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朱建生

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇氧含量
  • 2篇仪器
  • 2篇直拉硅
  • 2篇直拉硅单晶
  • 2篇滤光片
  • 2篇硅单晶
  • 2篇硅片
  • 2篇红外
  • 2篇红外仪器
  • 1篇单晶片
  • 1篇电阻
  • 1篇少子产生寿命
  • 1篇区熔
  • 1篇区熔硅单晶
  • 1篇氯化
  • 1篇氯化氢
  • 1篇晶片
  • 1篇激光
  • 1篇激光应用

机构

  • 4篇中国科学院上...

作者

  • 4篇朱建生
  • 2篇谭淞生
  • 2篇李月珍

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇国外科学仪器

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
氯化氢热处理对硅少子产生寿命的影响
1989年
本文主要介绍,在热氧化时气氛中加入百分之几的HCl会使少数载流子的寿命有咀显改善。并较系统地阐述了HCl含量、热处理温度和时间、氧气和氮气气氛等因素对硅少子产生寿命的影响。实验结果表明,寿命的畏高在1150℃左右最为有效。
朱建生
关键词：氯化氢
硅红外滤光片的热处理工艺
一种旨在降低直拉硅单晶氧含量，提高硅红外滤光片透过率的硅片热处理工艺，其特征是将硅片在400-1000℃温度间的四段温区逐步升温并保温适当时间并在硅片冷却至850℃以下时取出，处理后的直拉硅单晶片在9μm处的透过率接近或...
谭淞生朱建生李月珍
文献传递
硅红外滤光片的热处理工艺
一种旨在降低直拉硅单晶氧含量，提高硅红外滤光片透过率的硅片热处理工艺，其特征是将硅片在400-1000℃温度间的四段温区逐步升温并保温适当时间并在硅片冷却至850℃以下时取出，处理后的直拉硅单晶片在9μm处的透过率接近或...
谭淞生朱建生李月珍
文献传递
激光修调系统简介
1990年
一、前言激光修调系统是在当代激光技术、微型计算机技术、结合有关的测试技术的基础上发展起来的。这类系统大致可划分为两类。
朱建生
关键词：激光应用VLSI电阻
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共1页<1>
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