杨克武
- 作品数：73 被引量：52H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种微波器件测试用压紧装置
- 本实用新型公开了一种微波器件测试用压紧装置，涉及半导体器件测试工具技术领域。包括压块和通过压块上的螺钉孔能与测试平台紧固的螺钉，所述压块绝缘材料构成，压块底面设有微波器件端脚压紧凸起和微波器件适配的器件凹槽。本实用新型能...
- 默江辉杨中月李亮崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 文献传递
- 毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统及其测试方法
- 本发明公开了一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统及其测试方法，涉及测量电变量的装置或方法技术领域。所述系统包括在片测试模块和直流馈电模块，所述在片测试模块包括单片电路钨铜载片、四个第一滤波电容以及四个第二滤波电容；所述...
- 默江辉杨中月李亮崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 文献传递
- 一种微波器件测试用扭环
- 本发明公开了一种微波器件测试用扭环，涉及半导体器件测试技术领域。扭环外环壁的横截面为圆形，扭环内环壁的横截面为六边形，且与微波器件测试夹具输入、输出的同轴接头端子外形尺寸相适配，所述扭环的材质为聚四氟乙烯材料。本发明采用...
- 李亮默江辉崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 文献传递
- SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响
- 2009年
- 对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响,与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究。发现只有在高温且掺杂浓度低的情况下,能级分裂的影响很小可忽略不计,其他条件下均需考虑能级分裂因素。随掺杂浓度的增加,能级分裂的影响增强;随温度的升高,能级分裂影响的整体趋势下降,但存在峰值。当杂质能级深度发生变化时,能级分裂的影响显得比较复杂;曲线上的峰值随着能级深度的增加而向高温方向移动,能级越浅峰就越小;并且在高于某一温度时,随能级的加深能级分裂的影响逐渐增强。
- 戴振清杨克武杨瑞霞
- 关键词：碳化硅
- LEC法生长大尺寸InP单晶
- 基于目前对大尺寸InP单晶片的应用和需求,介绍了正在使用的封闭式热场结构,阐述了利用LEC(液封直拉)法在InP体材料生长过程中影响成晶率的一些关键因素,如温度梯度和热对流等,分析了有利于晶体生长的条件,对加热器、保温系...
- 周晓龙杨克武杨瑞霞孙聂枫孙同年
- 关键词：磷化铟孪晶直径
- 文献传递
- 高性能SiC整流二极管研究被引量：2
- 2010年
- 在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。
- 杨霏商庆杰李亚丽闫锐默江辉潘宏菽李佳刘波冯志红付兴昌何庆国蔡树军杨克武
- 关键词：击穿电压肖特基接触欧姆接触场板
- SiC衬底X波段GaN MMIC的研究
- 2008年
- 使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1~10.1 GHz时连续波输出功率大于10 W,带内增益大于12 dB,增益平坦度为±0.2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
- 张志国冯震武继宾王勇蔡树军杨克武
- 关键词：GAN微波单片集成电路大信号模型
- 用于SiC MESFET直流测试的夹具
- 本发明公开了一种用于SiC MESFET直流测试的夹具，属于场效应晶体管测试领域。其包括布有滤波电路的PCB板和承载所述PCB板的金属板；所述金属板设有用于固定被测SiCMESFET器件的凹槽，所述PCB板设有与上述凹槽...
- 默江辉王勇李静强王翔付兴昌杨克武
- 文献传递
- 微波器件可靠性测试装置及其测试方法
- 本发明公开了一种微波器件可靠性测试装置及其测试方法，涉及测量电变量的装置或方法技术领域。所述方法包括以下步骤：选择微波器件的滤波电容；将所述滤波电容烧结在管壳内；将微波器件管芯烧结在管壳内；将滤波电容键合在管壳输入端子上...
- 李亮默江辉崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 文献传递
- GaAs HFET/PHEMT大信号建模分析被引量：2
- 2007年
- 在分析GaAs HFET/PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上,提出了电荷守恒的EEHEMT1模型,通过Cold FET测量技术,采用在片测试技术,结合窄脉冲测试技术,提出了GaAs HFET/PHEMT器件EE-HEMT1大信号模型,实验说明提出的大信号模型模拟结果与实例结果吻合得很好.
- 张书敬杨瑞霞高学邦杨克武
- 关键词：砷化镓场效应晶体管微波集成电路
