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马仲发

作品数：14 被引量：68H指数：6
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 4篇光电
  • 3篇氧化层
  • 3篇光电耦合
  • 3篇光电耦合器
  • 3篇光电耦合器件
  • 3篇红外
  • 3篇红外发光二极...
  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管
  • 3篇GAALAS
  • 3篇MOSFET
  • 2篇噪声
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇涨落
  • 2篇深能级
  • 2篇能级
  • 2篇外延层
  • 2篇击穿

机构

  • 9篇西安电子科技...
  • 5篇教育部

作者

  • 14篇马仲发
  • 11篇庄奕琪
  • 11篇杜磊
  • 9篇包军林
  • 7篇李伟华
  • 5篇万长兴
  • 3篇马格林
  • 3篇张义门
  • 3篇张玉明
  • 2篇李聪
  • 2篇胡瑾
  • 2篇吴勇
  • 1篇周江
  • 1篇施超
  • 1篇薛丽君

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇电子器件
  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇Journa...
  • 2篇光子学报
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2008
  • 2篇2006
  • 5篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳化硅外延层质量评估新技术被引量：1
2011年
由于当前多种技术同时被用于碳化硅(SiC)外延层质量表征,造成外延层和器件研制成本高、时间长、易损伤、不能在线检测等,限制了SiC外延材料和器件的发展.用红外镜面反射谱、拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等对4H-SiC外延层质量进行了测试.测试结果的分析和比较表明,红外镜面反射谱不但能提供拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等测试的所有质量参数,而且其解析结果与其他几种技术的解析结果一致.因此,红外镜面反射谱可以作为一种低成本、快捷、无损、可在线的碳化硅外延层质量监测技术.
马格林张玉明张义门马仲发
关键词：碳化硅外延层
1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础被引量：8
2002年
分析了MOSFET静电损伤的机理 ,发现在静电应力期间 ,随着应力次数的增加 ,在SiO2 体内和Si/SiO2 界面同时产生潜在损伤积累 .Si/SiO2 界面较SiO2 层体内更容易产生缺陷 ,而且缺陷浓度更大 .用逾渗理论模拟了MOSFET中 1/f噪声与边界陷阱浓度的关系 ,得出了与实验相一致的定性结果 ,为MOSFET静电潜在损伤的沟道漏源电流 1/f噪声检测方法提供了理论依据 .
马仲发庄奕琪杜磊薛丽君万长兴施超
关键词：MOSFET静电无损检测逾渗
栅氧化层击穿的统一逾渗模型被引量：5
2004年
综合E模型和1/E模型中两种不同的缺陷产生机制和逾渗理论,建立了栅氧化层击穿过程中缺陷产生和击穿触发的统一逾渗模型.该模型认为栅氧化层的击穿触发是由于氧化层中氧空位等缺陷所形成的定域态扩展化的结果,并对氧空位等缺陷的产生动力学进行了统一的描述,使得该模型无论在高场强还是低场强情况下所得的结果,均能较好地描述氧化层击穿过程,从而对长期以来有关栅氧化层击穿的E模型和1/E模型之争做出了较为合理的解释.
马仲发庄奕琪杜磊包军林万长兴李伟华
关键词：栅氧化层击穿MOS集成电路
栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型被引量：10
2003年
在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上 ,提出了氧化层击穿的逾渗模型 .认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级缺陷产生与积累 ,并最终形成电导逾渗通路的结果 .指出在电场作用下 ,氧化层中产生深能级缺陷 ,缺陷形成定域态 ,定域态的体积与外加电场有关 .随着应力时间的增长 ,氧化层中的缺陷浓度增大 ,定域态之间的距离缩小 .当定域态之间的距离缩小到一个阈值时 ,定域态之间通过相互交叠形成逾渗通路 ,形成扩展态能级 ,漏电流开始急剧增大 ,氧化层击穿 .
马仲发庄奕琪杜磊包军林李伟华
关键词：栅氧化层MOSFET击穿物理机制
光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究被引量：14
2005年
对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射.
包军林庄奕琪杜磊马仲发李伟华李聪
关键词：G-R噪声光电耦合器件深能级
SiC外延层表面化学态的研究被引量：4
2008年
用高分辨X射线光电子能谱仪(XPS)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪研究了SiC外延层表面的组分结构.XPS宽扫描谱,红外掠反射吸收谱及红外镜面反射谱的解析结果说明SiC外延层表面是由Si—O—Si和Si—CH2—Si聚合体构成的非晶SiCxOy:H.SiC外延层表面的化学态结构为Si(CH2)4,SiO(CH2)3,SiO2(CH3)2,SiO3(CH3),Si—Si,游离H2O,缔合OH,Si—OH,O和O2.根据化学态结构和元素电负性确定了化学态的各原子芯电子束缚能顺序,并与XPS窄扫描谱拟合结果相对比,建立了化学态与其束缚能的对应关系,进而用Si(CH2)4的实际C1s束缚能值进行校正,确定了各化学态的束缚能.结果发现,除了SiCxOy(x=1,2,3,4,x+y=4)的Si2p束缚能彼此不同外,其C1s和O1s彼此也不相同,其中SiO2(CH3)2和SiO3(CH3)的C1s束缚能与CHm和C—O中C1s的相近,对此从化学态结构,元素电负性和邻位效应进行了解释.
马格林张玉明张义门马仲发
关键词：SIC化学态XPSFTIR
SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究被引量：1
2008年
提出了一种新的,用未限定拟合峰位置、半高宽和峰面积的X射线光电子谱拟合方法,研究了拟合峰的数目、函数类型及背景对SiC表面C1s谱拟合结果的影响,并与样品表面宽扫描X射线光电子谱和红外掠反射吸收谱相对照,确定了SiC表面C1s谱的最优拟合参数,获得了与文献中数值相同的C1s束缚能.为SiC及其他材料表面元素窄扫描X射线光电子谱的拟合和化学态结构的鉴定奠定了基础.
马格林张玉明张义门马仲发
关键词：SICX射线光电子谱
GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响被引量：3
2006年
在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.
包军林庄奕琪杜磊马仲发李伟华李聪
关键词：红外发光二极管
GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究被引量：2
2005年
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流Irf的r次方成正比,在小电流区,r≈1,在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAsIRLED的1/f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明,低电流区GaAlAsIRLED的1/f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1/f噪声表征GaAlAsIRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。
包军林庄奕琪杜磊马仲发李伟华万长兴
关键词：红外发光二极管涨落氧化层陷阱
一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法被引量：9
2002年
MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题 .实验对比发现 ,MOSFET沟道电流的 1/ f噪声比传统的电参数更能敏感地反映栅氧化层中 ESD潜在损伤的情况 .在相同的静电应力条件下 ,1/ f噪声的变化要比常规电参数敏感的多 ,其功率谱幅度的相对变化量比跨导的最大相对退化量大 6倍以上 ,因此可以作为MOSFET ESD潜在损伤的一种敏感的检测方法 .在给出实验结果的同时 。
马仲发庄奕琪杜磊花永鲜吴勇
关键词：MOSFETESD
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