张毕禅
- 作品数：6 被引量：16H指数：3
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- 发文基金：国家自然科学基金贵州省优秀科技教育人才省长资金项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自然科学总论更多>>
- 测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率被引量：4
- 2011年
- 报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845～880℃时InAs的生长速率曲线.
- 郭祥罗子江张毕禅尚林涛周勋邓朝勇丁召
- 关键词：MBERHEEDGAAS(001)衬底
- RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜被引量：5
- 2011年
- 利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于(2×3)表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。
- 罗子江周勋贺业全何浩郭祥张毕禅邓朝勇丁召
- 关键词：MBERHEEDSTM
- InGaAs薄膜表面的粗糙化过程被引量：3
- 2013年
- 采用STM分析InGaAs表面形貌演变研究InGaAs表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程,特别针对In(0.15)Ga(0.85)As薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究.发现In(0.15)Ga(0.85)As薄膜在不同的衬底温度和As等效束流压强下表现出不同的预粗糙化过程.在低温低As等效束流压强下,薄膜表面将经历从有序平坦到预粗糙并演变成粗糙的过程,起初坑的形成是表面形貌演变的主要形式,随着退火时间的延长,大量坑和岛的共同形成促使表面进入粗糙状态;在高温高As等效束流压强下薄膜表面将率先形成小岛,退火时间延长后小岛逐渐增加并最终达到平衡态,表面形貌将长期处于预粗糙状态.
- 罗子江周勋王继红郭祥张毕禅周清刘珂丁召
- InAs(001)表面金属化的转变
- 2012年
- 论述了利用分子束外延方法在InAs(001)基片上生长InAs时,样品表面由富As的(2×4)向富In的(4×2)转变的现象。通过控制生长参数生长出了较好的富As(2×4)表面。在As压不足的情况下,轻微的提升样品衬底温度,样品表面逐渐转向富In表面的(4×2)结构,呈现出(3×1)混合相。通过实验分析及软件模拟确定表面(4×2)结构区域已覆盖多达90%,表明样品表面大部分已金属化。
- 尚林涛周勋罗子江张毕禅郭祥丁召
- 关键词：RHEEDMBESTM
- In_(0.14)Ga_(0.86)As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析被引量：5
- 2012年
- 以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Ga0.86As,通过反射式高能电子衍射(RHEED)及扫描隧道显微镜分析发现其表面主要由占大多数的4×3及少量的α2(2×4)重构混合而成,并用软件模拟RHEED对实验结果进行了验证。
- 尚林涛罗子江周勋郭祥张毕禅何浩贺业全丁召
- InAs薄膜的分子束外延生长与表面形貌及表面重构分析被引量：2
- 2013年
- 利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜。利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及表面重构进行扫描分析,证实样品表面为原子级平整,并指出样品表面处于β2(2×4)与α2(2×4)两种重构混合的重构相。
- 王继红罗子江周勋张毕禅郭祥丁召
- 关键词：分子束外延反射高能电子衍射扫描隧道显微镜
