张开明
- 作品数：28 被引量：21H指数：3
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省自然科学基金国家攀登计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- CO和NO在CuO及CU_2O(110)表面吸附选择规律研究被引量：5
- 1995年
- 采用离散变分Xα方法分别计算了CO和NO以C（或N）端顶位吸附在CuO（110）及Cu2O（110）表面上的基态势能曲线，结果表明：CO在Cu2O表面上的吸附强，而在CuO表面上的吸附弱；NO则在CuO表面上吸附强，在Cu2O表面上吸附弱．它们的吸附能的大小顺序为：CuO－NO＞Cu2O－CO＞Cu2O－NO＞CuO－CO．对于CuO－NO（或CO）吸附体系，主要是Cu的3d轨道与吸附分子的2π轨道间的相互作用；对于Cu2O－CO（或NO）吸附体系，办主要是吸附质分子的5σ及2π分子轨道与其顶位Cu1的4s及4p轨道和侧位Cu2的3d轨道相互作用．本文通过吸附势能曲线、态密度分析、成键分析及电荷转移量和方向等方面对实验现象做了合理的解释．
- 段玉华张开明伏义路
- 关键词：一氧化碳一氧化氮氧化铜
- 清洁及单层吸附的Mo(001)表面声子色散研究
- 1990年
- 用最近邻及次邻中心相互作用势讨论了清洁的Mo(001)表面声子。作为初步近似,用质量亏损模型讨论了不同吸附原子质量对表面声子的影响。
- 资剑张开明
- 关键词：表面声子钼
- Rh超薄膜在Mo(111)及W(111)上引起｛110｝小面再构的可能性
- 1999年
- 用第一性原理总能计算方法，计算了 Ｍｏ 和 Ｗ 表面吸附金属 Ｒｈ 薄膜前后［１１１］ ，［１１０］方向的表面能．计算结果表明，清洁 Ｍｏ 和 Ｗ 的（１１１） 面不会发生｛１１０｝ 小面再构，与实验观察一致．当 Ｒｈ 的覆盖厚度达到一物理单层后， Ｒｈ／ Ｍｏ（１１１） 仍不会形成｛１１０｝ 小面；而 Ｒｈ／ Ｗ（１１１） 满足小面再构到｛１１０｝ 的热力学条件，在一定条件下可能形成｛１１０｝ 小面．
- 黄丹耘车静光张开明
- 关键词：铑钨
- 离子型分子的电荷自洽EHT计算被引量：1
- 1990年
- 本文提出一个简单、合理的方法,将Madelung势引入到电荷自洽EHT(ExtendedHQckel Theory)计算中,使对离子型分子的势能曲线的计算结果与实验值有好的符合。文中还对Madelung势的重要作用以及EHT方法中参量k的选取作了讨论。
- 王炎森张开明P.NORDLANDER
- 关键词：分子离子型电荷
- 形变的SiGe合金中的深能级
- 1996年
- 该文对生长在Ｓｉ、Ｇｅ及其合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究．其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算，缺陷能级采用格林函数法进行计算．结果表明，晶格中的形变使原来类ｐ的Ｔ２能级发生分裂．形变还造成合金的价带顶有较大的上升，从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级．
- 乔皓徐至中张开明
- 关键词：深能级
- 美国物理学会3月会议概况
- 1996年
- 美国物理学会1996年3月年会于18日至22日在美国密苏里州的圣路易斯市举行。会议共收到论文摘要4400篇,有575篇邀请报告。凝聚态物理是其重要部分,材料物理也占有很大比例。还包括计算物理,生物物理,化学物理,高分子物理,激光物理,流体动力学,工业应用物理,物理学史,以及物理学教学等。在凝聚态物理中,高温超导的理论和实验研究占有较多部分,约有30个分组专门讨论高温超导的有关问题。富氏烯的研究约有6个专门的分组。
- 张开明
- 三体相互作用对Si(001)2×1表面非对称dimer形成的影响
- 1989年
- 本文在Keating模型框架下,讨论了表面原子与衬底原子之间的二体及三体相互作用的对称性对Si(001)2×1非对称dimer形成的影响。在相互作用对称情况下,所得的dimer是对称的。二体相互作用的不对称对非对称dimer形成影响很小,而非对称dimer的形成主要来自于三体相互作用的不对称。
- 资剑张开明
- 关键词：三体相互作用
- 凝聚态物理研究现状
- 1997年
- 1997年美国物理学会3月会议于17日至21日在密苏里州的堪萨斯城举行。会议内容涉及一年来凝聚态物理领域的最新动态。1 宽禁带半导体研究有十余个分组专门讨论宽禁带半导体的各种物理性能,尤其是氮化合物半导体材料GaN,AlN,InN和BN及其合金材料、超晶格、多重量子阱等,也有SiC材料和Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体的研究。北卡罗林那州立大学的Krzysztof Rapcewicz介绍了用从头算第一性原理的分子动力学方法,研究GaN表面一系列可能的再构,认为GaN(0001)表面最可能形成2×2再构,并研究了GaN/AlN/InN多重量子阱的能带偏移。由于晶格失配,衬底材料的变化对能带偏移值的影响很大。
- 张开明
- 关键词：凝聚态物理物理学半导体材料物理性能
- 单原子层应变超晶格(Si)_1/(Si_(1-x)Ge_x)_1(100)的电子结构
- 1990年
- 在计入应力的紧束缚框架之下计算了单原子层应变超晶格(Si)_1/(Si_1-xGo_x)_1的电子结构.对应于不同应变条件,得出能隙随组分的变化,并结合能带边不连续的变动加以考察.超晶格取Si(或Ge)晶格常数后能隙随组分的非单调变化源自合金受相同应力后能隙的类似特点.超晶格能带及态密度均呈现类Si的闪锌矿结构对称性.在虚晶近似得出的能隙和电子状态密度的基础上,利用相干势近似作了进一步的修正.
- 沈丁立陆奋张开明
- 关键词：超晶格电子结构半导体
- (Si)_n/(Ge)_n超晶格几何结构
- 1990年
- 本文用Keating模型计算了Si_(1-x)Ge_x(x=0—1)作衬底、沿(100)方向生长的(Si)_n/(Ge)_n(n=1—6)应力超晶格的几何结构,并讨论了衬底对超晶格生长的影响,计算结果发现对于(Si)_n/(Ge)_n超晶格,用适当的Si_(1-x)Ge_x作衬底有利于超晶格的生长。
- 资剑张开明
- 关键词：SI超晶格
