杨世才
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
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- 纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究被引量：5
- 2010年
- 在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜。X射线衍射图谱表明:温度大于180℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜。衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善。1.5Pa的纯氮气气氛和Si(100)衬底是最佳择优生长条件。由紫外-可见光透射谱计算得到:在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为1μm、光学能隙为6.1eV。原子力显微镜照片表明:在Si(100)衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2nm。
- 杨世才阿布都艾则孜.阿布来提简基康郑毓峰孙言飞吴荣
- 关键词：氮化铝磁控反应溅射
- AlN靶材射频磁控溅射制备AlN薄膜及性质研究
- 2009年
- 以AlN作为靶材,使用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上,在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜,并研究了衬底温度对薄膜的结构,形貌和性质的影响.实验表明,衬底温度为370℃的条件下制备的AlN薄膜具有C轴择优取向,薄膜表面均匀、致密和平整,均方根粗糙度为4.83nm.随着基片温度的增加,薄膜的折射率增加,对应着薄膜从非晶态到晶态过程的演变.
- 阿布都艾则孜.阿布来提杨世才简基康郑毓峰孙言飞吴荣
- 关键词：射频溅射AFM
- 纯氮气反应溅射c-轴择优取向AIN薄膜的制备及性质研究
- 2009年
- 在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅(100)和石英衬底上沉积氮化铝薄膜.原子力显微镜图片表明:在不同衬底温度制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2nm.X射线衍射图谱表明:可以在衬底温度为180°条件下沉积出具有c-轴择优取向的纤锌矿氮化铝薄膜,衬底温度的增加有利于薄膜结晶性的改善.由紫外-可见光透射谱计算得到薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为1μm、光学能隙为6.1eV.
- 杨世才阿布都艾则孜.阿布来提简基康郑毓峰孙言飞吴荣
- 关键词：氮化铝磁控反应溅射
- 溶剂热法制备翠玉状Fe_3O_4微晶及表征被引量：4
- 2009年
- 采用溶剂热法合成粒径为1～2μm的翠玉状的Fe3O4晶粒。样品物相用X射线衍射(XRD)仪表征,形貌通过电子扫描显微镜(SEM)观测。所得样品的磁性用振动样品磁强计(VSM)测试,结果显示出铁磁性:饱和磁化强度Ms为89.7emu/g,剩余磁化强度Mr为6.7emu/g,矫顽力Hc为107.1Oe。
- 彭登峰拜山沙德克杨世才王军孙言飞
- 关键词：溶剂热FE3O4微晶
- 赤铁矿湿法合成黑色超微磁性四氧化三铁
- 本发明提供一种利用赤铁矿湿法合成超微磁性四氧化三铁黑色粉体的方法，该方法是通过以下工艺过程实现的：①将赤铁矿石原矿简单机械球磨后，得到赤铁矿粉末(含铁64％)②将以上赤铁矿粉和氢氧化钠按质量为1∶0.5～1∶2.5分散到...
- 彭登峰拜山·沙德克李强孙言飞郑毓峰侯军伟杨世才邹华王军
- 文献传递
- 赤铁矿湿法合成黑色超微磁性四氧化三铁
- 本发明提供一种利用赤铁矿湿法合成超微磁性四氧化三铁黑色粉体的方法，该方法是通过以下工艺过程实现的：①将赤铁矿石原矿简单机械球磨后，得到赤铁矿粉末(含铁64％)②将以上赤铁矿粉和氢氧化钠按质量为1∶0.5～1∶2.5分散到...
- 彭登峰拜山·沙德克李强孙言飞郑毓峰侯军伟杨世才邹华王军
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- α-Fe2O3前驱物溶剂热合成Fe3O4正八面体微晶
- ＜正＞在诸多磁性材料之中,Fe3O4以其独特的磁电性能,已广泛应用于磁流体、磁记录、医药、材料密封、锂电池材料。近年来,文献报道有各种各样的纳米Fe3O4粉体已经成功的合成出来,如:超细纳米颗粒、纳米多孔球、纳米空心球、...
- 彭登峰拜山·沙德克孙言飞王军杨世才
- 文献传递
