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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇电阻率
  • 2篇硫脲
  • 2篇缓冲剂
  • 2篇氨水
  • 2篇ZAO薄膜
  • 2篇
  • 2篇超声波
  • 2篇超声波辅助
  • 2篇衬底
  • 1篇氧含量
  • 1篇应力
  • 1篇数对
  • 1篇透过率
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数
  • 1篇MO

机构

  • 5篇北京四方继保...

作者

  • 5篇张至树
  • 5篇余新平
  • 5篇张宁
  • 5篇刘沅东
  • 3篇汤清琼
  • 2篇张涛

传媒

  • 2篇材料保护
  • 1篇真空

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
氧掺杂对磁控溅射ZAO薄膜性能的影响
2014年
通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZAO薄膜,研究了不同氧掺杂量对于ZAO膜电学及光学性能的影响,使用X射线衍射仪衍射分析了薄膜相结构,使用四探针方阻仪测试薄膜的方阻,采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明:在通入较低氧分量时对ZAO薄膜结晶性能及光电性能没有太大的影响,但随着氧分量的增加ZAO薄膜性能急剧下降。
刘沅东张宁余新平张至树汤清琼
关键词:磁控溅射ZAO薄膜氧含量
一种采用化学水浴法制备硫化镉薄膜的方法
本发明公开了一种采用化学水浴法制备硫化镉薄膜的方法,包括以下步骤:(1)清洗衬底;(2)安装衬底,衬底和夹具共同构成反应容器;(3)、配置溶液:将镉盐、氨水、缓冲剂、硫脲、去离子水按一定比例混合制成反应溶液,然后兑入反应...
张宁张涛张至树余新平刘沅东
文献传递
一种采用化学水浴法制备硫化镉薄膜的方法
本发明公开了一种采用化学水浴法制备硫化镉薄膜的方法,包括以下步骤:(1)清洗衬底;(2)安装衬底,衬底和夹具共同构成反应容器;(3)、配置溶液:将镉盐、氨水、缓冲剂、硫脲、去离子水按一定比例混合制成反应溶液,然后兑入反应...
张宁张涛张至树余新平刘沅东
文献传递
磁控溅射工艺对Mo膜性能的影响
2014年
采用中频磁控溅射方法制备用于CIGS薄膜太阳能电池背电极的Mo膜。研究了靶面磁场强度、溅射气压、溅射电流等工艺参数对Mo膜沉积速率、电阻率、形貌及应力的影响。研究表明:随着靶面磁场强度的增强,Mo膜电阻率和沉积速率均下降;使用较高的溅射电流可以获得较高的沉积速率和较低的电阻率,使用较低的溅射气压可以获得较低的电阻率和较高的沉积速率。在本试验条件下制备的Mo膜基本上呈现拉应力状态并且随溅射气压的升高而增大。
汤清琼刘沅东张宁余新平张至树
关键词:磁控溅射应力电阻率
磁控溅射工艺参数对ZAO薄膜性能的影响被引量:2
2014年
通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZAO薄膜,研究了溅射电流、溅射气压、基片温度对ZAO膜电学及光学性能的影响,使用X射线衍射仪分析了薄膜相结构,使用台阶仪测试薄膜厚度,使用四探针方阻仪测试薄膜电阻率,采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明:溅射电流增加可以改善ZAO薄膜的透过率与电阻率;溅射气压对薄膜的结晶性和透过率影响不大,但电阻率会随溅射气压的增大而上升;基体温度升高可以提高AZO薄膜的透过率与电导率。
刘沅东张宁汤清琼余新平张至树
关键词:磁控溅射ZAO薄膜工艺参数电阻率透过率
共1页<1>
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