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文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇退火
  • 2篇自组装
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇溅射
  • 2篇发光
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化锌纳米
  • 1篇氧化锌纳米结...
  • 1篇荧光
  • 1篇热氧化
  • 1篇离子注入
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光发射
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇光发射
  • 1篇二氧化硅

机构

  • 5篇山东师范大学
  • 1篇山东省青年管...

作者

  • 5篇张秋霞
  • 4篇王建波
  • 4篇李玉国
  • 2篇崔传文
  • 2篇张敬尧
  • 2篇张月甫
  • 1篇曹玉萍
  • 1篇石礼伟
  • 1篇夏继周
  • 1篇孙钦军
  • 1篇王强

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 2篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
注碳外延硅的荧光特性研究
2006年
研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。
李玉国孙钦军曹玉萍王强王建波张秋霞
关键词:离子注入电化学腐蚀蓝光发射发光中心
氧化锌纳米结构的制备及其生长机理被引量:3
2007年
将利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积的锌膜进行热氧化后,得到一维ZnO纳米棒。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)研究了ZnO纳米棒的结构及表面形貌。实验结果表明上述ZnO纳米棒具有六角纤锌矿结构。金属Zn从SiO2基质中析出和O2发生反应在薄膜表面形成低维ZnO纳米棒。讨论了退火温度及退火时间对ZnO纳米棒形成的影响,并对其生长机制作了初步的探讨。
李玉国张秋霞王建波石礼伟
关键词:磁控溅射纳米线热氧化退火
Au//SiO/_2复合纳米颗粒膜的制备和模板法制备SiO/_2纳米线
在近十几年里,在氧化物基质上生长金属纳米颗粒,由于它们的化学物理特性可以由颗粒的大小、形状和相互作用来改变,引起了世界关注。特别是产生的表面效应和量子尺寸效应,极大的改变了它们的特性。在氧化物基质上生长的金属簇具有一些潜...
张秋霞
关键词:自组装
文献传递
p型ZnO及ZnO基发光器件研究进展被引量:3
2007年
六角纤锌矿结构ZnO是一种应用广泛的直接宽带隙(3.36 eV,300 K)半导体材料,其优异的光电、压电等性能使其成为近10年来全世界半导体研究的热点。综述了自1997年以来ZnO的p型掺杂以及ZnO基发光器件方面的研究成果,比较了不同方法制备的p型ZnO材料和发光器件的性能差异,分析了造成各种差异的原因,并针对当前研究提出了一些建议和预测。
王建波李玉国张秋霞夏继周张月甫崔传文张敬尧
关键词:半导体技术P型掺杂ZNO薄膜发光器件
Au/SiO_2复合纳米颗粒膜的制备及退火行为研究
2007年
室温下用磁控溅射法在Si(111)衬底上生成Au/SiO2复合纳米颗粒膜。用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射方法(XRD)对不同温度退火后的Au/SiO2复合薄膜的表面形貌、微观结构进行了表征。SEM结果表明,随着退火温度升高,Au纳米颗粒先形成大的聚集后出现分布均匀的超微颗粒。XRD结果显示700℃时Au的衍射峰最强,随后峰强有所减弱,这与SEM检测结果相吻合。另外实验结果证实在1000℃退火时自组装生成空间分布均匀(直径约为70nm)的Au纳米点,可以用来作为生长一维纳米材料的模板。
张秋霞李玉国王建波张敬尧崔传文张月甫
关键词:磁控溅射自组装
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