张永川
- 作品数：17 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：国防基础科研计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法
- 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极...
- 欧黎徐阳江洪敏司美菊姜华男张永川马晋毅龙飞杜波蒋欣金成飞田本朗
- 文献传递
- 高声速SAW复合压电薄膜研究
- 本文阐述了高声速SAW复合压电薄膜材料SiO/Al/ZnO/IDT/金刚石/Si的研究进展情况,给出了该复合结构压电材料的制作方法和实验结果。φ2"金刚石/Si材料表面粗糙度达到0.89nm,金刚石膜晶粒粒度在5～10μ...
- 陈运祥谭学斌唐代华李洪平李燕赵雪梅张永川
- 文献传递
- 薄膜体声波谐振器调频工艺研究被引量：5
- 2018年
- 薄膜体声波器件具有体积小及性能高等优势,相关产品已被广泛应用于移动通信市场。薄膜体声波谐振器(FBAR)电极层和压电层等声学层的厚度、材料是影响谐振频率的主要因素。该文分析了FBAR调频的必要性、原理及扫描刻蚀的工作方式,研究了调频层薄膜在不同刻蚀功率时对器件频率的影响。通过对FBAR器件进行调频,频率均匀性提高了6.5倍,频率分散性得到显著改善。
- 彭兴文徐阳杜波张永川司美菊刘娅何西良卢丹丹
- 关键词：薄膜体声波谐振器调频离子束
- 声光晶体与换能器键合结构
- 本发明公开了一种声光晶体与换能器键合结构，在声光晶体和换能器表面分别依次镀制有底电极层和焊接层，声光晶体的焊接层和换能器的焊接层键合在一起，在声光晶体的底电极层和焊接层之间以及换能器的底电极层和焊接层之间分别设有金属过渡...
- 陆川刘伟陈华志米佳张永川
- 文献传递
- 声体波微波延迟线用AlN薄膜制备研究
- 2016年
- 采用中频磁控溅射法在z轴石英基片上制备了(002)择优取向的AlN薄膜。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的择优取向和表面形貌。结果表明,溅射功率、氮气流量、氩等离子清洗对AlN薄膜的择优取向有显著影响。将该方法制备的AlN薄膜应用于声体波微波延迟线,研制出频率为4.2~4.4GHz的声体波微波延迟线,其延迟时间为361ns,插入损耗为-57.3^-60.4dB,3次渡越抑制为28.6dB,直通信号抑制为52.7dB。
- 徐阳张永川周勇朱昌安田本朗金成飞赵明蔡宏江
- 关键词：压电薄膜中频磁控溅射声体波延迟线
- SAW-chirp压缩接收技术研究(英文)被引量：1
- 2010年
- 介绍了现代电子战对接收机技术的新要求,分析了压缩接收机的原理及特点,指出了实现压缩接收机的关键技术:大带宽chirp信号的产生及处理;高速串行宽带视频信号的数字化处理技术;超大瞬时带宽的实现。给出了SAW调频延迟线实现压缩接收单元的具体方法,提供了包括连续波信号、调制信号的测试数据和波形,样品得到了瞬时带宽250 MHz、频率精度±375 kHz、灵敏度小于-80 dBm、动态范围大于60 dB的较好指标。
- 彭江陵刘建国李庆洪黄俊张永川
- 关键词：声表面波延迟线接收机傅里叶变换
- 高声速SAW复合压电薄膜研究
- 本文阐述了高声速SAW复合压电薄膜材料SiO2/Al/ZnO/IDT/金刚石/Si的研究进展情况,给出了该复合结构压电材料的制作方法和实验结果。φ2'金刚石/Si材料表面粗糙度达到0.89nm,金刚石膜晶粒粒度在5～10...
- 陈运祥谭学斌唐代华李洪平李燕赵雪梅张永川
- 关键词：表面粗糙度SAW滤波器
- 文献传递
- 钽酸锂晶体滤波器的离子束刻蚀技术研究被引量：8
- 2014年
- 以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。
- 张永川彭胜春徐阳
- 关键词：晶体滤波器钽酸锂离子束刻蚀高频宽带
- 一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法
- 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极...
- 欧黎徐阳江洪敏司美菊姜华男张永川马晋毅龙飞杜波蒋欣金成飞田本朗
- 基于掺杂压电薄膜的FBAR制备及研究被引量：2
- 2020年
- 薄膜体声波谐振器(FBAR)具有体积小、工作频段高、性能强等优势,在滤波器领域有广泛的应用前景,其最核心的功能层为压电薄膜。本文采用磁控溅射方法,在6英寸硅片上制备了AlScN压电薄膜。对AlScN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlScN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为1.75°,膜厚均匀性优于0.6%,薄膜应力为10.63 MPa,薄膜应力可调。制作了基于AlScN压电薄膜的FBAR谐振器,其机电耦合系数为7.53%。在AlN中掺杂Sc能够有效提高压电薄膜的机电耦合系数,对研究FBAR滤波器的宽带化有重要意义。
- 兰伟豪徐阳张永川蒋平英司美菊刘娅卢丹丹何西良
- 关键词：压电薄膜磁控溅射机电耦合系数薄膜体声波谐振器
