李洪平
- 作品数：16 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>
- 单晶薄膜声表面波滤波器及降低基带提高带外抑制的方法
- 本发明公开了一种单晶薄膜声表面波滤波器及降低基带提高带外抑制的方法，单晶薄膜声表面波滤波器包括压电基片，在压电基片上设有输入换能器结构和输出换能器结构；输入换能器结构和输出换能器结构均由反射器和叉指换能器构成，所述叉指换...
- 周卫李洪平潘琪唐盘良许东辉黎亮张显洪
- 文献传递
- 高声速SAW复合压电薄膜研究
- 本文阐述了高声速SAW复合压电薄膜材料SiO2/Al/ZnO/IDT/金刚石/Si的研究进展情况,给出了该复合结构压电材料的制作方法和实验结果。φ2'金刚石/Si材料表面粗糙度达到0.89nm,金刚石膜晶粒粒度在5～10...
- 陈运祥谭学斌唐代华李洪平李燕赵雪梅张永川
- 关键词：表面粗糙度SAW滤波器
- 文献传递
- 大尺寸高密度压电陶瓷的制备与研究
- 2018年
- 该文主要采用固相反应法制备了Pb(1-a-b)Ba_aSr_b(Zr_xTi_y)_(1-c-d)(Bi_(3/2)W_(1/2))_c(S_(b1/2)Nb_(3/2))dO_3四元系压电陶瓷材料,通过各组分的比例调整和适当的掺杂改性,材料横向压电应变常数可达-490pm/V,介电常数为4 500,介电损耗小于2%;采用干压加冷等静压成型,并优化烧结工艺,制备出该压电材料密度达到理论密度值的99%,尺寸为?170mm×15mm的大尺寸压电陶瓷块体,为大口径变形镜用玻璃基压电陶瓷薄膜的研制奠定了基础。
- 李洪平米佳鲜晓军赵雪梅许东辉朱勇董加和陈彦光
- 关键词：压电陶瓷介电常数介电损耗大尺寸
- 球面状1-3型压电复合陶瓷材料研究被引量：7
- 2019年
- 该文设计并制作了球面状1-3型压电复合陶瓷材料及对其压电特性、声学特性与制作工艺进行了分析和研究,给出了相关参数的计算表达式并对其性能参数进行了测试。仿真分析了球面状1-3型压电复合材料换能器的阻抗特性和发射响应特性。结果表明,球面状1-3型压电复合陶瓷材料具有在工作频带内模态单一,高频工作时宽波束等优点,可广泛应用于水声探测与成像发射换能器及其阵列的研制。
- 管弦鲜晓军李洪平刘振华刘良芳汪红兵王登攀
- 关键词：换能器
- 一种压电陶瓷片的键合方法
- 本发明公开了一种压电陶瓷片的键合方法，依次包括减薄、剖光、溅射、清洗、包封及键合，在溅射及清洗两个步骤之间还包括制造掩护板，在清洗和包封两个步骤之间还包括装配，其中：制造掩护板包括采用金属材料制造与压电陶瓷片外形相同的金...
- 蒋洪平李洪平杨智李琼董兴斌刘春蓉
- 文献传递
- 一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法
- 本发明公开了一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法，ZnO薄膜材料是在该ZnO薄膜中掺杂有锂和钒，构成Li<Sub>x</Sub>V<Sub>y</Sub>Zn<Sub>（</Sub><Sub>1-x-...
- 陈运祥董家和冷俊林李洪平杨洁
- 高声速SAW复合压电薄膜研究
- 本文阐述了高声速SAW复合压电薄膜材料SiO/Al/ZnO/IDT/金刚石/Si的研究进展情况,给出了该复合结构压电材料的制作方法和实验结果。φ2"金刚石/Si材料表面粗糙度达到0.89nm,金刚石膜晶粒粒度在5～10μ...
- 陈运祥谭学斌唐代华李洪平李燕赵雪梅张永川
- 文献传递
- 声表面波器件光刻工艺技术要求
- 本标准规定了声表面波器件光刻工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及声表而波器件光刻工艺的典型工艺流程、各工序技术、检验等详细要求。本标准适用军用于声表面波器件光刻工艺中的湿法腐蚀方法、干法刻蚀方法、剥离...
- 冷俊林吴琳张俊米佳陶毅冉龙明李洪平张龙刘洋曾武
- 声表面波器件封帽工艺技术要求
- 本标准规定了声表而波器件封帽工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及声表面波器件封帽工艺的典型工艺流程、各工序技术、检验等详细要求。本标准适用于军用声表而波器件平行缝焊和储能焊工艺。
- 米佳罗毅文吴琳张俊汪红兵刘洋李洪平冷俊林陶毅
- 声表面波器件镀膜工艺技术要求
- 本标准规定了声表面波器件镀金属膜工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及声表面波器件镀金属膜」_艺的典型工艺流程、各土序技术、检验等详细要求。本标准适用于军用声表面波器件的电子束蒸发和磁控溅射镀金属膜工艺...
- 李洪平吴琳张俊陈彦光刘洋刘晓莉许东辉陶毅米佳冷俊林
