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InAs/AlSb HEMT材料生长及物性研究: 用分子束外延方法生长了InAs/AISb HEMT结构，并运用霍尔测量、X射线衍射，原子力显微镜等测量手段对材料进行了物理性质的研究。主要研究内容和结果如下：　　 1.在GaAs(100)衬底上大失配外延生长了AlSb...; 李志华; 关键词：分子束外延界面粗糙度物理性质

As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响被引量：3: 2007年; 用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格,界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量,并对测量结果进行了模拟和分析,发现As保护下生长中断20s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌,过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点,而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成,两者都使界面变得粗糙.另外,还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用.; 李志华王文新刘林生蒋中伟高汉超周均铭; 关键词：分子束外延超晶格

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李志华