吴芳
- 作品数：25 被引量：41H指数：3
- 供职机构：河南教育学院更多>>
- 发文基金：河南省科技攻关计划河南省教育厅科学技术研究重点项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究被引量：1
- 2007年
- 本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜。用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗粒尺寸也较大。通过I-V测试仪测试了ZnO:Al/p-Si:H、SnO2/p-Si:H和SnO2/ZnO:Al/p-Si:H的接触特性,结果显示ZnO:Al/p-Si:H的接触特性并不比SnO2/p-Si:H差。
- 吴芳王海燕卢景霄郜小勇杨仕娥陈永生杨根王子健
- 关键词：透明导电膜晶化率
- 一种废弃线路板中玻璃纤维的回收方法
- 本发明提供了一种废弃线路板中玻璃纤维的回收方法，属于电子材料回收技术领域，包含以下步骤：S1：将各种元器件从废弃线路板表面拆除；S2：将步骤S1所得的线路板粉碎，得细粉；S3：将步骤S2得到的细粉进行分选，去除金属细粉，...
- 乔庆鹏张向丹王伟吴芳
- 文献传递
- 原位生成VC颗粒增强镍基涂层的热力学分析被引量：1
- 2010年
- 利用激光熔覆技术,原位生成VC颗粒增强镍基涂层,用X射线衍射仪对涂层相结构进行分析,应用热力学原理对原位生成VC的热力学过程进行分析。结果表明,VC在约1000 K温度下能够原位生成;原位生成VC颗粒增强相在热力学上是可行的。
- 杨宁吴芳晁明举
- 关键词：激光熔覆原位生成镍基涂层热力学
- 多孔硅在太阳能电池应用中的相关研究被引量：5
- 2006年
- 本文用化学腐蚀法在多晶硅基片上制作多孔硅,通过SEM、XPS对多孔硅的表面微结构及其组成进行了研究,定性地分析了氧在多孔硅层中的作用及主要热行为。分析了多孔硅用于太阳能电池时应注意的问题:多孔层微孔尺寸、太阳电池工艺中各热处理过程的温度和时间、多孔层与电极材料是否形成欧姆接触及快速热氧化(RTO)的钝化效果。
- 王海燕卢景霄吴芳王子健张宇翔靳瑞敏张丽伟
- 关键词：减反膜
- 电子束蒸发制备ZnO∶Al透明导电膜及其性能研究被引量：1
- 2006年
- 在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:A l透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理。利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性。利用四探针对其进行了电学性质的测量,表明衬底温度为200℃时制备的样品电阻率可达6×10-3Ω.cm。
- 王子健王海燕郜小勇吴芳李红菊杨根刘绪伟卢景霄
- 关键词：电子束蒸发ZNO衬底温度
- 织构ZnO:Al与p-μ c-Si:H薄膜接触特性的研究被引量：1
- 2010年
- 用PECVD法在不同织构ZnO:Al上沉积了p-μc-Si:H薄膜,研究了不同织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触特性,研究结果表明:在织构后的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜的晶化率均大于在未织构的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜,且织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触电阻也均小于未织构的,且织构时间最佳点为15s。
- 吴芳赵先林王海燕王子健高哲
- 关键词：接触特性
- 一种废弃线路板中玻璃纤维的回收方法
- 本发明提供了一种废弃线路板中玻璃纤维的回收方法，属于电子材料回收技术领域，包含以下步骤：S1：将各种元器件从废弃线路板表面拆除；S2：将步骤S1所得的线路板粉碎，得细粉；S3：将步骤S2得到的细粉进行分选，去除金属细粉，...
- 乔庆鹏张向丹王伟吴芳
- 文献传递
- 高压烧结法制备Bi_2Te_3纳米晶块体热电性能的研究被引量：1
- 2015年
- 用高压烧结法对水热法制备的Bi2Te3纳米线及纳米颗粒粉体进行了压制成型,并与真空热压法制备的样品进行了形貌和热电性能的比较.研究表明,高压烧结样品内的晶粒尺寸明显小于热压样品.热电性能的研究表明,高压烧结样品的电阻率、赛贝克系数和热导率均优于真空热压样品.由纳米线粉体高压烧结的样品其热电优值ZT在室温时达到了0.5,高于真空热压样品的值,表明高压烧结是热电材料纳米粉体成型的一种有效方法.
- 吴芳王伟
- 关键词：热电性能
- PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究被引量：16
- 2008年
- 实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大,薄膜的晶化率得到提高;但进一步提高沉积温度、射频功率反而会使薄膜晶化效果变差,并对晶化硅薄膜低温生长的机理进行了初步的探讨。
- 马康王海燕吴芳卢景霄郜小勇陈永生
- 关键词：PECVD微晶硅薄膜晶化率
- 论民事上诉中的禁止不利益变更原则
- 民事上诉禁止不利益变更原则是大陆法系国家所普遍奉行的一项重要的民事诉讼原则,其核心思想“禁止不利益变更”在刑事诉讼和行政诉讼领域均有所体现,即上诉不加刑原则和行政起诉不加重处罚原则。禁止不利益变更的重要功能即是明确二审审...
- 吴芳
- 关键词：民事上诉禁止不利益变更原则处分权法律适用
- 文献传递
