李若瑜
- 作品数：8 被引量：16H指数：3
- 供职机构：华南理工大学理学院微电子学系更多>>
- 发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- PMOSFET的NBTI效应被引量：1
- 2005年
- 随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI效应的影响成为器件可靠性的一个焦点问题。本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法及其相关的一些前沿问题。
- 李若瑜李斌陈平韩静
- 高精度CMOS带隙基准源电路的设计被引量：1
- 2005年
- 在模拟或数字电路设计中,高温度稳定性的电压源电路是一种应用广泛的重要模块。本文在分析基准源输出电压的温度特性基础上,阐明了运算放大器的失调电压对输出电压的温度精确度的影响,设计了一种基于MOS混合工艺的减小失调电压影响的一阶温度补偿的带隙基准源电路。Hspice仿真结果表明,该电路的零温度系数在40℃处实现,0℃～100℃范围内温度系数为0.96ppm/℃,可用于温度稳定性要求很高的模拟集成电路中。
- 陈育林郑学仁李若瑜李斌
- 关键词：带隙基准源失调电压数字电路设计SPICE仿真温度稳定性
- MOS器件的X射线辐照效应被引量：3
- 2005年
- 研究了在10 keV X射线辐照情况下,MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势。实验结果表明,辐照后,与用Co60作为辐射源辐照所做实验结果明显不同的是,NMOS器件的阈值电压漂移幅度远大于PMOS器件的漂移幅度。文中对这种现象进行了讨论。
- 刘远李若瑜恩云飞李斌罗宏伟师谦
- 关键词：MOS器件辐照剂量率总剂量X射线
- 栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响被引量：4
- 2005年
- 本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用。
- 李若瑜李斌罗宏伟
- 关键词：ESDGGNMOSMEDICI
- PMOSFET的NBTI效应
- 随着工艺的进步,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受NBTI(Negative Bias Temperature Instability)效应影响而失效的现象愈发严重,NBTI效应成为器件可靠性的一个焦点问题.本文综述了...
- 李若瑜李斌罗宏伟
- 关键词：NBTI效应场效应器件半导体器件
- 文献传递
- 10keV X射线空间辐照总剂量试验可行性研究被引量：4
- 2005年
- 传统辐照总剂量试验的辐射源均采用60Co,对环境危害较大。X射线作为辐射源具有安全、剂量率控制准确等优点,可进行硅片级的测试甚至在线测试,从而大大降低封装、测试、运输的成本,提高研发效率。从辐射机理和辐射对栅氧化层影响的角度深入地论证了用10keVX射线代替60Co作为总剂量试验辐射源的可行性。
- 李若瑜李斌罗宏伟师谦
- 关键词：总剂量X射线^60CO环境危害栅氧化层剂量率
- 基于MEDICI仿真的ESD保护器件设计方法被引量：3
- 2005年
- 文章讨论了用MEDICI作基于仿真的ESD保护电路设计方法,并以GGNMOS为例,给出了MEDICI仿真结果与实验数据的对照。结果表明此方法是一种有效仿真ESD保护电路在高温高电压大电流下特性的方法,可使ESD保护器件的设计周期缩短,成功率因此大大增加。
- 李若瑜李斌罗宏伟
- 关键词：ESDGGNMOSMEDICI
- 基于仿真的ESD保护电路设计方法的研究
- 李若瑜
- 关键词：ESD保护电路
