安锦
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：香港中文大学信息工程学院电子信息工程系更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究
- 2003年
- 用超高真空热氧化方法在Si(1 1 1 )清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜 ,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示 ,在超薄范围二氧化硅呈层状生长 ,不同层的微分电导谱所测禁带宽度差别可以达到约 3eV 。
- 薛坤许建斌贺仲卿徐明生安锦张荣耀
- 关键词：扫描隧道显微镜禁带宽度形貌表征半导体材料
- 化学镀层的扫描开尔文力显微术(SKFM)研究被引量：2
- 2005年
- 首次在化学镀样品上成功地实现了扫描开尔文力显微镜的测量,得到了化学镀层表面形貌以及与微观组分分布相关的表面电势差信息。该分析方法没有复杂的样品制备过程,不会破坏样品的原始状态,对于宏观上具有确定组分的微观相分离样品,可以由表面电势差得到不同相的微区分布。比其它的常规分析手段有更高的空间分辨率,能获得更多的材料微区结构、组分与性能间关系的信息。
- 周强谢中黄桂芳周艳明安锦王祝盈陈小林许建斌
- 关键词：化学镀
- 二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究
- 用超高真空热氧化方法在 Si(111)清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示,在超薄范围二氧化硅呈层状生长, 不同层的微分电导谱所...
- 薛坤许建斌贺仲卿徐明生安锦张荣耀
- 关键词：禁带宽度
- 文献传递
