徐至中
- 作品数：37 被引量：15H指数：2
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- 温度对势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构的影响
- 1996年
- 采用有效质量近似下的包络函数方法，对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布进行了自洽计算．详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响．
- 徐至中
- 关键词：Δ掺杂GESISI电子能带结构温度
- 半导体合金介电常数的紧束缚计算
- 1990年
- 采用经验的紧束缚方法,在虚晶近似下,计算了与InP晶格相匹配的半导体合金Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)的介电常数虚部.计算时同时考虑了动量矩阵元的效应.
- 徐至中
- 关键词：介电常数
- Ge_xSi_（1－x）／Si（001）量子阱的电子结构及光跃迁被引量：2
- 1994年
- 采用包络函数方法及Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｙ模型计算了量子阱ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ（００１）的电子结构．对量子阱的光跃迁几率进行了估算，并讨论了量子阱参数的最佳选择．
- 徐至中
- 关键词：电子结构光跃迁硅化锗
- 生长在Ge_xSi_（1－x）（001）衬底上应变GaAs层的光学性质
- 1995年
- 采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分ｘ的变化关系。计算结果表明：对所有ｘ值，及随ｘ的变小而变小；及随ｘ的变小而变大。对ｎ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使和变小；对ｐ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使变大，但使变小。
- 徐至中
- 关键词：振子强度砷化镓
- Ge＿xSi＿（1－x）合金中的键长及其对电子能带结构的影响
- 1994年
- 采用经验紧束缚理论，以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金，根据总能最小原则计算了Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长及点阵常数．同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构，并与虚晶近似下的计算结果进行了比较．计算结果表明，Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长基本上与合金组分无关，各自接近于Ｇｅ，Ｓｉ晶体中的键长，与广延ｘ射线吸收精细结构（ＥＸＡＦＳ）测量结果符合得很好．原子位置的弛豫对合金的电子能带结构影响很小，对合金的电子能带结构起主要作用的是合金的化学组分无序．
- 徐至中
- 关键词：键长
- 超晶格(Al_xGa_(1-x)As)_m/(GaAs)_m(110)的电子能带结构
- 1993年
- 采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格(Al_xGa_1 xAs)_m/(GaAs)_m(110)的电子能带结构(1≤m≤10)。讨论了电子能带结构随超晶格层厚m及合金组分x的变化情况。计算结果表明,对于不同的合金组分x,超晶格可以处在三个不同区域:A区,直接能隙结构,Ⅰ-型超晶格;B区,间接能隙结构,Ⅰ-型超晶格;C区,间接能隙结构,Ⅱ—型超晶格。
- 徐至中
- 关键词：电子能带
- 胶原蛋白分子中电场激发的孤子特性被引量：4
- 2005年
- 根据胶原蛋白分子的结构特点 ,建立了新的胶原蛋白分子模型 ,得到了更能体现胶原蛋白分子三维结构的系统哈密顿量 ,并采用 4阶Runge- Kutta算法 ,对得到的电场作用下胶原蛋白分子中激发态能量传递的动力学方程进行了数值求解 .结果表明电场脉冲可以在胶原蛋白分子中激发起酰胺键 (amide- Ⅰ )振子的孤波 ,且在孤子产生的同时伴随有声子发射 .
- 邓闯翁渝民徐至中费伦
- 关键词：胶原蛋白分子模型激发态孤子
- 计算半导体合金介电常数的半经验方法
- 1989年
- 提出了采用紧束缚方法计算电子联合状态密度,并利用由实验测得的半导体化合物MZ,NZ及NW的介电常数,计算半导体合金M_xN_(1-x)W_yZ_(1-y)的介电常数虚部的半经验方法,进而利用此方法具体地计算了与InP晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)P_vAs_(1-y)的介电常数虚部。
- 徐至中
- 关键词：半导体介电常数紧束缚
- 生长在Si（001）衬底上的Ge_xSi_（1－x）合金的电子能带结构
- 1994年
- 采用紧束缚方法对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金形变层的电子能带结构进行了计算，并与ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的能带结构进行了比较．计算结果表明，对大部分合金组分ｘ（０≤ｘ≤０．９），形变层的导带底处在△轴上；当ｘ≥０．９后，导带底处在Ｌ点．形变层的直接能隙Ｅｇ（）及间接能隙Ｅｇ（△）和Ｅｇ（Ｌ）都比同组分ｘ的合金小，其下降量随组分ｘ的增大而增大．形变层的价带顶自旋－轨道分裂值△ｓ。也比相同组分的合金大，其增大值也随合金组分的增加而增加．
- 徐至中
- 关键词：硅衬底电子能带结构锗硅合金
- 表面势垒层厚度对量子阱束缚电子态的影响被引量：1
- 1991年
- 采用包络函数方法在四带k·p模型基础上计算了晶格匹配的量子阱 InP/Ca_(0.47)In_(0.53)As/InP中束缚电子能级及波函数,讨论了表面势垒层厚度对量子阱中束缚电子能级、波函数以及相应于电子基态能级与重空穴基态能级间的荧光谱峰位置的影响.文中也讨论了在势阱与势垒边界处的不同衔接条件对量子阱中束缚电子能级计算结果的影响.
- 徐至中
- 关键词：厚度电子态
