奚正蕾
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：教育部重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 金刚石薄膜图形化技术的研究被引量：2
- 2002年
- 从金刚石薄膜半导体器件的实用要求出发,比较了金刚石薄膜的各种图形化技术,研究了它们各自的特点和适用性,如播种法选择性生长、掩膜法选择性生长、离子束刻蚀和反应离子刻蚀技术等。
- 莘海维奚正蕾凌行张志明
- 关键词：金刚石薄膜图形化刻蚀
- CVD金刚石薄膜的热敏特性及温度传感器的研究
- 该文采用偏压辅助热丝CVD设备在Si基片上制作掺硼金刚石薄膜温度传感器(热敏电阻).针对温度传感器的结构和工艺,着重研究了工艺参数对金刚石薄膜介电性能和表面形貌的影响;不同掺硼浓度对金刚石薄膜的热敏特性的影响;以及制作温...
- 奚正蕾
- 关键词：CVD金刚石薄膜温度传感器
- 文献传递
- 常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较被引量：1
- 2001年
- 用热丝CVD方法制备了常规和纳米金刚石薄膜。测量了其电阻率、介电常数和损耗角正切值。实验结果表明 ,常规金刚石薄膜的电导率、损耗角正切值均小于纳米金刚石薄膜 ,介电性能比较理想。两种薄膜的介电常数基本相同 ,损耗角正切值在1 0 5 Hz处都有弛豫极大值 ,表明在该频率范围内 ,主要为弛豫损耗机制。
- 奚正蕾莘海维张志明凌行沈荷生戴永兵万永中陆鸣
- 关键词：金刚石薄膜纳米金刚石薄膜介电性能
- 纳米金刚石薄膜的制备与介电性能
- 当CVD金刚石薄膜作为微压力传感器和声表面波滤波器等微电子器件应用时,都要求薄膜光滑平整,以适合于传统的光刻工艺。但是,由于金刚石的表面能很大,常规的CVD多晶金刚石薄膜表面凹凸不平,不利于光刻等微细加工工艺。另一方面,...
- 莘海维奚正蕾张志明凌行沈荷生戴永兵万永中
- 文献传递
- 复合金刚石薄膜的介电特性
- 2002年
- 利用热丝大面积金刚石薄膜气相合成 ( CVD)装置制备了复合金刚石薄膜 ,并对其表面和断面分别进行了扫描电镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和 Raman光谱表征 .研究了该复合结构的介电性能 ,利用共振电路测量了高频下薄膜的介质损耗与频率的关系 .结果表明 ,复合结构由普通多晶金刚石薄膜和纳米金刚石薄膜组成 ,薄膜的表层结构体现了纳米金刚石的特征 .复合金刚石薄膜不仅具有表面光滑的优点 ,介电性能也接近于常规的多晶金刚石薄膜 ,是一种较好的电子材料 。
- 莘海维凌行奚正蕾张志明沈荷生戴永兵
- 关键词：金刚石薄膜复合结构介电特性
