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张荣耀

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：香港中文大学信息工程学院电子信息工程系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇扫描隧道显微...
  • 2篇禁带
  • 2篇禁带宽度
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌表征
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料

机构

  • 2篇香港中文大学

作者

  • 2篇徐明生
  • 2篇贺仲卿
  • 2篇安锦
  • 2篇张荣耀
  • 2篇薛坤
  • 2篇许建斌

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 2篇2003
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究
2003年
用超高真空热氧化方法在Si(1 1 1 )清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜 ,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示 ,在超薄范围二氧化硅呈层状生长 ,不同层的微分电导谱所测禁带宽度差别可以达到约 3eV 。
薛坤许建斌贺仲卿徐明生安锦张荣耀
关键词：扫描隧道显微镜禁带宽度形貌表征半导体材料
二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究
用超高真空热氧化方法在 Si(111)清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示,在超薄范围二氧化硅呈层状生长, 不同层的微分电导谱所...
薛坤许建斌贺仲卿徐明生安锦张荣耀
关键词：禁带宽度
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