张武全
- 作品数：9 被引量：25H指数：3
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- Sol-Gel方法制备硅基PZT铁电薄膜
- 本文介绍了用Sol-Gel方法在硅衬底上以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁脂为原料制备PZT铁电薄膜的工艺流程.对上述方法制备的铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质进行了分析,结果表明硅基PZT薄膜形成了良好的钙钛矿结构...
- 张林涛任天令张武全刘理天李志坚
- 关键词：SOL-GEL法铁电薄膜
- 文献传递
- 硅基PZT铁电薄膜的制备与性能研究被引量：10
- 2001年
- 用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备了硅基Ｐｂ（Ｚｒ＿０．５３Ｔｉ＿０．４７）０＿３（ＰＺＴ铁电薄膜。分析了ＰＺＴ铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质。基于上述分析结果提出并实现了低温退火处理制备有ＰＴ过渡层的ＰＺＴ铁电薄膜的工艺流程。测试了低温制备的ＰＺＴ铁电薄膜的Ｃ－Ｖ、漏电等电性能，发现在Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰＺＴ铁电薄膜的工艺中加入ＰＴ过渡层，有助于提高ＰＺＴ薄膜的品质。
- 张林涛任天令张武全刘理天李志坚
- 关键词：SOL-GEL法PZTPT铁电薄膜
- 一个改进的用于铁电存储器设计的铁电电容宏模型被引量：7
- 2001年
- 从描述铁电电容的P V滞回特性出发 ,本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个改进的铁电电容宏模型 ,并成功利用此模型对铁电存储器 (FeRAM)进行了电路优化和电路模拟 .最后将试图对此模型做进一步的推广 。
- 任天令张武全李春晓陈宏毅朱钧刘理天
- 关键词：铁电存储器铁电电容宏模型
- 一个用于CAD设计的铁电电容模型
- 从描述铁电电容的P-V滞回特性出发,本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个用于CAD设计的铁电电容宏模型,并成功利用此模型对铁电存储器(FeRAM)进行了电路优化和电路模拟.最后将试图对此模型做进一步的推广,以模拟铁电存...
- 李春晓任天令张武全刘理天李志坚
- 关键词：铁电存储器铁电电容电路优化电路模拟CAD设计
- 文献传递
- Sol-Gel法硅基PZT铁电薄膜研究被引量：2
- 2001年
- 介绍了以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法在硅衬底上制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺流程。对铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质进行了分析，结果表明硅基ＰＺＴ薄膜形成了良好的钙钛矿结构。并在此基础上实现了制备ＰＺＴ铁电薄膜的低温改进工艺。
- 张林涛任天令张武全刘理天李志坚
- 关键词：SOL-GEL法PZT铁电薄膜
- 一种用于模拟铁电电容的等效电路
- 本发明涉及一种用于模拟铁电电容的等效电路,包括控制电路和电容切换电路,控制电路的输入电压是电容切换电路的第一端口节点和第二端口节点之间的电压差;电容切换电路中的四个压控开关受控制电路的输出电压控制。本发明设计的模拟铁电电...
- 任天令李春晓张武全刘理天李志坚
- 文献传递
- 一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究被引量：6
- 2000年
- 以无机锆盐为原料 ,用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)法成功地在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si衬底上制备出一种新型Pb Ti O3/ Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47) O3/ Pb Ti O3(PT/ PZT/ PT)夹心结构。这种新结构对于 PZT的晶化有很好的促进作用 ,其最终的退火温度为 70 0°C。 C- V特性、介电频率响应、漏电等电性能测试表明这一新型夹心结构具有良好的铁电和介电性能。
- 任天令张林涛张武全李春晓刘理天李志坚
- 关键词：PZTPT溶胶-凝胶法硅基电性能铁电
- 一种用于模拟铁电电容的等效电路
- 本发明涉及一种用于模拟铁电电容的等效电路，包括控制电路和电容切换电路，控制电路的输入电压是电容切换电路的第一端口节点和第二端口节点之间的电压差；电容切换电路中的四个压控开关受控制电路的输出电压控制。本发明设计的模拟铁电电...
- 任天令李春晓张武全刘理天李志坚
- 文献传递
- 铁电存储器件的设计和工艺研究
- 铁电存储器是将铁电材料集成于半导体存储器的新型存储器,由于材料的特性它同时具有高速、高密度、低功耗和不挥发的优点.铁电存储器可以分为FeRAM和FeFET两大类,其中FeRAM已经开始实用化,而FeFET则处于实验室研究...
- 张武全
- 关键词：铁电存储器FERAMFEFETSOL-GELRIE
