宋坤忠
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
- 供职机构：东南大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划江苏省高技术研究计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信医药卫生自动化与计算机技术更多>>
- 1,3,4-噁二唑衍生物的双光子吸收和双光子泵浦荧光被引量：2
- 2006年
- 依据“推电子基-共轭中心-拉电子基-共轭中心-推电子基”的模型将电荷传输型1,3,4-噁二唑环嵌入芳香共轭体中,通过Wittig-Horner反应合成了2种对称型强双光子吸收和双光子诱导荧光分子2,5-二[4-(2-芳基乙烯基)苯基]-1,3,4-噁二唑.它们的氯仿溶液在锁模Nd:YAG激光器800nm激光照射下,发射出很强的双光子上转换荧光,其最强荧光分别在波长507和475nm.采用非线性透过率法测得其双光子吸收截面分别为1.07×10-46和6.6×10-47cm4?s?photon-1.这2个对称型D-π-A-π-D生色分子从激发端基到π共轭桥的有效能量传输,对双光子吸收和双光子荧光发射能力贡献较大.
- 钱鹰路志锋吕昌贵宋坤忠崔一平孙岳明林保平
- 关键词：噁二唑衍生物双光子荧光双光子吸收截面
- HIV蛋白gp41与小分子抑制剂的结合机理和XAO多肽折叠研究
- 自从1983年HIV-1病毒首位患者被发现以来，到现在至少有两千多万人死于该疾病。尽管现有的药物和高效抗逆转录病毒联合疗法的应用改善了病人临床治疗效果，但始终存在无法根除病毒、耐药性病毒株的出现以及毒副作用是HIV病毒难...
- 宋坤忠
- 关键词：人类免疫缺陷病毒
- 一种含噁二唑基团MEHPV交替共聚物的合成及其荧光性能(英文)被引量：1
- 2008年
- 通过钯催化的Heck耦合反应,合成了一种含噁二唑基团与MEHPV单元的交替共聚物(oxa-MEHPV),并利用UV-vis,FT-IR,1H-NMR对其单体和聚合物的结构进行了表征,研究了目标聚合物的荧光性能.由于在MEH-PPV的主链骨架上引入噁二唑基团,oxa-MEHPV分子链的刚性得到增强,表现出更好的热稳定性能,在常规有机溶液如氯仿、二氯甲烷、甲苯等中也有更好的溶解性.同时,由于噁二唑具有很好的电子亲和能力,聚合物紫外吸收波长发生了较大的蓝移,较MEH-PPV拥有了更好的电子迁移率和更高的荧光量子效率,因而在聚合物电致发光(PLED)领域有潜在的应用前景.
- 王华林孙岳明祁争健蒋伟宋坤忠李大雁
- 关键词：MEH-PPV噁二唑电子注入聚合物电致发光
- 1,3,4-噁二唑衍生物的双光子吸收特性
- Two novel chromophores containing 2,5-diphenyl-1,3,4-oxadiazole as the pi-centre and two triphenylamino or N-e...
- 路志锋钱鹰吕昌贵宋坤忠孟康
- 关键词：双光子吸收1,3,4-噁二唑上转换荧光构效关系
- 文献传递
- 有机小分子电致磷光材料研究进展被引量：8
- 2007年
- 在过去20年对小分子电致发光器件的研究中,由于没有充分利用三线态激子能量,器件的内量子效率存在25%的理论极限。由于有机磷光染料可以同时利用其单线态和三线态激子,理论上可以使器件的内量子效率达到100%,突破了25%的理论极限,因而近几年在小分子主体材料中掺杂磷光染料制成器件的研究备受关注。综述了近几年金属有机电致磷光材料的研究进展,重点评述了金属铱配合物在分子设计上的研究进展,同时论述了其发光机理和掺杂剂材料以及器件制作的研究进展,展望了金属有机配合物电致磷光材料的发展前景,并提出了今后磷光材料的发展方向。
- 王小亮孙岳明蒋伟王启宋坤忠
- 关键词：金属铱配合物电致发光磷光材料发光机理
- 抑制剂ADS-J1和ADS-J2与艾滋病病毒蛋白gp41的结合机理(英文)
- 2011年
- 为分析和解释2个小分子抑制剂ADS-J1和ADS-J2与艾滋病病毒蛋白gp41的抑制机理,通过采用理论计算的方式把抑制剂和gp41蛋白疏水性空穴对接,得到了可能的结合方式,并通过采用分子动力学和MM/PBSA相结合的方法,确定蛋白质和抑制剂的具体结合方式和结合自由能,并且获得了抑制剂和蛋白的精确结合构型和相互作用力,明确了抑制剂和蛋白质之间的抑制机理.理论研究证实了相关实验的推测,并且为以后设计新型的gp41小分子抑制剂提供了良好的基础.
- 宋坤忠孙岳明
- 一种用于大规模集成电路封装聚合物的制备方法
- 一种用于大规模集成电路封装聚合物的制备方法，按照主要原料质量份，取95-65份聚合度为5-30的α,ω－二羟基聚二甲基硅氧烷或α,ω-羟基聚(二甲基-甲基乙烯基)硅氧作为主要原料，取5-35份M/Q值为0.6-0.9的甲...
- 王育乔孙岳明印杰宋坤忠薛中群
- 文献传递
- 一种用于大规模集成电路封装聚合物的制备方法
- 一种用于大规模集成电路封装聚合物的制备方法，按照主要原料质量份，取95-65份聚合度为5-30的α,ω－二羟基聚二甲基硅氧烷或α,ω-羟基聚(二甲基-甲基乙烯基)硅氧作为主要原料，取5-35份M/Q值为0.6-0.9的甲...
- 王育乔孙岳明印杰宋坤忠薛中群
- 文献传递
- OH^-在Si(100)面上的吸附与脱附作用机理被引量：1
- 2007年
- 利用高斯98中的Hartree-Fock(HF)方法研究了OH-与Si(100)面的吸附和脱附作用机理,计算了OH-在Si(100)面三种(顶位,桥位,穴位)典型吸附位的吸附反应势能曲线,在每个吸附位上根据空间位阻最小和最佳成键方向考虑了OH-垂直进攻和倾斜进攻.结果表明:OH-在进攻三种吸附位时的活化能为零,顶位倾斜吸附最稳定,穴位吸附最不稳定.在顶位倾斜吸附位上Si原子被OH-拉出的反应活化能为1.01eV,整个吸附脱附过程的活化能为3.29eV.
- 齐齐王育乔宋坤忠王涓孙岳明
- 关键词：硅势能曲线
