杨杨
  • 1篇饶伟
  • 1篇柴常春
  • 1篇张冰

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理被引量：7
2008年
针对Si基双极型低噪声放大器(LNA),用脉冲调制150MHz射频信号在其输入端进行了能量注入实验,研究结果表明Si基LNA的噪声系数和增益特性都是注入能量的敏感参数.样品解剖和电路仿真显示能量作用使LNA内部晶体管出现基极/发射极金属化损伤,基极金-半接触电阻增大导致了LNA噪声系数增大,而Si基双极器件hFE随时间正向漂移损伤模式使LNA增益随注入能量的增加而增大.研究表明,由于能量作用下损伤效应的复杂性,以往可靠性研究中单纯采用增益的变化来衡量器件与电路的损伤效应的方法是不全面的.
柴常春杨银堂张冰冷鹏杨杨饶伟
关键词：低噪声放大器噪声增益
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