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徐以锋

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇有机半导体
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇喹啉
  • 1篇羟基
  • 1篇羟基喹啉
  • 1篇下一代
  • 1篇空穴
  • 1篇光效
  • 1篇光效率
  • 1篇红移
  • 1篇发光
  • 1篇发光效率
  • 1篇半导体
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇TRIS
  • 1篇DEPEND...
  • 1篇8-HYDR...
  • 1篇PHOTOL...

机构

  • 2篇浙江大学
  • 1篇伦敦大学

作者

  • 2篇徐以锋
  • 1篇鲍世宁
  • 1篇陈桥
  • 1篇李海洋
  • 1篇张寒洁
  • 1篇何丕模

传媒

  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
有机半导体薄膜生长及其性质研究
OLED器件(Organic Light-emitting Devices)以其质轻、体薄、高亮度、自发光、快速响应、高分辨率、视角大、低电压驱动、低功耗、高效率、长寿命等突出优点被认为是下一代显示技术的最佳候选。但是,...
徐以锋
关键词:发光效率输运性质
文献传递
Thickness Dependent Behavior of Photoluminescence of Tris(8-hydroxyquinoline)Aluminum Film被引量:1
2006年
通过原位测量对八-羟基喹啉铝薄膜(Alq_3)光致发光的厚度依赖性质进行了研究.在 Alq_3向玻璃衬底沉积的初始阶段,Alq_3光致发光谱峰发生了显著红移,此后谱峰随着 Alq_3厚度的增加红移变缓并趋于饱和.Alq_3薄膜厚度从2nm 逐渐变化到500nm 时,Alq_3谱峰位总红移约为12nm.这种 Alq_3薄膜沉积的初始阶段 Alq_3谱峰的显著红移可归因于二维激子向三维激子态的转变.同时,由于激子同衬底的相互作用所引起的非辐射衰变,在 Alq_3沉积的初始阶段 Alq_3光致发光谱峰的强度呈现不同的变化,随后该谱峰的强度随 Alq_3薄膜厚度的增加而快速增加,并在薄膜厚度较大时,趋向于饱和.
徐以锋张寒洁陈桥李海洋鲍世宁何丕模
关键词:红移
共1页<1>
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