刘奇斌
- 作品数：13 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划上海市科学技术发展基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺
- 本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～30%，氧化剂为0.5%～10%，络合剂为0.05%～10%，表面活性剂0.1～5%(均为wt%)，余量为去离子水。湿法刻蚀工...
- 宋志棠刘奇斌张楷亮封松林陈邦明
- 文献传递
- 用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法
- 本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺制作相变随机存储器，其工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积30nm Ti或TiN，100nm的Pt或Au。(2)将(100)硅片清洗干净，然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合，...
- 宋志棠刘奇斌封松林
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- 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法
- 本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：(1)在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层与底电极薄膜；(3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；(4)通过电子束曝光在绝缘...
- 宋志棠刘奇斌张楷亮封松林陈邦明
- 文献传递
- Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究
- Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在...
- 刘奇斌张楷亮王良咏封松林宋志棠
- 关键词：相变存储器化学机械抛光电化学抛光液
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- 锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性
- 2007年
- Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性。MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧道氧化层。这种MIS结构在1MHz下的C-V特性表现出良好的电学性能,平带电压漂移为0.96V,电荷存储密度达到4.17×1012cm-2。不同频率下Ge纳米晶在Al2O3介质中电荷存储特性随着频率的增加,平带电压的漂移和存储的电荷数减小。随着扫描速率的增加,平带电压的漂移和存储电荷也减小。
- 刘奇斌宋志棠吴良才封松林
- 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺
- 本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～30％，氧化剂为0.5％～10％，络合剂为0.05％～10％，表面活性剂0.1～5％(均为wt％)，余量为去离子水。湿法刻蚀工...
- 宋志棠刘奇斌张楷亮封松林陈邦明
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- 高阻SOI在射频电路中的应用优势
- 本文主要概述了基片电阻率对集成电路性能的影响,采用高阻SOI大大提高了RF电路性能,为CMOS在GHz频域的应用提供了发展基础.
- 骆苏华刘卫丽张苗刘奇斌林成鲁
- 关键词：射频电路
- 文献传递
- Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光
- 2006年
- 从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为;而抛光液的pH值为11时,开始向活化转变;当pH值为12时,薄膜处于活化状态.在动电位扫描过程中,不同的pH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状相似,表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理.自制碱性抛光液,对Ge2Sb2Te5薄膜进行化学机械抛光,用SEM和EDS对抛光后的结构进行分析.结果表明,通过CMP实现了Ge2Sb2Te5填充结构.
- 刘奇斌张楷亮王良咏宋志棠封松林
- 关键词：相变存储器化学机械抛光电化学
- 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文)被引量：2
- 2005年
- 为了减少经典SOI器件的自加热效应,首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN,用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构.实验结果显示,Si3N4层为非晶状态,新结构的SOSN具有良好的结构和电学性能.对传统SOI和新结构SOI的MOSFETs输出电流的输出特性和温度分布用TCAD仿真软件进行了模拟.模拟结果表明,新结构SOSN的MOSFET器件沟道温度和NDR效益都得到很大的降低,表明SOSN能够有效地克服自加热效应和提高MOSFET漏电流.
- 刘奇斌林青刘卫丽封松林宋志棠
- 关键词：SI3N4自加热效应
- 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法
- 宋志棠刘奇斌张楷亮封松林陈邦明
- 本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的方法来制作纳电子相变存储器的方法。本发明的特点在于利用相变材料与上电极材料的抛光工艺形成小孔填充结构：（1）在清洗干净的衬底材料上热氧化一层氧化层；（2）沉积过渡层材料与下电极...
- 关键词：
- 关键词：电子束曝光化学机械抛光
