张志国
- 作品数：66 被引量：78H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT被引量：1
- 2007年
- 利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%.
- 冯志宏尹甲运袁凤坡刘波梁栋默江辉张志国王勇冯震李效白杨克武蔡树军
- 关键词：SI衬底GANHEMT功率密度
- 高功率、高效率GaN MMIC的研究
- 本文使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT和GaN MMIC。研制的小栅宽器件在频率为8GHz时效率达到60％，利用该器件采用高工作电压，多偏置点提取器件参数技术，建立了基于M...
- 张志国王民娟崔玉兴马杰李静强宋建博冯志红付兴昌蔡树军
- 关键词：电路设计
- 支撑技术AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究被引量：3
- 2005年
- 报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3μm AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μm器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA。对器件的跨导特性进行了对比,得到最大跨导为306mS/mm的器件。同时对器件进行了微波小信号测试,推导出截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为18.5GHz和46GHz。
- 王勇冯震张志国
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管直流特性
- 8GHz输出功率功率密度为11．7W/mm的凹栅AlGaN/GaN HFET的研究
- ＜正＞AlGaN/GaN HFET 具有高频、高输出功率密度的特性,成为各国研究的热点。受国内自主研发 GaN HEMT 外延材料质量的限制,器件输出功率密度低,本文利用 SiC 衬底采用 MOCVD 自主外延出高质量的...
- 冯震张志国王勇默江辉冯志红蔡树军杨克武
- 文献传递
- GaN基异质结构效应晶体管功率器件
- 2005年
- 文章从晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应,二维电子气(2DEG)的源、产生,极化对2DEG的影响以及提高2DEG浓度的方法;列举了三种典型的电流崩塌效应,介绍了其成因和抑制的方法,并对各种方法进行了比较;阐述了栅极场调控电极对GaN基器件电参数的影响,解释了提高器件击穿电压的原理,并对场调控电极对器件功率特性的影响进行了说明,从而指出利用场调控电极的GaN基HFET将会在微波高功率方面有很大的发展前途.
- 张志国李丽杨瑞霞杨克武
- 关键词：功率器件2DEG微电子学极化效应功率特性HFET
- GaN外延材料测试技术的研究
- 2008年
- 分别用金属In和Ti/Al/Ni/Au合金层制备GaN HEMT结构外延片的霍尔测试电极,并对样品进行霍尔测试。发现In金属与外延片形成非欧姆接触,Ti/Al/Ni/Au合金层与外延片形成良好的欧姆接触。用电化学C-V方法测试样品,得到的载流子浓度与合金电极制备的样品经霍尔测试得到的载流子浓度一致,从而验证了此种霍尔测试方法的准确性,为GaN外延材料的测试提出了准确可行的测试方法。
- 刘岳巍陈宏江高蒙张志国高金环闫德利杨勇
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管原子力显微镜
- X波段GaN HEMT内匹配器件被引量：2
- 2008年
- 自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A量级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性.采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压为33V时,器件连续波输出功率为18.2W,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0%.2.5mm×4GaN HEMT内匹配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益7.2dB,功率附加效率39%.
- 王勇李静强张志国冯震宋建博冯志红蔡树军杨克武
- 关键词：GANHEMT内匹配功率增益功率附加效率
- 凹栅AlGaN/GaN HFET被引量：4
- 2007年
- 研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小到1.7,栅极漏电减小一个数量级.在频率为8GHz时,负载牵引系统测试显示,当工作电压增加到40V,输出功率密度达到11.74W/mm.
- 张志国冯震杨梦丽冯志红默江辉蔡树军杨克武
- 关键词：ALGAN/GANHFET高电压高功率密度
- InP基谐振隧穿二极管的研究被引量：1
- 2008年
- 谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行了测试分析,器件的最大电流峰谷比(PVCR)达到了17.8。
- 李亚丽张雄文冯震周瑞张志国
- 关键词：谐振隧穿二极管电流峰谷比
- 碳化硅二次外延结构
- 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故...
- 杨霏潘宏菽陈昊冯震吕云安齐国虎张志国冯志红蔡树军杨克武
- 文献传递
