吴裕功
- 作品数：31 被引量：116H指数：6
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 智能材料
- 吴裕功
- 关键词：人工智能
- 两相复合介质等效介电常数的二维模拟计算
- 采用蒙特卡洛有限元法,在二维正方形格子上模拟计算了两相复合介质的等效介电常数,并用对数混合方程、Wakino方程、Maxwell-Wagner方程和通用有效介质方程(GEM)对模拟数据进行了拟合,结果证明:GEM方程中的...
- 吴裕功沈洪亮赵选贺李翡
- 关键词：复合介质等效介电常数介质陶瓷
- 文献传递
- 智能材料
- 吴裕功
- 关键词：人工智能
- CaCu3Ti4O12基高介电常数材料
- 陶瓷电容器的小型化要求电介质有更高的介电常数.CaCu3Ti4O12是新近发现的一种高介材料,其相对介电常数在104量级.作者研究了固相反应制备CaCu3Ti4O12的反应进程,包括中间相的产生和消失,制备单相CaCu3...
- 吴裕功张慧利刘震
- 关键词：钛酸铜钙介电常数陶瓷电容器固相反应钙钛矿结构
- 文献传递
- 钛酸锆-铌酸镁系高频介质陶瓷的制备及介电性能的研究被引量：1
- 2003年
- 采用固相反应的方法制备粉料,合成了一种新型的(Zr1/2Ti1/2)1x(Nb2/3Mg1/3)xO2 (x=0.05～0.30)高频介质陶瓷。XRD分析确定粉料为单相,其晶相为ZrTiO4结构。瓷片在1 430～1 470℃之间烧结。讨论了收缩率与烧结温度的关系以及介电性能随烧结温度的变化,探讨了不同配比对材料电性能的影响,确定出最佳烧结温度为1 460℃。在1 MHz下测试了材料的介电常数及损耗。相对介电常数在26～34之间。配比为x=0.25的材料,品质因数可达到1×104。
- 吕宇强吴裕功
- 关键词：固溶体介电性能
- (Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3陶瓷A位二价金属离子取代的研究被引量：33
- 2000年
- 主要研究了用Ｂａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃａ２＋对钙钛矿结构（ＡＢＯ３）的无铅压电陶瓷（Ｎａ０．４Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３（ＮＢＴ）的Ａ位 进行部分取代后材料的介电、压电性能。实验表明，Ａ位Ｂａ２＋取代使ＮＢＴ的介电系数有明显的增大，而Ｓｒ２＋、Ｃａ２＋ 对ＮＢＴ的介电系数影响不大。而３种离子Ａ位的取代，都使ＮＢＴ的高矫顽电场有了大幅度的降低，其中以Ｂａ２＋的 效果最为明显（２． ５～２． ０ ｋＶ／ｍｍ）；但随着 Ｅｅ的降低，材料的 Ｐｒ值也同步降低。
- 马晋毅吴裕功董向红邢磊张昊宇
- 关键词：钛酸铋钠陶瓷
- CaCu_3Ti_4O_(12)基高介电常数材料
- 2005年
- 陶瓷电容器的小型化要求电介质有更高的介电常数.CaCu3Ti4O12是新近发现的一种高介材料,其相对介电常数在104量级.作者研究了固相反应制备CaCu3Ti4O12的反应进程,包括中间相的产生和消失,制备单相CaCu3Ti4O12的工艺条件.研究了多种离子在钙钛矿结构中的掺杂取代及对介电性能的影响,特别是降低介电损耗的方法.
- 吴裕功张慧利刘震
- 关键词：钛酸铜钙介电常数
- 先驱体法制备Pb_(1-x)Sr_x(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_aZr_bTicO_3压电陶瓷的压电和介电性能被引量：5
- 2004年
- 采用先驱体法制备了Pb1-xSrx(Mn1/3Sb2/3)aZrbTicO3压电陶瓷。通过XRD研究表明,随着Sr2+取代量的增加,相界向富锆方向移动,并改善了相界附近组分的压电性能和介电性能。与传统的固相合成制备工艺相比,先驱体法制备的陶瓷具有优良的压电性能,所得样品的综合性能:r为1791,tg为0.0035,d33为454?0-12C種-1,kp为0.61。
- 郭向华吴裕功吴霞宛
- 关键词：先驱体法锑锰锆钛酸铅压电陶瓷压电性能介电性能
- 多晶材料显微结构模拟的进展
- 料设计的方式研发陶瓷时，用计算机模拟显微结构是前提条件之一.总结了多晶材料的基本结构特征，即计算机模型必须复现的特征.通过总结、分析基于圆球密堆积的拉氏几何下的V图(voronoi diagram bascd on ra...
- 吴裕功佟帅周卫斌
- 关键词：计算机模拟显微结构多晶材料
- Bi、Cu共掺杂钛酸钡基压电陶瓷的制备与研究被引量：2
- 2013年
- 采用溶胶-凝胶自燃烧工艺成功制备出(Ba0.99Bi0.01)(Cu0.005Ti0.995)O3微细粉料,并烧结成瓷。利用X线衍射(XRD)和电镜扫描(SEM)分析了样品的物相及显微形貌,发现样品为四方钙钛矿结构,晶粒大小均匀。研究了不同烧结温度的(Ba0.99Bi0.01)(Cu0.005Ti0.995)O3陶瓷居里温度的变化、介电温谱、压电特性及其温度稳定性。实验表明,以Bi、Cu进行掺杂可降低钛酸钡的烧结温度,且有效改善了其电性能,居里温度从不掺杂时的120℃提高到155℃,温度1 240℃烧结样品表现出最佳的综合压电性,压电常数(d33)为80pC/N,机电耦合系数(kp)为12.6%,品质因数(Qm)为310,压电常数(d31)为-16.8pC/N,且其压电性的温度稳定性有了很大提高。
- 高云吴裕功邹亚囡王建刚
- 关键词：压电陶瓷居里温度压电性能
